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[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201910068469.1在审
发明人：李述洲;李豪;高良;万欣 -专利权人：重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司;浙江清华长三角研究院
申请日： 2019-01-24 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件及其制造方法，先在硅衬底表面用高温过程形成体区、源区，并在栅氧化层形成前先在硅衬底表面形成氮氧化硅层，形成氮氧化硅‑硅界面，能够减少氧化层缺陷、界面陷阱，降低器件在辐射条件下失效的几率
功率半导体器件硅衬底表面半导体器件氮氧化硅层氧化层缺陷总剂量效应氮氧化硅辐射条件高温过程降低器件界面陷阱栅氧化层硅界面抗辐射形成体源区制造

[发明专利]一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法-CN200410084654.3有效
发明人：吕煜坤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-11-26 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明有关一种图像感应器的接触孔的刻蚀方法，首先进行防反层的刻蚀；接着，进行氧化膜的主刻蚀，且追加过刻蚀，保持高的氧化膜对氮氧化硅的刻蚀速率选择比，使三种接触孔均停留在氮氧化硅形成的阻挡层上；然后，去除接触孔底部的反应生成物；再接着刻蚀氮氧化硅阻挡层及氮化硅层，使与栅极及源漏极连接的接触孔停止在金属硅化物层上，而与底部光电二极管相连接的接触孔停止在氧化膜层上；最后进一步刻蚀与光电二极管连接的接触孔下部的底部氧化膜层。
一种图像感应器接触刻蚀方法

[发明专利]一种MOS器件及其制作方法-CN201811556562.9在审
发明人：黄胜男;李赟;罗清威 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种MOS器件及其制作方法，该MOS器件包括：衬底、控制栅结构以及绝缘层，其中，控制栅结构形成在硅片衬底的表面，绝缘层形成在控制栅结构远离衬底的一侧表面，绝缘层至少包括氮氧化硅层，氮氧化硅层的消光系数大于本实施例提供的氮氧化硅层的等离子体的传导能力以及抵抗等离子体冲击的能力较强，因此，能够抵抗高密度等离子体的冲击，避免等离子体与接触多晶硅接触，进而保障了MOS管的可靠性。
氮氧化硅层控制栅结构衬底绝缘层等离子体高密度等离子体等离子体冲击多晶硅接触绝缘层形成抵抗消光系数硅片传导制作

[发明专利]红外MEMS桥梁柱结构及工艺方法-CN202010893737.6在审
发明人：刘善善;朱黎敏 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-31 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外MEMS桥梁柱结构及形成方法，所述结构采用多层薄膜复合结构，包括第一释放保护层、金属介质层以及第二释放保护层；所述第一释放保护层为氧化硅层；所述第二释放保护层为四层结构，从下至上依次为氮氧化硅与氧化硅的混合层、氧化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层；所述金属介质层包括三层结构，从下至上依次是Ti、TiN以及Ti层。本发明在淀积金属介质层时将薄膜层追加一层金属Ti层，在刻蚀DARC时，金属Ti层可以有效的阻挡刻蚀去胶时氧离子的轰击导致TiN层被氧化，后续湿法刻蚀更容易去除干净，防止残留。
红外 mems 桥梁结构工艺方法

[发明专利]一种太阳能电池多层减反射渐变膜及其制备工艺-CN201910588489.1在审
发明人：姜泽光;张欣;林纲正 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池多层减反射渐变膜及其制备方法，所述太阳能电池多层减反射渐变膜包括由下至上依次设置的第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、第一氮氧化硅薄膜、第二氮氧化硅薄膜和氧化硅薄膜，且各薄膜的折射率由下至上逐层降低本发明由下至上由两层氮化硅薄膜、两层氮氧化硅薄膜和一层氧化硅薄膜组成，各薄膜的折射率逐层降低，解决了现有氮化硅膜层之间折射率差距较大导致光学失配造成光损失的问题，使得太阳能电池正面整体反射率更低，增加光吸收，提高了太阳能电池的转换效率；而且本发明由于内层的氮化硅薄膜折射率较大，具有优异的钝化作用，进一步增强了太阳能电池的短波响应，同时提升了太阳能电池的抗PID性能。
太阳能电池氮化硅薄膜折射率氮氧化硅薄膜减反射渐变膜多层氧化硅薄膜两层薄膜氮化硅膜层整体反射率短波响应钝化作用依次设置制备工艺转换效率光损失光吸收内层失配制备

[实用新型]一种太阳能电池多层减反射渐变膜-CN201921020566.5有效
发明人：姜泽光;张欣;林纲正 -专利权人：天津爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池多层减反射渐变膜，包括由下至上依次设置的第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜、第一氮氧化硅薄膜、第二氮氧化硅薄膜和氧化硅薄膜，且各薄膜的折射率由下至上逐层降低。本实用新型由下至上由两层氮化硅薄膜、两层氮氧化硅薄膜和一层氧化硅薄膜组成，各薄膜的折射率逐层降低，解决了现有氮化硅膜层之间折射率差距较大导致光学失配造成光损失的问题，使得太阳能电池正面整体反射率更低，增加光吸收，提高了太阳能电池的转换效率；而且本实用新型由于内层的氮化硅薄膜折射率较大，具有优异的钝化作用，进一步增强了太阳能电池的短波响应，同时提升了太阳能电池的抗PID性能。
一种太阳能电池多层反射渐变

[发明专利]栅介质层的厚度的监控方法-CN202210024342.1有效
发明人：王胜林;张志敏 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅介质层的厚度的监控方法，提供至少五片晶圆；顺次在所述晶圆上形成氮氧化硅栅介质层，并将所述晶圆顺次移入一晶圆传送装置；移出所述晶圆传送装置，以最先移入所述晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，获取所述测试晶圆的氮氧化硅栅介质层的厚度，其中，所述测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟。本发明中，通过以最先移入晶圆传送装置的二至四片晶圆作为测试晶圆，并且该测试晶圆的测试等待时间大于或等于100分钟，使得测试晶圆上的氮氧化硅栅介质层的厚度均处于缓慢增长的阶段，减少测试晶圆上的氮氧化硅栅介质层的厚度受外界的影响，从而提高测量栅介质层的厚度的稳定性及准确性。
介质厚度监控方法

[发明专利]利用选择性外延提升SONOS闪存器件可靠性的方法-CN201010027215.4有效
发明人：杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用选择性外延提升SONOS闪存器件可靠性的方法，包括如下步骤：第一步，采用选择性外延工艺在硅衬底上生长外延掺杂层；第二步，在外延掺杂层上生长隧穿氧化层；第三步，在隧穿氧化层上生长氮氧化硅陷阱层，并同时用N2O对其进行原位掺杂，形成氮氧化硅混合物，作为存储电荷的介质；第四步，在氮氧化硅陷阱层上生长高温热氧化层。
利用选择性外延提升 sonos 闪存器件可靠性方法

[发明专利]红外MEMS桥梁柱结构及工艺方法-CN202010756178.4在审
发明人：刘善善 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外MEMS桥梁柱结构及形成方法，所述结构采用多层薄膜复合结构，包括第一释放保护层、金属介质层以及第二释放保护层；所述第一释放保护层为氧化硅层；所述第二释放保护层为四层结构，从下至上依次为氮氧化硅与氧化硅的混合层、氧化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层。
红外 mems 桥梁结构工艺方法

[发明专利]黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法-CN201611169899.5在审
发明人：吕学刚 -专利权人：深圳市华海技术有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明涉及黑白CMOS图像传感器及提高其感光度的制造方法，黑白CMOS图像传感器包括硅衬底、氧化层、光刻胶层、以及若干氮氧化硅单元。硅衬底上形成有感光有效区，氧化层位于硅衬底一侧，且上形成有与感光有效区对应的凹陷区，以避让感光有效区。光刻胶层覆盖在氧化层上，光刻胶层上形成有与感光有效区位置对应并向下凹陷的阱区，阱区与凹陷区对应连通，避让感光有效区。凹陷区、阱区内设置有氮氧化硅单元，氮氧化硅单元覆盖在感光有效区位置上，向阱区外凸起，且向外凸起的表面为弧面，可以让入射光入射后向下聚焦，在氮氧化硅单元内部向下全反射，在底端光线全部射出到感光有效区，避免入射光线对旁边像素进行串扰和入射光子的损失
黑白 cmos 图像传感器提高感光度制造方法

[实用新型]柔性透明导电薄膜和触控面板-CN201320251703.2有效
发明人：许生;张忠义;王学雷;梁锐生;王艳蕊 -专利权人：深圳市豪威薄膜技术有限公司
申请日： 2013-05-10 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本实用新型提供一种柔性透明导电薄膜和触控面板，该薄膜包括柔性基材和透明导电氧化物膜层，所述柔性基材具有相对的第一表面和第二表面，所述柔性基材的第一表面由内到外依次叠设有硅氧化物膜层、中间光学膜层、二氧化硅膜层，所述中间光学膜层为碳氧化硅层、氮氧化硅层或碳氮氧化硅层，所述透明导电氧化物膜层设于所述二氧化硅膜层上。该导电薄膜的各膜层附着力强、透过率高、制造简便、成本低，可广泛应用于触控显示屏中。
柔性透明导电薄膜面板

[发明专利]减反射膜及其制备方法和移动终端-CN202010585864.X在审
发明人：田彪;陈志斌;张世龙 -专利权人：深圳市万普拉斯科技有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：上述减反射膜的制备方法包括如下步骤：在基材上制备至少一个膜层单元，膜层单元包括依次层叠设置的二氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层；在靶材功率为第四稳定值，氧气流量为200sccm～400sccm的条件下，在氮氧化硅层沉积二氧化硅，制备外膜层，减反射膜包括至少一层膜层单元及外膜层。
减反射膜及其制备方法移动终端

[实用新型]一种太阳能电池及其背面膜层结构、电池组件及光伏系统-CN202121990022.9有效
发明人：王瑞;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其背面膜层结构、电池组件及光伏系统，该背面膜层结构包括在硅片背面依次沉积的氮氧化硅层及氮化硅层，所述氮化硅层由折射率从内到外逐渐降低的至少三层氮化硅膜组成通过采用氮氧化硅层替换氧化铝膜层，氮氧化硅层与硅之间形成优异的界面性质，能有效降低硅表面态密度，降低了对载流子的无辐射复合，从而有效提高了电池组件的抗电势诱导衰减的性能，延缓了电池组件的衰减，进一步延长了电池组件的使用寿命，本实用新型提供的太阳能电池的背面膜层结构，解决了现有氧化铝叠加氮化硅的膜层结构抗电势诱导衰减性能较低，缩短了电池组件使用寿命的问题。
一种太阳能电池及其面膜结构电池组件系统

[发明专利]一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺-CN202210641601.5在审
发明人：严立巍;文锺;符德荣;陈政勋 -专利权人：浙江同芯祺科技有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：所述一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺包括以下步骤：S1、对背面带有氧化硅的晶圆上，先进行离子植入，再采用化学气象沉积法形成一层氮化硅沉积层，然后再对晶圆进行蚀刻，使得氮化硅沉积层在氧化硅的两侧形成氮化硅侧壁本发明提供的一种用于晶圆侧壁开口的微缩工艺通过在接触孔中填充氮氧化硅层再蚀刻的方式，可以在氮化硅侧壁的内部形成一层氮氧化硅侧壁，对原本处于氮化硅侧壁内部的接触孔开口进行微缩，使得接触孔开口微缩在氮氧化硅侧壁的内部
一种用于侧壁开口微缩工艺

[发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202011073887.9在审
发明人：陶磊;冯永波;王厚有;刘西域 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-10-10 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底具有沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁上依次形成第一氧化硅层和氮掺杂氧化硅层；刻蚀去除部分所述氮掺杂氧化硅层，以暴露出位于所述沟槽的底部的所述第一氧化硅层；形成第二氧化硅层，所述第二氧化硅层覆盖位于所述沟槽侧壁上的所述氮掺杂氧化硅层的表面和暴露出的所述第一氧化硅层的表面，且填满所述沟槽。由于第二氧化硅在第一层氧化硅层上的生长速率大于在氮氧化硅层的生长速率，故沟槽底部第二氧化硅的生长速率大于所侧壁的氮氧化硅层，避免因位于沟槽侧壁的第二氧化硅层生长过快而导致过早封口产生空洞缺陷的现象。
半导体结构及其制作方法

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