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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]双面太阳能电池装置-CN201620477429.4有效
发明人：骆玉山;廖国彰 -专利权人：永旺能源股份有限公司
申请日： 2016-05-23 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H02S40/22 文献下载
摘要：一种双面太阳能电池装置，包含至少一个太阳能单元，该太阳能单元包括一个具有两个相反的入光面的双面太阳能电池，以及两个间隔相对且分别位于所述入光面的一侧的反射镜，每一个反射镜能将入射而来的光线朝与其对应的该入光面反射。本实用新型通过该双面太阳能电池的所述入光面皆可受光，相对于现有单面受光电池，具有更高的光电转换效率。加上所述反射镜能有效地将光线反射至每一个入光面，从而能提升电池入光量与光电转换效率。
双面太阳能电池装置

[发明专利]动态随机存取存储器及其电容器的制造方法-CN200910200000.5有效
发明人： 廖国彰;宋卫军;廖端泉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种动态随机存取存储器的电容器的制造方法包括：提供衬底，在所述衬底上先后形成垫氧化层、氮化硅层、层间绝缘层和掩膜层；图形化掩膜层，在掩膜层中形成开口；以所述掩膜层为掩膜，蚀刻所述层间绝缘层、氮化硅层和垫氧化层直至露出所述衬底时停止蚀刻，形成贯穿层间绝缘层的第一沟槽、贯穿氮化硅层和垫氧化层的第二沟槽；在所述衬底的露出区域上形成保护层；移除所述掩膜层；以层间绝缘层为掩膜，蚀刻所述保护层和衬底露出区域而在衬底上形成第三沟槽。本发明由于包括形成保护层的步骤，因此，衬底不会被损伤。
动态随机存取存储器及其电容器制造方法

[发明专利]一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法-CN200710043587.4有效
发明人：钟鑫生;冯大贵;廖国彰;林新发;吴建兴 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-09 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种改善深沟槽刻蚀硬掩模轮廓的方法，通过在去除多晶硅硬掩模之前，在开孔中填充光刻胶，在光刻胶保护暴露的硅衬底和氧化物轮廓的条件下去除硬掩模，然后在轮廓完整的氧化物硬掩模下，进行深沟槽刻蚀，以保证器件的可靠性和稳定性。
一种改善深沟刻蚀氧化物硬掩模轮廓方法

[发明专利]去除晶片针状缺陷的方法以及电容器的制造方法-CN200610025421.5有效
发明人：徐立;廖国彰;林新发;李先林 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-04-03 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种去除晶片针状缺陷的方法，所述针状缺陷在晶片基底沟槽蚀刻的过程中形成，包括：沉积掺杂硅化物，所述掺杂硅化物覆盖晶片以及沟槽的表面；涂覆光阻层；将晶片周边的光阻去除，露出针状缺陷；第一蚀刻步骤，去除针状缺陷；第二蚀刻步骤，将光阻层蚀刻至沟槽内一定深度，确定电容极板的位置。本发明不需要专门的去除针状缺陷的步骤，本发明通过在一个反应室内进行两次蚀刻阶段，使得去除针状缺陷的过程于定义电容极板位置的过程在一次蚀刻步骤中完成，将现有技术中两道的蚀刻工序整合为一道工序，并且可以达到相同的效果，节约成本，提高效率，保证成品率。
去除晶片针状缺陷方法以及电容器制造

[发明专利]一种改进深沟槽DRAM钨金属位线的CMP工艺窗的方法-CN200510026258.X有效
发明人： 廖国彰;姜海涛;仇圣棻;廖端泉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2005-05-27 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明采用新方法，通过在M0位线接触窗填充材料凹陷刻蚀阶段同时移除多晶硅层，解决了在深沟槽DRAM的内连线制作过程中，常规(M0)位线接触窗填充材料凹陷(ARC Recess)刻蚀，只考虑形成图案的形状，而在(M0)位线钨金属的化学机械研磨(CMP)之后随机产生多晶硅残留，影响钨金属研磨工艺窗的问题。
一种进深沟槽 dram 金属 cmp 工艺方法

[发明专利]在半导体制程中改善足部效应缺陷的方法-CN200310109108.6无效
发明人： 廖国彰;吴永皓;罗思齐;郭明升;王刚宁;席华萍;刘智敏 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2003-12-05 - 公布日： 2005-06-08 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明关于一种于半导体制程中，图形重制时可改善足部效应缺陷(Footing Defect)的方法，包括：首先，形成一氮氧化硅(SiON)层，并于氮氧化硅层表面上形成光阻层。在光阻显影(Develop)后，发现有些问题，需进行REWORK(重制/返工)。REWORK(重制/返工)时，先去除光阻(Photo－resistAshing)。接着，再以光刻胶去除剂(EKC Solvent)清理氮氧化硅层表面。之后，在氮氧化硅层表面上进行氧处理(OxygenTreatment)步骤。最后，返回PHOTO曝光。
半导体制程中改善足部效应缺陷方法

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