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[发明专利]有机发光显示器电极基板-CN200610098142.1有效
发明人：邱勇;刘嵩;高裕弟 -专利权人：昆山维信诺显示技术有限公司;清华大学
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示器电极基板，其包括基板本体、电极层、导线层及保护层；导线层及保护层之间还设有过渡层，所述过渡层为半导体化合物，保护层为氧化铝、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅中的一种或几种的叠层结构本发明利用半导体化合物与银、铜、铝金属或含银、铜、铝的合金、混合物等导线层材料贴敷性好，且与氧化铝、氧化硅、IZO、氮化硅、氮氧化硅等陶瓷材料之间也具有很强的黏着性的特性，使易被氧化的导线层及陶瓷材料保护层间存在着的附着性差的问题
有机发光显示器电极

[发明专利]用于等离子氮化栅极介电层的氮化后二阶段退火的方法-CN200680022981.3有效
发明人： C·S·奥利森 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-05-26 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明为一种形成氮氧化硅栅极介电层的方法，该方法包括：利用一等离子氮化制程而将氮并入一介电薄膜中以形成一氮氧化硅薄膜；氮氧化硅薄膜于一第一环境下进行退火，且第一环境包括一于一第一温度下而氧气具有一第一分压的惰性环境；氮氧化硅薄膜于一第二环境下进行退火，且第二环境包括于一第二温度下而氧气具有一第二分压，并且氧气的第二分压大于氧气的第一分压。
用于等离子氮化栅极介电层阶段退火方法

[发明专利]功率器件芯片及其制造方法-CN201811022178.0在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市诚朗科技有限公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开一种功率器件芯片及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底上表面生长有外延层，所述外延层内形成有沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁，所述侧壁包括靠近所述底部的第一子侧壁和与所述第一子侧壁连接的第二子侧壁；在所述第一子侧壁和所述底部的表面生长第一氧化硅层；在所述第二子侧壁的表面生长第一氮氧化硅层；在所述第一氧化硅层及所述第一氮氧化硅层的表面生长第二氮氧化硅层；在所述沟槽内形成多晶硅栅；在所述沟槽两侧的外延层内形成体区所述功率器件芯片通过设置复合结构的栅介质层，从而降低沟道漏电，提升器件的可靠性。
侧壁功率器件芯片氮氧化硅层表面生长外延层氧化硅层制造衬底上表面漏电侧壁连接侧壁相连多晶硅栅复合结构提升器件栅介质层形成体衬底沟道体区源区生长

[发明专利]一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构-CN201310282774.3无效
发明人：苗凤秀;福克斯·斯蒂芬;蔡永梅;汤安民;苗丽燕;刘丽芳;刘长明;杨金波;谢斌;谢旭;李仙德;陈康平;金浩 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
申请日： 2013-07-08 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型双层膜背面钝化太阳能电池结构，包括银电极、氮化硅介质膜、铝背场、硅衬底，在所述氮化硅介质膜上还设有一层氧化铝钝化膜和一层氮氧化硅钝化膜，并在所述氮化硅介质膜和氧化铝钝化膜及氮氧化硅钝化膜的背场上设有若干槽
一种新型双层背面钝化太阳能电池结构

[发明专利]一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺-CN201410180862.7有效
发明人：华强;周耀辉 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于氮氧化硅抗反射层的化学机械平坦化工艺，包括：提供一半导体晶圆，所述半导体晶圆包括衬底、形成于衬底上的氧化层、形成于所述氧化层上的氮化硅层、形成于所述氮化硅层上的抗反射层、贯穿所述抗反射层并延伸入所述衬底中的沟槽、以及填充于所述沟槽内并覆盖于所述抗反射层上的第一二氧化硅层；研磨所述第一二氧化硅层直至所述抗反射层；干法刻蚀去除所述抗反射层；在去除所述抗反射层的半导体晶圆表面形成第二二氧化硅层；研磨所述第二二氧化硅层直至所述氮化硅层；去除所述氮化硅层。本发明工艺简单，采用氮氧化硅作为抗反射层，CD管控相对简单。
一种基于氧化反射层化学机械平坦化工

[发明专利]一种具有低操作电压的BE-SONOS结构器件及形成方法-CN201210158901.4有效
发明人：田志 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供一种具有低操作电压的BE-SONOS结构器件，硅衬底上设有多层结构的栅极，所述栅极从下至上包括：氧化硅层（31）、渐变氮化硅层（32）、氮氧化硅层（33）、氮化硅层（34）、阻挡氧化层（35）和控制栅（36），所述氧化硅层与硅衬底相接触。
一种具有操作电压 be sonos 结构器件形成方法

[发明专利]一种VDMOS晶体管及其制备方法-CN201210545681.0有效
发明人：郑学仁 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2012-12-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种VDMOS晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅极结构包括：位于外延层漂移区上方的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上方的半绝缘多晶硅层，位于沟道区上方的氮氧化硅层，覆盖半绝缘多晶硅层和氮氧化硅层的多晶硅层；在制备方法中引入热氮化氮氧化硅层，代替传统二氧化硅层作为沟道上栅介质层，在外延层漂移区上方的氧化层之上，增加一层半绝缘多晶硅层，本发明能够明显降低栅-漏电容和达到克服因长期工作温升引起的栅绝缘层绝缘性能变差、栅极漏电流变大、VDMOS性能蜕化的可靠性问题的效果。
一种 vdmos 晶体管及其制备方法

[发明专利]栅极侧墙的工艺方法-CN201711163456.X在审
发明人：郭振强 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2017-11-21 - 公布日： 2018-05-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种栅极侧墙的工艺方法，包含步骤一，在硅衬底上形成一层多晶硅，然后再形成一层氮氧化硅；步骤二，利用栅极层次的光罩形成光刻胶图形；然后对氮氧化硅及多晶硅进行刻蚀，形成晶体管的栅极；形成栅极二氧化硅保护层；步骤三，沉积氮化硅和二氧化硅；并对硅片进行普遍刻蚀，从而形成栅极侧墙；再刻蚀掉栅极顶部的氮氧化硅；步骤四，进行源漏区注入及形成钴硅合金；形成刻蚀阻挡层和接触孔介质层，进行化学机械研磨；进行接触孔刻蚀。
栅极工艺方法

[发明专利]一种TOPCon电池正面减反射膜结构及其制备方法-CN202310098350.5在审
发明人：刘新玉;李倩;李志彬 -专利权人：英利能源发展（保定）有限公司;英利能源发展有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述正面减反射膜包括依次沉积在氧化铝层表面上的氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层；其中，所述氮化硅层由2个以上的氮化硅子层沉积而成，且各氮化硅子层的折射率自靠近所述氧化铝层的一侧向远离所述氧化铝层的方向依次递减通过氧化硅和氮化硅的配合使用，同时兼顾了场钝化和化学钝化，提高了钝化效果；氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层的设计保证了正面减反射膜的减反射效果，进一步提高了电池的光电转换效率。
一种 topcon 电池正面减反射膜结构及其制备方法

[实用新型]一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃-CN201720672577.6有效
发明人：张山山;陈贵云;邱宏;罗雨潇;刘宇;沈晓晨;郁佳笛 -专利权人：中建材光电装备（太仓）有限公司
申请日： 2017-06-10 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： C03C17/36 文献下载
摘要：一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基底以及玻璃基底上的膜层；其特征在于所述膜层从玻璃基底起依次由第一氮氧化硅介质层、第一氮化硅介质层、第一镍铬保护层、银层、第二镍铬保护层、第二氮化硅介质层、第二氮氧化硅介质层以及第一氧化硅介质层构成本实用新型耐候性优良单银低辐射玻璃的膜层结构中每一层所用均为常规材料，取材便捷，产品制备过程与以往相同，具有特别良好的耐候性能。
一种耐候性优良单银低辐射镀膜玻璃

[发明专利]PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池-CN202110780056.3在审
发明人：林纲正;方结彬;杨苏平;陈刚 -专利权人：广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C23C16/50 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种PERC电池的背面膜层的制作方法和PERC电池。PERC电池的背面膜层的制作方法包括：在待沉积背面膜层的电池基片上沉积氧化铝层，氧化铝层的厚度小于5nm；在沉积了氧化铝层的电池基片上沉积氮氧化硅层；在沉积了氮氧化硅层的电池基片上沉积氮化硅层和氧化硅层
perc 电池面膜制作方法

[发明专利]单镶嵌结构与双镶嵌结构及其开口的形成方法-CN200610103095.5有效
发明人：刘名馨;余佳勋 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2006-07-10 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：然后，于基底上依序形成一阻障层、一介电层、一金属硬掩模层、一氮氧化硅层、一底部抗反射层以及一图案化光致抗蚀剂层。接着，直接移除未被图案化光致抗蚀剂层覆盖住的底部抗反射层、氮氧化硅层以及金属硬掩模层，直至暴露出部分介电层的表面。之后，移除图案化光致抗蚀剂层以及底部抗反射层。然后，以氮氧化硅层以及金属硬掩模为掩模，移除部分的介电层与部分的阻障层，以形成暴露出导线的表面的一镶嵌开口。
镶嵌结构及其开口形成方法

[发明专利]层叠膜的形成方法及其形成装置-CN201310432378.4在审
发明人：大部智行;黑川昌毅;入宇田启树 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及层叠膜的形成方法及其形成装置，该层叠膜的形成方法包括如下工序：在容纳于反应室内的多片被处理体上形成氧化硅膜的氧化硅膜形成工序、和向前述反应室内供给硅源、氮化剂和氧化剂、在前述多片被处理体上形成氮氧化硅膜的氮氧化硅膜形成工序；该方法具备如下步骤：重复前述氧化硅膜形成工序以及前述氮氧化硅膜形成工序，在前述多片被处理体上形成前述氧化硅膜和前述氮氧化硅膜的层叠膜。
层叠形成方法及其装置

[发明专利]一种晶硅太阳能电池PECVD低反射率膜优化工艺-CN202011225157.6在审
发明人：王震;宋文祥;胡亚洲;王超 -专利权人：江苏润阳悦达光伏科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种晶硅太阳能电池PECVD低反射率膜优化工艺，在晶体硅片的受光面上生成氮化硅膜，然后在所述氮化硅膜上生成氮氧化硅膜，在所述氮氧化硅膜生成氧化硅膜；所述氮化硅膜、所述氮氧化硅膜和所述氧化硅膜采用PECVD方式沉积形成；所述氮氧化硅膜、所述氧化硅膜用于降低晶硅太阳能电池的反射率，且所述反射率下降60‑65％。本发明的晶硅太阳能电池PECVD低反射率膜优化工艺，该工艺简单，首先在晶体硅片的受光面上沉积形成氮化硅膜，然后通过在氮化硅膜后继续沉积形成氮氧化硅膜和氧化硅膜，既有底层氮化硅膜保证其正面钝化效果，又有表层氮氧化硅膜与氧化硅膜来降低反射率
一种太阳能电池 pecvd 反射率优化工艺

[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法-CN201310454876.9无效
发明人：周明杰;钟铁涛;王平;张振华 -专利权人：海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2015-04-15 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极层和封装层，所述封装层包括至少一个封装单元，所述封装单元包括依次叠层设置的氮氧化硅阻挡层、第一无机阻挡层和第二无机阻挡层，所述氮氧化硅阻挡层的材质为氮氧化硅化合物，所述第一无机阻挡层的材质为ⅢA族金属的氧化物，所述第二无机阻挡层的材质为ⅣB族金属的氧化物。该有机电致发光器件采用多层材料层交替封装，致密性高，可有效地减少氧和水汽对有机电致发光器件的侵蚀，从而显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
一种有机电致发光器件及其制备方法

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