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[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法-CN202310187251.4在审
发明人：王兴涛;赵志国;陈传科;周养盈;秦校军;赵东明 -专利权人：华能新能源股份有限公司;中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10K30/30 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池技术领域，提供了一种钙钛矿太阳能电池，包括：基底；设置在所述基底表面的第一电荷传输层；设置在所述第一电荷传输层表面的隧穿层；设置在所述隧穿层表面的钙钛矿层；设置在所述钙钛矿层表面的第二电荷传输层；设置在所述第二传输层表面的电极。本发明利用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅作为隧穿层，一方面可以隔绝钙钛矿吸光层与第一电荷传输层的接触，既可以避免钙钛矿中的离子与传输层反应，钝化钙钛矿埋底缺陷，又可以避免传输层中产生的光生空穴氧化钙钛矿，提高器件稳定性；另一方面，利用氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅折射率的不同，可以有效减少太阳光的反射、增加光利用率，提高器件光电转化效率。
一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN200980101219.8无效
发明人：李大龙;郑智元;李贤镐 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2009-04-17 - 公布日： 2010-11-10 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：该太阳能电池包括半导体单元、电极、以及位于所述半导体单元和所述电极之间的钝化层。所述钝化层包括含有氧化硅(SiOx)的第一层、含有氮化硅(SiNx)的第二层、以及含有氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)的第三层。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]一种改善金属电容TDDB性能的方法-CN201711127709.8有效
发明人：梁肖;孙琪;段新一 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善金属电容TDDB性能的方法，所述方法包括：对所述上电极进行蚀刻并清洗，暴露出部分介质层；进行合金化工艺，修复暴露出的部分介质层；形成一氮氧化硅层，所述氮氧化硅层覆盖所述上电极和所述暴露出的部分介质层本发明在传统工艺的基础上，通过增加合金化工艺，能够修复plasma对介质层的损伤，提高电介质的抗击穿性，从而提高TDDB性能，增加芯片的使用时间。
一种改善金属电容 tddb 性能方法

[发明专利]一种晶硅电池多层钝化膜及其制造方法-CN201611087654.8在审
发明人：庞倩桃 -专利权人：庞倩桃
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶硅电池多层钝化膜及其制备方法；晶硅电池多层钝化膜，包括第一氧化硅膜、氮化硅膜、第二氧化硅膜以及氮氧化硅膜；氮化硅膜沉积在第一氧化硅膜上；第二氧化硅膜沉积在氮化硅膜上，氮氧化硅膜沉积在第二氧化硅膜上；第一氧化硅膜厚度为5‑9nm，氮化硅膜厚度为60‑90nm，第二氧化硅膜的厚度为10‑20nm，氮氧化硅膜的厚度为15‑30nm。
一种电池多层钝化及其制造方法

[发明专利]可集成高密度氮氧化硅材料的制备方法及其产品和应用-CN201711168680.8有效
发明人：张杨波;王志宽;黄磊 -专利权人：中电科技集团重庆声光电有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种可集成高密度氮氧化硅材料的制备方法及其产品和应用，该方法通过先在有源区硅衬底上注入氮离子，然后进行高温氧化制备氮氧化硅，制得的氮氧化硅介质所形成的MOS电容，击穿电压大于80V、电容密度大于
集成高密度氧化材料制备方法及其产品应用

[发明专利]一种氧化亚硅/氮氧化硅复合材料及其制备和应用-CN202111087983.3在审
发明人：张亚光;周向阳;杨娟;唐晶晶 -专利权人：中南大学;湖南宸星新材料研究院有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明属于锂二次电池负极材料技术领域，具体公开了一种氧化亚硅/氮氧化硅复合材料，其在氧化亚硅表面包覆一层致密的非晶氮氧化硅层；此外，本发明还提供了所述的复合材料的制备方法和应用。
一种氧化复合材料及其制备应用

[发明专利]无有机沉积相3D打印氮氧化硅墨水的制备方法及其应用-CN201910202328.4有效
发明人：杨治华;金海泽;贾德昌;钟晶;蔡德龙;李海亮 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： C04B35/597 文献下载
摘要：无有机沉积相3D打印氮氧化硅墨水的制备方法及其应用，涉及一种3D打印氮氧化硅墨水的制备方法及其应用。制备：将氮化硅、二氧化硅和烧结助剂混合，球磨、干燥和筛选得到混合粉体，然后加入四乙二醇二甲醚和正己醇，机械搅拌，即完成。上述无有机沉积相3D打印氮氧化硅墨水在3D打印制备陶瓷构件中的应用。本发明无有机沉积相3D打印氮氧化硅墨水中的四二乙醇二甲醚和正己醇仅需通过养护和干燥便能去除，不需要排胶处理，避免了陶瓷坯体排胶后坯体内部缺陷的产生。本发明适用于制备3D打印氮氧化硅墨水和应用。
有机沉积相打印氧化墨水制备方法及其应用

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201310190200.3在审
发明人：禹国宾 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-05-21 - 公布日： 2014-12-03 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：该方法包括：步骤S101：在半导体衬底上形成覆盖I/O区和核心区的I/O区界面层，其中，I/O区界面层包括二氧化硅层和位于其上的氮氧化硅层；步骤S102：在I/O区界面层位于I/O区的部分的上方形成图形化的光刻胶；步骤S103：以图形化的光刻胶为掩膜，利用第一刻蚀液刻蚀去除I/O区界面层的氮氧化硅层位于核心区的部分；步骤S104：以图形化的光刻胶为掩膜，利用第二刻蚀液刻蚀去除I/O区界面层的二氧化硅层位于核心区的部分该方法通过利用第一刻蚀液和第二刻蚀液分两步刻蚀而有针对性地分别去除氮氧化硅层和二氧化硅层，可以在较短时间内彻底去除I/O区界面层位于核心区的部分，提高了生产效率。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]一种提高双面PERC背面效率的背膜结构及其制备方法和应用-CN202011079435.1在审
发明人：曹芳;叶晓亚;周思洁;邹帅;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供一种提高双面PERC背面效率的背膜结构及其制备方法和应用，所述背膜结构包括位于电池片背面的氧化铝薄膜，在氧化铝薄膜上设有氮化硅薄膜，在氮化硅薄膜上设有氮氧化硅薄膜；其中氮化硅薄膜的折射率与氮氧化硅薄膜的折射率之积等于硅的折射率，氮化硅薄膜的光程与氮氧化硅薄膜的光程相等。
一种提高双面 perc 背面效率膜结构及其制备方法应用

[发明专利]组合物和使用该组合物沉积含硅膜的方法-CN202080052280.4在审
发明人： R·N·弗蒂斯;R·G·里德格韦 -专利权人：弗萨姆材料美国有限责任公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： C23C16/24 文献下载
摘要：组合物和使用该组合物的方法用于在具有表面特征的衬底的至少表面上形成含硅膜，例如但不限于碳化硅、氮氧化硅、碳掺杂氮化硅、碳掺杂氧化硅或碳掺杂氮氧化硅膜。含硅膜使用含有至少一个Si‑H键的烷基氢化硅烷化合物沉积。
组合使用沉积含硅膜方法

[发明专利]一种铝衬垫制备方法-CN201310625197.3有效
发明人：胡彬彬;韩晓刚;陈建维;张旭升 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-11-28 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种铝衬垫制备方法，通过使用AL/Ti双层膜形成铝衬垫以及使用氮氧化硅作为抗反射层，从而回避了现有技术中刻蚀氮化钛薄膜作为抗反射层时的难以刻蚀问题，又解决了使用氮氧化硅薄膜作为单铝层铝衬垫的抗反射层时造成的钝化层刻蚀中的铝表面损伤问题
一种衬垫制备方法

[发明专利]彩色太阳能电池用叠层膜及制备方法和彩色太阳能电池-CN202010894037.9有效
发明人：罗西佳;梅晓东;符黎明 -专利权人：常州时创能源股份有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种彩色太阳能电池用叠层膜及制备方法和彩色太阳能电池，所述叠层膜包括四层介质膜，自下而上依次为第一氮化硅膜、第一氮氧化硅膜、第二氮化硅膜和第二氮氧化硅膜；所述叠层膜的制备方法是将硅片送入PECVD炉管内，分层叠加沉积介质膜；所述彩色太阳能电池包括上述叠层膜。本发明的叠层膜中各层的成分和厚度易于控制，纵向成分均匀，重复性好；具有良好的减反和钝化双重效果；制备方法简单，成膜时间短，降低了生产成本，适用于彩色太阳能电池。
彩色太阳能电池用叠层膜制备方法

[实用新型]一种提升硅基太阳电池转换效率的新型减反射层结构-CN202222463569.4有效
发明人：张志坤;贺龙兵;彭春林;邓朋 -专利权人：天合光能（宿迁）光电有限公司
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种提升硅基太阳电池转换效率的新型减反射层结构，涉及太阳能电池技术领域，包括金属边框，所述金属边框的内侧设置有太阳能片，所述太阳能片的两侧固定连接有EVA封装板，所述EVA封装板的顶部固定连接有钢化玻璃板本实用新型通过铝背场、背面电极、硅基衬底、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅、正面电极之间的相互配合，通过氮化硅、氮氧化硅、氧化硅的叠层结构，相比目前使用的减反膜，具有更好的折射率梯度结构，在高折射率的底层保证电池可靠性的同时，叠层膜整体折射率梯度更均匀，能有效增加光吸收，提升短路电流，有效提升电池转换效率。
一种提升太阳电池转换效率新型反射层结构

[发明专利]一种太阳能电池增透膜-CN201710500023.2在审
发明人：过春明 -专利权人：过春明
申请日： 2017-06-27 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池增透膜，所述增透膜包括在太阳能电池的硅片表面依次连接的氮氧化硅膜层、氮化硅膜层、二氧化钛膜层以及二氧化硅膜层，其中所述二氧化硅膜层为二氧化硅干凝胶。
一种太阳能电池增透膜

[发明专利]一种高抗氧化性隔热玻璃及其制造工艺-CN201710421667.2在审
发明人：李唯宏 -专利权人：鹤山市嘉米基光电科技有限公司
申请日： 2017-06-07 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明涉及功能玻璃技术领域，公开一种高抗氧化性隔热玻璃，该隔热玻璃包括基底和依次设置在基底表面上的第一介质层氮氧化硅、第一强化层氧化铝锆、红外阻隔介质层Nb‑TNO2、第二强化层氧化铝锆、第二介质层氮氧化硅本发明仅通过镀膜技术，从材料与工艺膜层设计的角度，实现低辐射玻璃高抗氧化性的关键技术，使其更加稳定、耐用、性能优良，同时每层膜层均为氧化物，可以保证较强的抗氧化性，广泛应用于建筑幕墙、汽车工业、仪器仪表
一种氧化隔热玻璃及其制造工艺