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[实用新型]一种抗弯曲的液晶调光膜-CN201920558347.6有效
发明人：司荣美;鲍彦广 -专利权人：天津宝兴威科技股份有限公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-01-10 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本实用新型是一种抗弯曲的液晶调光膜，包括液晶调光膜主体，液晶调光膜主体顶面设有聚乙烯醇缩丁醛材料制成的吸音层，吸音层顶面设有紫外线阻隔层，紫外线阻隔层顶面设有防眩光涂层，防眩光涂层顶面采用磁控溅射镀膜方式涂覆有氮氧化硅过渡层，氮氧化硅过渡层顶面设有PET基材制成的隔热膜。本实用新型中吸音膜使用聚乙烯醇缩丁醛材料制造，生产成本较低且隔音效果较好；同时紫外线阻隔层能把环境中的紫外线隔绝开来，保证液晶调光膜的透光性能，最后氮氧化硅过渡层和隔热膜使得调光膜不仅具有良好的抗弯曲性和耐热性
液晶调光膜顶面紫外线阻隔氮氧化硅过渡层聚乙烯醇缩丁醛本实用新型防眩光涂层调光膜隔热膜吸音层耐热性磁控溅射镀膜隔音效果抗弯曲的抗弯曲性透光性能主体顶面透过率吸音膜紫外线涂覆生产成本保证

[发明专利]一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺-CN202111409579.3在审
发明人：李永伟;任良为;马政;周芳超;刘建强 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶硅太阳能电池PECVD背膜优化工艺，所述优化工艺包括以下步骤：对晶体硅片进行恒温处理，然后在所述晶体硅片的背面上依次沉积氮氧化硅膜和氮化硅膜；所述氮氧化硅膜和所述氮化硅膜的沉积方式分别独立地为PECVD；形成所述氮氧化硅膜的过程中，脉冲比为1:(12‑18)；所述优化工艺通过控制形成氮氧化硅膜过程中的脉冲比，实现了氮氧化硅膜的快速沉积，有效缩短了沉积时间，提高了生产效率，并且使形成的背膜膜色更加均匀
一种太阳能电池 pecvd 优化工艺

[发明专利]太阳能电池及其背面膜层结构及其制备方法、组件及系统-CN202110347733.2在审
发明人：姜泽光;张欣;盛健;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其背面膜层结构及其制备方法、组件及系统，该背面膜层结构包括在硅片背面依次沉积的钝化层、第一氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、及第二氧化硅层；氮化硅层由不同折射率的多层氮化硅膜组成；依序排布的各层氮化硅膜、氮氧化硅层、及第二氧化硅层的折射率依次降低。本发明中提供的太阳能电池的背面膜层结构，解决了现有背面铝浆和背面银浆含有的玻璃粉在烧结过程中会损伤钝化膜而使得钝化效果不佳及对浆料配比及其稳定性和背激光精度要求较高使得难以提升太阳能电池的背面转换效率的问题
太阳能电池及其面膜结构制备方法组件系统

[实用新型]太阳能电池及其背面膜层结构、组件及系统-CN202120663541.8有效
发明人：姜泽光;张欣;盛健;林纲正;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其背面膜层结构、组件及系统，该背面膜层结构包括在硅片背面依次沉积的钝化层、第一氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、及第二氧化硅层；氮化硅层由不同折射率的多层氮化硅膜组成；依序排布的各层氮化硅膜、氮氧化硅层、及第二氧化硅层的折射率依次降低。本实用新型中提供的太阳能电池的背面膜层结构，解决了现有背面铝浆和背面银浆含有的玻璃粉在烧结过程中会损伤钝化膜而使得钝化效果不佳及对浆料配比及其稳定性和背激光精度要求较高使得难以提升太阳能电池的背面转换效率的问题
太阳能电池及其面膜结构组件系统

[发明专利]柔性显示面板及其制造方法、柔性显示器件-CN201610878341.8在审
发明人：肖玲 -专利权人：上海和辉光电有限公司
申请日： 2016-10-08 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明提供了柔性显示面板及其制造方法、柔性显示器件，其中，柔性显示面板包括第一柔性基板、有机发光器件层以及第二柔性基板，有机发光器件层被封装于第一柔性基板与第二柔性基板之间，第二柔性基板包括层叠的至少一无机聚合硅层以及至少一硬涂层薄膜；无机聚合硅层的材料包括聚氧化硅、聚氮化硅、聚氮氧化硅、聚碳氮化硅、聚碳氧化硅、聚碳氮氧化硅中的至少一种。本发明利用旋涂，喷涂，网印，喷墨打印等方式在柔性OLED上得到无机聚合硅层，减少了基材的使用，降低了基材的厚度，具有较好的硬度、耐磨性，同时还能增强柔性OLED的柔性的功能和封装效果，并且兼具平坦层的效果
柔性显示面板及其制造方法器件

[实用新型]一种抗磨损耐腐蚀低辐射镀膜玻璃-CN201920302508.5有效
发明人：纪云武;冯成武 -专利权人：上饶市广丰区利民玻璃钢化有限公司
申请日： 2019-03-11 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗磨损耐腐蚀低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基板，所述玻璃基板顶部的表面镀有外低辐射层，所述外低辐射层顶部的表面镀有外氮氧化硅层，所述外氮氧化硅层顶部的表面镀有外纳米级二氧化钛层，所述外纳米级二氧化钛层顶部的表面镀有外疏水层，所述玻璃基板底部的表面镀有内低辐射层，所述内低辐射层底部的表面镀有内氮氧化硅层。本实用新型通过设置内低辐射层和外低辐射层的配合使用，降低了玻璃的辐射，这样玻璃的使用更加安全，解决了玻璃在使用时，因不具备降低辐射的功能，造成玻璃使用的过程中产生大量辐射，对使用环境中的人带来伤害，从而导致玻璃出现使用不安全的问题
一种磨损腐蚀辐射镀膜玻璃

[实用新型]一种太阳电池及光伏组件-CN202320344949.8有效
发明人：廖海伦 -专利权人：通威太阳能（眉山）有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：一种太阳电池及光伏组件，属于太阳电池技术领域，太阳电池包括减反膜和硅基体，所述减反膜包括第一膜层、第二膜层和第三膜层，所述第一膜层为氮化硅层，所述第二膜层为氮氧化硅层，所述第三膜层为掺杂氮化物的氧化硅层；通过采用氮化硅层(SixNy层)、氮氧化硅层(SiOxNy层)和掺杂氮化物的氧化硅层(SiOxNy层复合层)的组合，来替代目前正膜工艺主要是采用SiO、SiON、SiN的结构，有效的降低了反射率，使得整体呈现为一个黑色的状态，同时，因SiOxNy层有较强的陷光效果，能减少SixNy层边缘发蓝的问题，进而使得整个电池达到美观的效果。
一种太阳电池组件

[发明专利]一种基于忆阻器的神经突触仿生器件及制备方法-CN201910066259.9有效
发明人：刘儒平;石月;李烨;邓骞;王慰;李路海 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：该仿生器件包括：柔性下电极层、沉积在柔性下电极层上的铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层和位于铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层上方的柔性上电极层；柔性下电极层包括第一柔性基底和位于第一柔性基底上方的第一银纳米线透明电极；柔性上电极层包括第二柔性基底和位于第二柔性基底下方的第二银纳米线透明电极；下电极层和上电极层均为在柔性基底上喷涂银纳米线墨水形成银纳米线湿膜，并在密封容器中恒热处理制成；铜纳米颗粒掺杂氮氧化硅薄膜层是采用射频反应磁控共溅射法将铜片加在氮化硅靶材上并通入氧气制成
一种基于忆阻器神经突触仿生器件制备方法

[发明专利]用于0.18微米接触孔的刻蚀方法-CN200410053419.X有效
发明人：吕煜坤;吴智勇 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2006-02-08 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：其技术方案的要点是：第一步，对顶部氮氧化硅进行刻蚀；第二步，对上层氧化膜进行主刻蚀，采用高刻蚀速率选择比(氧化膜/氮氧化硅)，从而保证孔停在氮氧化硅上；第三步，使用氮气和氧气混合气体来去除孔底反应生成物；第四步，对下层氮氧化硅进行主刻蚀，使孔停在底层金属硅化物上。由于采用高刻蚀速率选择比(氮氧化硅/氧化膜)，对于因光刻工艺对准偏差而偏移到STI上的部分能停在氧化膜上，不损伤有源区侧壁。
用于 0.18 微米接触刻蚀方法

[发明专利]阻气性层压体、电子器件用部件及电子器件-CN201480019464.5有效
发明人：铃木悠太;岩屋涉;永元公市;近藤健 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：本发明为阻气性层压体、由该阻气性层压体构成的电子器件用部件和具备所述电子器件用部件的电子器件，所述层压体具有基材和阻气性单元，其特征在于，所述阻气性单元含有至少2层无机层，在所述至少2层无机层中，至少1层为氮氧化硅层；所述氮氧化硅层具有厚度为25nm以上，随着相对于层中的厚度方向向基材侧接近，氧元素的存在率减少，氮元素的存在率增加的倾斜组成区域；所述倾斜组成区域的厚度相对于氮氧化硅层整体的厚度的比例为
气性层压电子器件部件

[发明专利]钝化层及其制造方法-CN201010297229.8有效
发明人：曾绍海;张伟 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2010-09-29 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种钝化层及其制造方法，该钝化层包括形成于半导体基底之上、并且覆盖于半导体基底之中金属线(4)上的非晶硅层(3)，以及依次形成于所述非晶硅层(3)之上的二氧化硅层(2)和氮氧化硅层(1)。该钝化层的制造方法包括以下步骤：S01在半导体基底上沉积非晶硅层(3)，所述的非晶硅层(3)覆盖半导体基底及半导体基底之中的金属线(4)；S02在上述的非晶硅层(3)上沉积二氧化硅层(2)；S03在上述的二氧化硅层(2)上沉积氮氧化硅层(1)。
钝化及其制造方法

[发明专利]LDMOS器件及其制备方法-CN202110758264.3在审
发明人：冯冰;许超奇;张建栋;缪海生;贺腾飞 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法，在金属硅化物阻挡层中，采用与氧化硅层具有较大的刻蚀选择比的氮氧化硅层作为LDMOS漂移区上方的悬停金属接触件的刻蚀阻挡层；具有高消光系数的氮氧化硅层能够显著降低
ldmos 器件及其制备方法

[发明专利]一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法-CN202211529289.7在审
发明人：黄巍辉;张超华;谢志刚;吴远涛;林锦山 -专利权人：福建金石能源有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池制造方法，它包括步骤a1，在半导体基板的第一主面上设置第一导电型膜层；步骤a2，在第一导电型膜层上设置复合绝缘膜层；所述步骤a2的具体方法为，a101,在第一导电型膜层上采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅或碳氧化硅生成一层基底绝缘层；a102，在基底绝缘层上形成一层以上叠合绝缘层，至少包含一层采用非晶硅或微晶硅形成的叠合绝缘层；每层叠合绝缘层分别采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅、非晶硅或微晶硅生成。本发明的目的在于提供一种采用复合绝缘膜层的背接触异质结太阳能电池及其制造方法，大幅度提高半导体膜层在溶液清洗过程的保护效果，减少溶液清洗产生的缺陷。
一种采用复合绝缘接触异质结太阳能电池及其制造方法

[发明专利]光子装置、光学耦合系统及光子装置的制造方法-CN202210173820.5在审
发明人：吴建瑩;李玥瑩;许隨贏;黄振浩;李建璋;赖佳平 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种光子装置、光学耦合系统及光子装置的制造方法，光子装置包括一硅层，其中该硅层自该光子装置的一波导区延伸至该光子装置的一装置区，且该硅层包括该波导区中的一波导部分。该光子装置进一步包括一低折射率层，该低折射率层与该包覆层直接接触，其中该低折射率层包含氧化硅、碳化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化铝或氧化铪。该光子装置进一步包括一互连结构，该互连结构位于该低折射率层上方。
光子装置光学耦合系统制造方法

[发明专利]一种太阳能电池抗反射叠层结构及其制备方法、应用-CN202311184961.8在审
发明人：陈庆敏;李丙科;卓倩武;张海洋 -专利权人：无锡松煜科技有限公司
申请日： 2023-09-14 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能电池抗反射叠层结构及其制备方法、应用，所述制备方法包括（1）将沉积有氧化铝钝化膜层的硅衬底置于PECVD设备的反应腔体内，通入笑气，抽真空预热，进行一次等离子体处理；（2）通入硅烷和氨气，在氧化铝钝化膜层表面沉积氮化硅层；（3）通入笑气，进行二次等离子体处理；（4）通入硅烷、氨气和笑气，在氮化硅层表面沉积氮氧化硅层；（5）通入硅烷和笑气，在氮氧化硅层表面沉积氧化硅层。本发明的太阳能电池抗反射叠层结构膜层不仅在光学上提升太阳能电池的光生电流，还能从钝化角度提升太阳能电池的钝化水平。
一种太阳能电池反射结构及其制备方法应用