“氮氧化硅层”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3341519个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种高纯氮氧化硅的制备方法-CN201711352598.0在审
发明人：杜宁;季勇升;杨德仁;张亚光;杜英;陆介平 -专利权人：江苏润弛太阳能材料科技有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： C04B35/597 文献下载
摘要：本发明公开一种高纯氮氧化硅的制备方法，包括以下步骤(1)将硅粉进行加湿处理；(2)在氮氧气氛下，将步骤(1)得到的硅粉原料进行两步高温煅烧，待反应完全后得到氮氧化硅；所述两步高温煅烧的过程为第一步1000本发明通过在硅粉内部引入水分子，水分子在高温下分解产生的氢气，其不仅可以还原硅表面氧化硅，缩短反应孕育期，而且可以一直抑制二氧化硅的生成，使得反应朝氮氧化硅方向进行，从而得到高纯氮氧化硅；本制备方法工艺简单
一种高纯氧化制备方法

[发明专利]一种太阳能单晶PERC电池及其制备方法-CN202011085570.7在审
发明人：郑正明;任永伟;陈建生;李跃 -专利权人：横店集团东磁股份有限公司
申请日： 2020-10-12 - 公布日： 2021-01-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种太阳能单晶PERC电池及其制备方法，所述太阳能单晶PERC电池，包括设有氧化铝膜的单晶硅片，以及位于所述氧化铝膜上的背面膜结构；所述背面膜结构包括位于所述氧化铝膜上的氮氧化硅膜以及位于所述氮氧化硅膜上的氮化硅结构本发明将背面膜由单一氮化硅调整为氮氧化硅和氮化硅的组合，既增加了减反射膜的作用，又能提升钝化效果，同时通过多层不同膜厚、不同折射率的氮化硅的排布叠加，可以降低氮化硅间的间隙，来提升致密度，从而增加可靠性
一种太阳能 perc 电池及其制备方法

[发明专利]一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺-CN201910763130.3在审
发明人：王岚;张忠文;杨蕾;谢毅;苏荣 -专利权人：通威太阳能(成都)有限公司;通威太阳能(安徽)有限公司;通威太阳能(眉山)有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合介电钝化层结构太阳电池及其制备工艺，在P型硅衬底的正、背面及周边全表面依次沉积氧化硅膜、氧化铝膜、氮化硅或氮氧化硅膜复合介电膜层，并在局部开窗进行电极导出。本发明的三氧化二铝、二氧化硅、氮氧化硅、不同折射率氮化硅及其叠层结构的背表面钝化层，大大降低了背表面复合速率，提高背反射率，同时降低组件CTM，提高电池光衰及热辅助光衰表现、抗PID性能；可以用作掺硼或掺镓的P型单晶硅、P型多晶硅和P型类单晶硅衬底上制作该结构，且可兼容制造PERC电池、双面PERC+电池和叠瓦PERC电池等基于该复合介电膜钝化结构的钝化方法；该叠层结构的制备工艺步骤及顺序、相应制备方式及工艺参数范围
电池叠层结构复合介电背表面钝化层衬底光衰氮化硅或氮氧化硅沉积氧化硅膜制备工艺步骤三氧化二铝氮氧化硅二氧化硅介电膜层类单晶硅氧化铝膜制备工艺电极氮化硅反射率膜钝化膜复合全表面热辅助折射率掺硼导出钝化开窗制备制作背面兼容复合制造表现

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200810179754.2无效
发明人：辛恩宗 -专利权人：东部高科股份有限公司
申请日： 2008-12-03 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体器件包括：栅极结构，该栅极结构包括：形成在半导体衬底上的氮氧化硅(SiON)层，形成在该氮氧化硅(SiON)层上的氮氧硅铪(HfSiON)层，形成在该氮氧硅铪(HfSiON)层上的多晶硅层，以及形成在该多晶硅层上的硅化物层
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有再填充层的半导体元件及其制备方法-CN202210469959.4在审
发明人：施信益 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本公开提供一种具有再填充层的半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一芯片堆叠，包括一第一基础晶粒；一第一堆叠晶粒，设置在该第一基础晶粒的一前表面上；以及一再填充层，设置在该堆叠晶粒的一侧壁上。该再填充层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化氮化硅、氧化钛、氧化铝或氧化铪。
具有填充半导体元件及其制备方法

[发明专利]提高非易失性存储器性能的方法-CN200910054545.X有效
发明人：沈忆华;宋化龙;潘见;王辛;史运泽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-09 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高非易失性存储器性能的方法，在非易失性存储器中制造氧氮氧结构时，包括：在晶圆衬底上沉积得到二氧化硅表面层；在所述二氧化硅表面层上沉积形成氮化硅层；用原位蒸汽产生法产生正价氧离子，与所述氮化硅层反应形成氮氧化硅后，沉积得到高温氧化物层。
提高非易失性存储器性能方法

[发明专利]浅沟槽隔离物及其制造方法-CN200610071494.8无效
发明人：曾铕;张庆裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-29 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离物及其制造方法，该浅沟槽隔离物包括：沟槽，形成于基底中；氮氧化硅层，顺应性地形成于该沟槽的侧壁与底部；以及高密度等离子体氧化层，填入该沟槽中。本发明利用不同方法，例如沉积或等离子体处理，形成致密且薄的氮氧化硅层，用来保护半导体基底免受化学气相沉积过程中的等离子体攻击并同时减少沟槽内的占用空间，改善填入效果。
沟槽隔离及其制造方法

[发明专利]冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚及其制备方法-CN202010766412.1在审
发明人：王庆虎;刘俊;李亚伟;桑绍柏;徐义彪;朱天彬;潘丽萍 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2020-08-03 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： C04B35/597 文献下载
摘要：本发明涉及一种冶炼光伏级硅用氮氧化硅/石英复合陶瓷坩埚及其制备方法。其技术方案是：将70～85质量份的氮氧化硅前驱体和15～30质量份的熔融石英粉体混合，在混合气氛和1400～1700℃条件下保温2～10h，冷却，研磨，制得氮氧化硅粉体；将50～100质量份的氮氧化硅粉体质量份的胶凝剂和30～70质量份的去离子水置入球磨罐中混合，再注入模具，在30～90℃水浴条件下保温0.5～3h，脱模，在80～110℃条件下烘干，于1100～1400℃条件下保温2～10h，制得冶炼光伏级硅用氮氧化硅
冶炼光伏级硅用氮氧化石英复合陶瓷坩埚及其制备方法

[发明专利]太阳能电池混合多层膜结构-CN201510646643.8在审
发明人：鲁科;乔琦;陆红艳;黄海涛;陈如龙;王永谦 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2016-02-10 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池混合多层膜结构，包括硅衬底，在硅衬底上设置SiN_x膜层；其特征是：在所述SiN_x膜层上设有氧化硅或氮氧化硅膜层。所述SiN_x膜层包括依次设置在硅衬底上的高折射率SiN_x膜层和低折射率SiN_x膜层。所述SiN_x膜层的折射率为2.0～2.3。所述高折射率SiN_x膜层的折射率为2.1～2.3，低折射率SiN_x膜层的折射率为2.0～2.1。所述氧化硅或氮氧化硅膜层的折射率为1.6～2.0。
太阳能电池混合多层膜结构

[发明专利]用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法-CN200580035507.X无效
发明人： P·托尔钦斯基;M·吉尔斯;M·麦斯维尼;M·沙赫恩;I·亚布洛克 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2005-11-09 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：公开具有覆盖在埋氧层(120)上的蚀刻终止层(130)的绝缘体上硅(SOI)晶片的实施例以及该晶片的制造方法的实施例。该蚀刻终止层可以包括氮化硅、氮掺杂二氧化硅或氮氧化硅以及这些材料的一些组合。
用于制造具有蚀刻终止绝缘体 soi 晶片方法

[发明专利]PERC太阳能电池的背膜结构、制备方法、太阳能电池及组件-CN202110589700.9在审
发明人：杨苏平;吴疆;谢新明;盛健;林纲正;陈刚 -专利权人：广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-05-28 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明适用太阳能电池技术领域，提供了一种PERC太阳能电池的背膜结构、制备方法、太阳能电池及组件，该PERC太阳能电池的背膜结构包括自硅片基底的背面从上至下依次形成的第一氮氧化硅层、氮化硅层、第二氮氧化硅层以及氧化硅层；氮化硅层由至少两层氮化硅膜组成，且各层氮化硅膜的折射率从上至下依次降低。本发明提供的一种PERC太阳能电池的背膜结构无需用到TMA材料进行制备，从而可以大大降低PERC太阳能电池生产成本；同时，利用氮化硅层的折射率从上至下呈现由高到低的变化，可充分提高PERC太阳能电池背面的光入射率
perc 太阳能电池膜结构制备方法组件

[发明专利]坩埚主体及其形成方法-CN201180066406.4无效
发明人： E·A·科特利尼;C·J·雷利;V·K·布加瑞 -专利权人：圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司
申请日： 2011-12-28 - 公布日： 2013-10-02 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种包含整体式坩埚主体的物品，该整体式坩埚主体包括氮氧化硅（SixNyO，其中x>0并且y>0），其中该氮氧化硅延伸遍及该整体式坩埚主体的整个体积。
坩埚主体及其形成方法

[发明专利]绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法-CN01806781.6无效
发明人：卢志恒;罗晏;周宏余 -专利权人：北京师范大学
申请日： 2001-04-03 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：通过在传统的注氧隔离制造工艺中引入离子注入非晶化处理，使得非晶化区域内的各种原子在退火时产生很强的增强扩散效应，从而制造出顶部硅层中的穿通位错等晶体缺陷和二氧化硅埋层中的硅岛和针孔等硅分凝产物得以消除的高品质的本发明还公开了一种将离子注入非晶化处理应用到采用注氮隔离或注入氮氧隔离技术中制造SOI材料的方法，使得氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层是非晶层，顶部硅层是和氮化硅埋层或者氮氧化硅埋层的界面具有原子级陡峭的单晶硅层
绝缘体单晶硅 soi 材料制造方法

[发明专利]一种可改善闪存性能的第一金属间介质及其制作方法-CN200710045713.X有效
发明人：张弓;陈玉文 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明的可改善闪存性能的第一金属间介质，其制作在已制成金属前介质和金属插塞的闪存上，其从下至上依次包括一氮化硅层、一未掺杂的硅玻璃层和一氮氧化硅层，本发明的制作方法依次制作该氮化硅层、该未掺杂的硅玻璃层和该氮氧化硅层
一种改善闪存性能第一金属介质及其制作方法

[发明专利]一种消影结构、触摸屏及其制备方法-CN201510106334.1有效
发明人：都智;胡明 -专利权人：合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-03-11 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种消影结构、触摸屏及其制备方法，属于显示触控领域，能够有效消除氧化铟锡层刻蚀形成图形后所形成的蚀刻纹。所述消影结构包括依次设在透明基板上的氮氧化硅层、氧化铟锡层和二氧化硅层。
触摸屏消影氧化铟锡层制备蚀刻氮氧化硅层二氧化硅层透明基板触控可用刻蚀制作