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[发明专利]用于联接半导体基板的方法和系统-CN201580030409.0有效
发明人： R·E·玻恩弗洛恩德;J·H·达拉姆 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2015-04-03 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：可提供用于将半导体装置联接在一起的系统和方法。一个或多个半导体装置可提供有以回蚀工艺形成的凸块触点阵列。凸块触点可以是铟凸块。铟凸块可通过在装置基板的表面上沉积铟的薄片，在铟层上方沉积并图案化光阻层，以及使用图案化的光阻层选择性蚀刻铟层到基板的表面来形成。基板可以是红外检测器基板。红外检测器基板可使用凸块联接到读出集成电路基板。
用于联接半导体方法系统

[其他]微测辐射热仪及红外摄像机和成像装置-CN201590000839.3有效
发明人： R·F·卡纳塔;K·彼得斯;P·富兰克林;J·L·戴尔;T·马克斯;C·肖特;R·萨拉费安;R·E·玻恩弗洛恩德;S·科塔里 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2015-06-03 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： G01J5/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种微测辐射热仪及红外摄像机和成像装置。该微测辐射热仪包括桥，该桥包括：温度敏感电阻层；在温度敏感电阻层上方和下方的一层或多层吸收介电层；与温度敏感电阻层电隔离的并且在吸收介电层上方和/或下方的一层或多层金属层；以及置于所述一层或多层金属层上的介电层，其中所述金属层的每一层在所述介电层和所述吸收介电层的一层之间。该红外摄像机包括：包括微测辐射热仪的焦平面阵列和读出集成电路。该成像装置包括微测辐射热仪阵列和读出集成电路。
介电层辐射热仪温度敏感电阻红外摄像机成像装置多层金属层读出集成电路吸收本实用新型焦平面阵列电隔离辐射热金属层多层

[其他]沉积系统-CN201390001122.1有效
发明人： T·马克斯;R·E·玻恩弗洛恩德;Y·佩特雷蒂斯;J·黛尔 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： C23C14/00 文献下载
摘要：披露了一种沉积系统，该沉积系统包括用于沉积工艺的处理室；处理室内的阴极，其构形成在靶附近引入溅射气体和反应气体；基底保持器，其与处理室内的阴极相对地布置，构形成固定基底以接收来自靶的沉积；和控制系统，其构形成在沉积工艺过程中监视靶电压并控制反应气体的流量以将靶电压维持在所需范围内。
沉积系统

[实用新型]半导体设备、红外探测器、摄像机、电子设备和系统-CN201520382161.1有效
发明人： T·K·C·麦肯齐;R·E·玻恩弗洛恩德;D·伦纳德;G·A·卡尔森 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体设备、红外探测器、摄像机、电子设备和系统。提供用于产生减小高度的电路封装诸如红外探测器封装的方法和系统。对齐和切割系统可包括经由晶片组件的盖晶片捕获晶片组件的对齐标记的图像的红外摄像机、经由盖晶片照亮对齐标记的光源、和基于使用红外摄像机捕获的红外图像切割晶片组件的切割设备。通过经由红外摄像机的光学器件向晶片组件提供光，诸如红外光，光源可经由盖晶片照亮对齐标记。红外摄像机可经由盖晶片捕获对齐标记的图像，该对齐标记的图像形成在晶片组件的探测器晶片上的，或形成在盖晶片的内部或下表面上。基于捕获的图像切割设备可对齐晶片组件。
半导体设备红外探测器摄像机电子设备系统

[其他]双波段焦平面阵列-CN201190001034.2有效
发明人： R·E·玻恩弗洛恩德 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：在一种实施方式中，双波段焦平面阵列包括读出集成电路，多个光电聚合物像素（218a，218b），用于吸收可见光和/或短波红外辐射，每个光电聚合物像素电耦接至读出集成电路，以及多个微辐射热测定仪（302），用于检测长波红外辐射，每个微辐射热测定仪经由布置在相邻微辐射热测定仪之间的和相邻光电聚合物像素之间的接触腿（224a，224b，224c）电耦接至读出集成电路。
波段平面阵列

[其他]微测辐射热计及焦平面阵列-CN201290000696.2有效
发明人： R·F·卡纳塔;Y·佩特雷蒂斯;P·富兰克林;R·西梅斯;R·E·玻恩弗洛恩德 -专利权人：菲力尔系统公司
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2014-08-13 - 主分类号： G01J5/20 文献下载
摘要：本文公开了微测辐射热计及焦平面阵列。微测辐射热计包括底部多层电介质（510），其具有第一氮氧化硅层（514）和位于第一氮氧化硅层（514）之上的第二氮氧化硅层（516），第一（514）和第二（516）氮氧化硅层具有不同的折射率。该微测辐射热计还包括位于底部多层电介质（510）之上的探测器层（520）和位于探测器层（520）之上的顶部电介质（530），其中该探测器层（520）由温敏电阻材料组成。
辐射热平面阵列