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[发明专利]避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法-CN202110751841.6有效
发明人：杨苏平;陈刚;吴疆;林纲正 -专利权人：广东爱旭科技有限公司;浙江爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种避开氧化铝钝化的PERC电池和电池钝化层的制作方法。避开氧化铝钝化的PERC电池，包括依次层叠设置的：电池基片、氧化硅膜、第一氮氧化硅膜、第二氮氧化硅膜、第一氮化硅膜、第二氮化硅膜和第三氮化硅膜。如此，通过依次层叠设置的1层氧化硅膜、2层氮氧化硅膜和3层氮化硅膜，可以避开氧化铝钝化，使得PERC电池的钝化效果和抗潜在电势诱导衰减(Potential Induced Degradation，PID
避开氧化铝钝化 perc 电池制作方法

[发明专利]氮氧化硅薄膜的制造方法-CN202211187657.4在审
发明人：考可辰;谢威;张立 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮氧化硅薄膜的制造方法，包括：步骤一、在半导体衬底上生长二氧化硅层。步骤二、将半导体衬底的第一温度设置为15℃以下的低温。步骤三、通过射频电场对氮气作用产生的氮等离子体，氮等离子体中的氮离子在射频电场的作用下通过扩散运动注入到二氧化硅层中形成氮氧化硅薄膜。氮离子的注入会在二氧化硅层中形成一层由于撞击形成的无序结构层，注入到氮氧化硅薄膜中的氮离子都约束在无序结构层中以防止形成界面缺陷。本发明能防止氮扩散到氮氧化硅薄膜和底部的半导体衬底之间的界面处，从而能减少界面缺陷，提高产品的可靠性。
氧化薄膜制造方法

[发明专利]一种功率器件芯片及其制造方法-CN201810877859.9有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：北京中兆龙芯软件科技有限公司
申请日： 2018-08-03 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开一种功率器件芯片的制造方法，至少包括如下步骤：提供衬底，并在衬底的上表面依次形成外延层和第一氮氧化硅层；使用氩气离子轰击第一氮氧化硅层表面，形成氩离子富集层；刻蚀掉部分氩离子富集层，并在氩离子富集层上制作第一多晶硅层；高温氧化将第一多晶硅层氧化为氧化硅层，在氧化硅层上制作第二氮氧化硅层；在第二氮氧化硅层上制作第二多晶硅层；在外延层内部形成体区和源区，在形成有体区和源区的外延层上形成介质层、接触孔和第一金属层，在衬底下表面形成第二金属层
一种功率器件芯片及其制造方法

[发明专利]一种平面波导器件的生产工艺-CN201811515362.9在审
发明人：袁晓君;徐彦平;廖鹏;耿凯鸽 -专利权人：科新网通科技有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G02B6/132 文献下载
摘要：本发明公开了一种平面波导器件的生产工艺，包括以下步骤：以硅片为基体，在硅片的上表面和下表面同时长一层高温二氧化硅膜；然后通过CVD沉积法在位于下层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜，再在位于上层的二氧化硅表面沉积一层TEOS膜；进行退火处理；在位于上层的TEOS膜的表面沉积一层氮氧化硅膜；然后进行退火；在氮氧化硅膜的表面再次沉积一层氮氧化硅膜作为波导芯层；在波导芯层的表面沉积一层TEOS膜，再在TEOS膜的表面沉积一层二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上沉积一层TEOS膜，再退火，即可。本发明的有益效果为：本发明所述生产工艺，以氮氧化硅为材料制备出一种具有较高折射率且折射率均匀性好的平面波导器件。
沉积平面波导器件氮氧化硅膜表面沉积生产工艺二氧化硅表面退火二氧化硅膜波导芯层硅片上层高温二氧化硅膜材料制备氮氧化硅高折射率均匀性好退火处理沉积法上表面下表面折射率下层

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN200810096687.8无效
发明人：渡边浩志;松下大介;村冈浩一;中崎靖;加藤弘一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2008-01-24 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：该半导体存储装置包括：半导体衬底(2)；在半导体衬底上形成的第一绝缘膜(6)，该第一绝缘膜包括具有第一氮氧化硅层(8b)、氮化硅层(8a)以及第二氮氧化硅层(8c)的叠层结构的氮氧化硅膜(8)、以及形成在所述氮氧化硅膜上的富硅氧化硅膜(10)；形成在第一绝缘膜上的电荷蓄积层(12)；形成在电荷蓄积层上的第二绝缘膜(14)；和形成在第二绝缘膜上的控制栅极(16)。
半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]消影增透透明导电薄膜-CN201510255236.4有效
发明人：孟政;刘静;汪洪 -专利权人：蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建筑材料科学研究总院
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开消影增透透明导电薄膜，包括基板，基板的顶面依次往上设有上氮氧化硅膜层与上SiO2膜层，上氮氧化硅膜层与上SiO2膜层构成一组上复合膜层，基板顶面至少设置一组上复合膜层；基板的底面依次往下设有下氮氧化硅膜层与下SiO2膜层，下氮氧化硅膜层与下SiO2膜层构成一组下复合膜层，基板底面至少设置一组下复合膜层；上复合膜层和/或下复合膜层的外膜面设有ITO层；所述氮氧化硅的分子式为SiNxOy，其中x、y分别为氮、氧的摩尔数，1≤x≤4/3,0≤y≤1/3,x/y≥3；氮氧化硅膜层与SiO2膜层通过光学干涉相消原理使得ITO层受蚀刻与未受蚀刻区域在D65光源条件下色值相近，且均呈中性，降低膜层厚度对膜系颜色变化的影响，使得消影效果更容易控制
消影增透透明导电薄膜

[发明专利]SONOS器件及其制造方法-CN201010027280.7有效
发明人：陈华伦;熊涛;陈瑜;陈雄斌;罗啸 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-18 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS器件，其源漏镜像对称，栅极包括一氮氧化硅浮栅和一多晶硅控制栅，氮氧化硅浮栅在沟道方向分为互相隔离且在隔离氧化层两侧呈镜像对称的氮氧化硅浮栅一和氮氧化硅浮栅二。氮氧化硅浮栅一和二在沟道方向的宽度通过侧墙工艺来定义，隔离氧化层的宽度通过侧墙的间距来定义。本发明还公开了所述SONOS器件的制造方法。
sonos 器件及其制造方法

[发明专利]晶体管、阵列基板及其制造方法、液晶面板和显示装置-CN201210185116.8有效
发明人：谢振宇;张文余;徐少颖;李田生;阎长江 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种晶体管、阵列基板及其制造方法、液晶面板和显示装置，所述晶体管为氧化物薄膜晶体管，其中包括氧化物半导体层（4）和栅绝缘层（3），其特征在于，所述栅绝缘层（3）包括有氮氧化硅材质的氮氧化硅层（9），该氮氧化硅层（9）贴靠于所述氧化物半导体层（4）。本发明能够有效地改善氧化物薄膜晶体管的特性。
晶体管阵列及其制造方法液晶面板显示装置

[发明专利]一种高分子材料镀膜工艺-CN202111194214.3在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：深圳市恒鼎新材料有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：一种高分子材料镀膜工艺，包括镀氮氧化硅膜层步骤，在待加工件表面镀氮氧化硅膜层作为后续镀膜层的打底层，镀氮氧化硅膜层步骤包括如下子步骤：A1、向镀膜腔室中通入氩气和氮气的混合气体，氩气：氮气为1:8‑3:1；A2、调整真空度为0.1‑1.33Pa；A3、打开硅靶电源对待加工件进行镀膜，镀膜的膜层厚度为2nm‑200nm，此膜层作为氮氧化硅膜层与待加工件高分子材料层的界面结合层。本发明用氮氧化硅膜层作为打底层，不会偏黄，膜层小于20nm则几乎无任何色相，不会改变待加工件的颜色，膜层厚度大于20nm，则打底层本身就可以作为光学膜系设计中的高折射率膜层。
一种高分子材料镀膜工艺

[发明专利]一种可提升单面PERC电池转换效率的背膜制备方法-CN202010274186.5在审
发明人：胡茂界;丁晨;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：它包括制备氧化铝膜、背面制备氧化硅膜、背面制备氮氧化硅膜、背面制备双层氮化硅膜。现有生产工艺得到的硅片背膜结构一般只有氧化铝层和氮化硅层，本发明提供的方法使背膜增加了高致密性氮氧化硅膜和氧化硅膜层。高折射率的氮氧化硅膜可以很好的增加电池背面对长波段太阳光的反射，使长波光再次进入硅片体内，增加长波光的吸收，从而提升电池开压和电流最终实现转换效率的提升，同时背面增加的高折射率氮氧化硅膜和氧化硅膜可以很好的阻挡水汽
一种提升单面 perc 电池转换效率制备方法

[发明专利]一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法-CN201410747763.2在审
发明人：张一波;金重玄 -专利权人：杭州大和热磁电子有限公司
申请日： 2014-12-09 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有三层减反射膜的晶体硅太阳能电池及其制备方法，减反射膜为三层结构，包括内层的氮氧化硅薄膜，中间层的氮化硅薄膜和外层的氮氧化硅薄膜，本发明的减反射膜采用氮氧化硅薄膜和氮化硅薄膜相结合的三层结构，可以充分利用氮氧化硅薄膜较低的折射率、较好的热稳定性以及氮化硅薄膜优良的机械性能、抗金属离子侵蚀特性，增强了硅片表面对紫外短波部分的吸收率，提高硅片的光电转化效率，而且可以明显改善电池片抗PID效应的能力
一种具有三层减反射膜晶体太阳能电池及其制备方法

[发明专利]半导体器件-CN202310107387.X在审
发明人：张有志;陈泽勇;黄灿阳;陈运波 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2023-02-09 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件，包括集成衬底，集成衬底上设有浅隔离层，浅隔离层将集成衬底划分为若干个N+衬底或P+衬底，在集成衬底上且对称于浅隔离层设有多晶硅栅，多晶硅栅与集成衬底间设有栅极氧化物，在集成衬底内且位于多晶硅栅的侧边对称设有源/漏区，集成衬底上设有用于组成接触孔蚀刻阻挡层的介电层，介电层包括氮化硅层和氮氧化硅层，氮化硅层和氮氧化硅层覆盖多晶硅栅、浅隔离层及源/漏区，其中，氮化硅层位于氮氧化硅层面向集成衬底的一侧并用于隔离多晶硅栅与氮氧化硅层
半导体器件

[发明专利]一种基于ALD的太阳能电池片背面笑气镀膜方法-CN202111680213.X在审
发明人：孟战胜;张怀龙;陈摇 -专利权人：江苏华恒新能源有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明揭示了一种基于ALD的太阳能电池片背面笑气镀膜方法，包括以下步骤：S01，对硅片的正面和背面均进行镀膜前的预处理；S02，对硅片正面镀第一氮化硅层，待第一氮化硅层固定后，再对硅片正面镀第二氮化硅层；S03，使用管式镀膜机台对硅片背面镀氧化铝膜层，所述氧化铝膜层的厚度为2‑12nm；S04，使用管式镀膜机台对硅片背面镀氮氧化硅层，所述氮氧化硅层的厚度为5‑20nm；S05，对S04中的硅片作退火处理本发明使用氧化铝膜层+氮氧化硅层+氧化硅层+氮化硅层的PERC方式，利用氮氧化硅中含有大量的氢元素的特质，使其具有良好的化学钝化效果，同时还添加了氧化硅层，增加了介质膜层的热稳定性，进而提升了开路电压，
一种基于 ald 太阳能电池背面笑气镀膜方法

[发明专利]制作栅极介电层的方法-CN01125073.9有效
发明人：骆统;林经祥;黄耀林 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2001-08-06 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：一种以单一晶片工序制作栅极介电层的方法，所述方法包括分别在一单晶片反应室及一单晶片快速加热反应室进行的两步骤：首先，置放一单一硅晶片于单晶片反应室中，并进行氮化步骤以形成含氮氧化硅层于硅晶片的表面上。然后，置放硅晶片于单晶片快速加热工序反应室中，并进行随同蒸气产生氧化的工序，将此含氮氧化硅层氧化成具氮氧化硅底层的氧化硅层，以供做栅极介电层。
制作栅极介电层方法

[实用新型]一种包装阻隔膜-CN201920796401.0有效
发明人：胡文玮 -专利权人：汕头万顺新材集团股份有限公司
申请日： 2019-05-29 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本实用新型提供一种包装阻隔膜，包括基膜，于基膜上设置阻隔层，阻隔层由下而上依次为金属氧化物层、金属氧化物‑氧化硅渐变层、氧化硅层；或阻隔层由下而上依次为金属氮氧化物层、金属氮氧化物‑氮氧化硅渐变层、氮氧化硅层
一种包装阻隔