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[发明专利]一种背面钝化膜、制备方法及晶硅太阳能电池-CN202011088856.0在审
发明人：范维涛;陈浩;黄钧林;张鑫;程晶 -专利权人：意诚新能（苏州）科技有限公司
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅太阳能电池的背面钝化膜，其中，背面钝化膜设置于硅衬底背面；背面钝化膜包括自硅衬底背面的表面依次向外设置的氮氧化硅层和氮化硅层。本发明提供的背面钝化膜能够提高太阳能电池钝化效果及背面反射率、电池效率，且沉积氮氧化硅和氮化硅膜的工艺过程简单，易于与常规工艺整合。
一种背面钝化制备方法太阳能电池

[发明专利]具有高阻隔高抗菌性能的包装薄膜材料、制备方法及应用-CN202310505331.X有效
发明人：孙忠杰;宋夫前;王永坤;汪华 -专利权人：宁波时代铝箔科技股份有限公司
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： B32B27/32 文献下载
摘要：通过设置铝箔层、氮氧化硅层、防护层，并且将氮氧化硅层设置为具有多个循环的不同倾斜组织排列方向的子膜层对结构，提高了包装薄膜材料的阻氧阻水性能、抗菌抑菌性能、抗冲击性能。
具有阻隔抗菌性能包装薄膜材料制备方法应用

[发明专利]陶瓷接合体及其制造方法-CN201280027506.0无效
发明人：井筒靖久;有马峻;近藤直树;堀田干则;北英纪 -专利权人：三井金属矿业株式会社
申请日： 2012-08-30 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C04B37/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种陶瓷接合体，其是氮化硅陶瓷被接合材料彼此通过含有氮化硅粒子和氮氧化硅玻璃的接合部位接合而成的。关于接合部位，在其微细结构组织中可观察到氮化硅粒子和氮氧化硅玻璃。氮氧化硅玻璃相对于观察视野中的氮化硅粒子与氮氧化硅玻璃的合计量的利用二维截面观察得到的比例为97：3～60：40。接合部位中含有的氮化硅粒子为柱状。
陶瓷接合及其制造方法

[发明专利]SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法-CN200910201852.6有效
发明人：杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-11-24 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质膜的制作方法，包括如下步骤：采用高温氨气退火使硅片表面氮化，形成一层氮化层；在硅片表面氮化层上生长氧化铝层作为隧穿电介质膜；在所述隧穿电介质膜上形成氮化硅陷阱层，对该氮化硅陷阱层进行原位掺杂形成氮氧化硅混合物层，作为存储电荷的介质；在所述氮氧化硅混合物层上制备一层电荷阻挡热氧化层。
sonos 闪存器件采用氧化铝作隧穿电介质制作方法

[实用新型]一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构-CN201320401186.2有效
发明人：苗凤秀;福克斯·斯蒂芬;蔡永梅;汤安民;苗丽燕;刘丽芳;刘长明;杨金波;谢斌;谢旭;李仙德;陈康平;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构，包括银电极、氮化硅介质膜、铝背场、硅衬底，在所述氮化硅介质膜上还设有一层氧化铝钝化膜和一层氮氧化硅钝化膜，并在所述氮化硅介质膜和氧化铝钝化膜及氮氧化硅钝化膜的背场上设有若干槽
一种新型双层背面钝化太阳能电池结构

[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法-CN201310386334.2无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;陈吉星 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层、阴极及封装盖，封装盖将发光层及阴极封装于阳极上，封装盖包括第一氮氧化硅层、形成于第一氮氧化硅层表面的第一无机阻挡层、形成于第一无机阻挡层表面的第二氮氧化硅层及形成于第二氮氧化硅层表面的第二无机阻挡层；第一无机阻挡层的材料的包括碲化物及金属，第二无机层的材料包括硒化物及金属；碲化物选自三碲化锑、碲化铋、碲化镉、三碲化二铟、碲化锡及碲化铅中的至少一种，金属选自银、铝、镍、金、铜及铂中的至少一种，硒化物选自硒化锑
有机电致发光器件及其制备方法

[发明专利]一种氮氧化硅薄膜的等离子处理程度的光学检测方法-CN200680055151.0无效
发明人：陈厚;蔡孟修;杨捷 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2006-07-03 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G01N21/17 文献下载
摘要：一种氮氧化硅薄膜的等离子处理程度的光学检测方法，包括先用化学汽相沉积法在半导体晶片上沉积氮氧化硅薄膜，然后对其进行等离子处理，最后利用光学检测方法对氮氧化硅薄膜的等离子处理程度进行光学检测。根据氮氧化硅薄膜的折射率或反射率的变化判断其等离子处理的程度。
一种氧化薄膜等离子处理程度光学检测方法

[发明专利]PERC太阳能电池片及其制作方法、电池组件和光伏系统-CN202211211890.1在审
发明人：顾生刚;时宝;庞瑞卿;吕闯;孙洪全;张笛;逯承承;盛健;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC太阳能电池片及其制作方法、电池组件和光伏系统，PERC太阳能电池片包括基片、依次层叠设置在基片正面的正面微晶氮化硅层、正面微晶氮氧化硅层以及正面微晶氧化硅层，以及依次层叠设置在基片背面的微晶氧化铝层、第一背面微晶氧化硅层、背面微晶氮化硅层、背面微晶氮氧化硅层、第二背面微晶氧化硅层。如此，通过将基片的正面膜层和背面膜层均设置为微晶态膜层可以提高PERC太阳能电池片的正背面转换效率，从而提高PERC太阳能电池片的双面光电转换效率，提升PERC太阳能电池片的品质。
perc 太阳能电池及其制作方法电池组件系统

[实用新型]PERC太阳能电池片、电池组件和光伏系统-CN202222636641.9有效
发明人：顾生刚;时宝;庞瑞卿;吕闯;孙洪全;张笛;逯承承;盛健;陈刚 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC太阳能电池片、电池组件和光伏系统，PERC太阳能电池片包括基片、依次层叠设置在基片正面的正面微晶氮化硅层、正面微晶氮氧化硅层以及正面微晶氧化硅层，以及依次层叠设置在基片背面的微晶氧化铝层、第一背面微晶氧化硅层、背面微晶氮化硅层、背面微晶氮氧化硅层、第二背面微晶氧化硅层。如此，通过将基片的正面膜层和背面膜层均设置为微晶态膜层可以提高PERC太阳能电池片的正背面转换效率，从而提高PERC太阳能电池片的双面光电转换效率，提升PERC太阳能电池片的品质。
perc 太阳能电池电池组件系统

[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板-CN202011577558.8有效
发明人：胡小波 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、以及漏极，其中，所述栅极、所述源极、以及所述漏极中的至少其中之一为一复合膜层，所述复合膜层包括依次层叠设置的金属层、低反功能层以及合金层所述合金层覆盖于所述低反功能层表面可以增强所述低反功能层的稳定性，由于所述合金层是与氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等介电层之间的附着力相较于低反功能层更强，在高温环境下，也不易出现鼓包现象，进而可以防止所述复合膜层表面的氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅等介电层的脱落问题，提高产品良率。
薄膜晶体管及其制备方法阵列

[实用新型]一种磁控溅射双银LOW-E玻璃-CN201220011665.9有效
发明人：魏佳坤 -专利权人：揭阳市宏光镀膜玻璃有限公司
申请日： 2012-01-03 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种磁控溅射双银LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，在玻璃基片的复合面上由内到外依次相邻地复合有九个膜层，其中，第一膜层即最内层为氮氧化硅层，第二膜层为镍铬层，第三膜层为金属银层，第四膜层为氧化镍铬层，第五膜层为氧化硅层，第六膜层为氧化镍铬层，第七膜层为金属银层，第八膜层为氧化镍铬层，最外膜层为氮氧化硅层。具有低辐射率、低U值、低遮阳系数、镀膜层与玻璃基片的结合力强、镀膜层致密、均匀的优点。
一种磁控溅射 low 玻璃

[发明专利]一种半导体制造方法-CN200910182105.2无效
发明人：马擎天;许宗能;蒋昆坤;任华;曾明 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2009-07-14 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体制造方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底表面沉积垫氧化层、氮化硅层、保护氧化层及氮氧化硅层的步骤；蚀刻前述氮氧化硅层、保护氧化层、氮化硅层以及垫氧化层形成一个开口，露出硅衬底的步骤；蚀刻前述开口内的硅衬底在硅衬底内形成浅沟槽的步骤；在硅衬底表面形成一层高密度等离子体的步骤；通过化学机械研磨工艺去除多余的高密度等离子体以及保护氧化层的步骤；去除氮化硅层及垫氧化层的步骤。本发明的方法，在氮化硅层上形成有一层保护氧化层，在化学机械研磨时能够保护垫氮化硅厚度的完整性，便于控制高密度等离子体与硅衬底之间的阶梯高度。
一种半导体制造方法

[发明专利]一种功率器件芯片及其制造方法-CN201810927552.5有效
发明人：林河北;葛立志;覃事治;徐衡 -专利权人：深圳市金誉半导体股份有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件芯片，包括：N型衬底；N型外延层，形成于N型衬底厚度方向一表面上；沟槽，形成于N型外延层内；P型体区，形成于N型外延层内并与沟槽两侧邻接；N+型源区，形成于P型体区内并与沟槽两侧邻接；沟槽内侧壁形成有氮氧化硅层，沟槽底部形成有厚氧化硅层，氮氧化硅层外形成有氧化硅层，厚氧化硅层上形成有半绝缘多晶硅层，半绝缘多晶硅层上填充有多晶硅，多晶硅填满沟槽；以及功率器件芯片的制备方法，在底部厚氧化层上制作半绝缘氧化硅作为过渡缓冲层
一种功率器件芯片及其制造方法

[实用新型]一种功率器件芯片-CN201821312199.1有效
发明人：林河北;葛立志;覃事治;徐衡 -专利权人：深圳市金誉半导体有限公司
申请日： 2018-08-15 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率器件芯片，包括：N型衬底；N型外延层，形成于N型衬底厚度方向一表面上；沟槽，形成于N型外延层内；P型体区，形成于N型外延层内并与沟槽两侧邻接；N+型源区，形成于P型体区内并与沟槽两侧邻接；沟槽内侧壁形成有氮氧化硅层，沟槽底部形成有厚氧化硅层，氮氧化硅层外形成有氧化硅层，厚氧化硅层上形成有半绝缘多晶硅层，半绝缘多晶硅层上填充有多晶硅，多晶硅填满沟槽；本实用新型的功率器件芯片在底部厚氧化层上制作半绝缘氧化硅作为过渡缓冲层
功率器件芯片半绝缘多晶硅本实用新型氮氧化硅层厚氧化硅层邻接衬底厚度方向多晶硅填满沟槽内侧壁器件可靠性厚氧化层氧化硅层半绝缘多晶硅缓冲层氧化硅衬底源区填充制作

[发明专利]一种MOS器件的制造方法-CN201310138693.6有效
发明人：赵杰;禹国宾;童浩 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-18 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS器件的制造方法，包括下步骤：1）于半导体衬底表面形成第一栅氧层；2）于所述第一栅氧层表面形成氮氧化硅层；3）于输入输出器件区域表面形成光刻胶，去除核心器件区域表面的氮氧化硅层及第一栅氧层；4）于核心器件区域表面形成第二栅氧层；5）形成输入输出器件及核心器件的多晶硅假栅、栅极侧壁、浅掺杂漏、栅极侧墙、源极、漏极以及介质层；6）去除多晶硅假栅；7）选择性腐蚀去除所述核心器件的第二栅氧层。本发明于栅氧层中引入氮，通过二氧化硅于氮氧化硅的不同腐蚀速率实现了二氧化硅的去除，可以在制造工艺中节省一次光刻胶的使用，简化了工艺过程，大大地降低了生产成本。本发明工艺简单，适用于工业生产。
一种 mos 器件制造方法