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[发明专利]一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法-CN200680055457.6有效
发明人：李秋德 -专利权人：和舰科技（苏州）有限公司
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种用自对准氮化硅掩膜形成浅沟槽隔离的方法，包括进行衬垫氧化层(12)与氮化硅层(13)的刻蚀；在衬垫氧化层(12)与氮化硅层(13)的侧壁生成氧化物隔离层(14)，并进行浅隔离图案化氧化物隔离层(14)；在氧化物隔离层(14)空隙间注入自对准氮：通过表面快速热氮化形成自对准氮化硅硬掩膜(15)；剥离氧化物隔离层(14)；刻蚀被剥离的氧化物隔离层(14)下方的硅基片(11)；进行氧注入；进行快速热氧化，形成沟槽氧化物；去除晶片上的氮化硅(15)。本发明的方法不需要传统意义的浅沟槽隔离刻蚀，填充以及平坦化等工艺过程，利用自对准氮化硅掩膜就可以实现完全平坦化的隔离氧化物，因此操作简便，成本低。
一种对准氮化硅掩膜形成沟槽隔离方法

[发明专利]改善鳍式场效应管性能的方法-CN201610008943.8在审
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：一种改善鳍式场效应管性能的方法，包括提供衬底，衬底表面形成有分立的鳍部，衬底表面还形成有隔离层，隔离层覆盖鳍部部分侧壁表面，且隔离层顶部低于鳍部顶部；在隔离层表面形成横跨鳍部的栅极结构，栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和侧壁表面；形成覆盖所述鳍部顶部和侧壁表面、以及隔离层表面的非晶材料层；在非晶材料层表面形成氧化物掺杂层；对氧化物掺杂层进行退火处理，使掺杂离子扩散进入鳍部内，在栅极结构两侧的鳍部内形成掺杂区；去除氧化物掺杂层。在去除氧化物掺杂层的过程中，非晶材料层对隔离层起到保护作用，避免去除氧化物掺杂层的工艺对隔离层造成刻蚀损失，使得隔离层厚度保持不变，进而改善形成的鳍式场效应管的电学性能。
改善场效应性能方法

[发明专利]浮置栅极隔离件及其制造方法-CN201610956796.7在审
发明人：许世禄;谢炳邦;吕思贤;林玉珠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种半导体器件，包括衬底、隧穿氧化物层、浮置栅极、隔离层和控制栅极。隧穿氧化物层设置在衬底上。浮置栅极设置在隧穿氧化物层上。隔离层覆盖浮置栅极的顶部并且在周边包围隧穿氧化物层和浮置栅极。控制栅极设置在隔离层的顶部上方。本发明的实施例还涉及浮置栅极隔离件及其制造方法。
栅极隔离及其制造方法

[发明专利]浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构-CN202210171603.2在审
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种浅槽隔离结构制作方法及浅槽隔离结构。所述浅槽隔离结构制作方法包括：在硅衬底上生长氧化物隔离层，在所述氧化物隔离层上生长腐蚀阻挡层；对腐蚀阻挡层和氧化物隔离层进行刻蚀处理，形成至少两个相互独立的凹槽；在所述凹槽内进行硅填充，将硅填充凹槽作为硅衬底的外延结构；去除腐蚀阻挡层，以在氧化物隔离层中除外延结构之外的区域构成浅槽隔离区。本发明的浅槽隔离结构制作方法，与现有的浅槽隔离工艺相反，由于起到隔离作用的隔离浅槽不是直接刻蚀形成，不会存在尖锐角落，避免角落寄生漏电流的问题，且工艺简单、均匀性好，提高了浅槽隔离结构的隔离特性。
隔离结构制作方法

[发明专利]闪存工艺中接触孔阻挡层的制造方法-CN200610117519.3无效
发明人：龚新军;杨斌;李铭 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明公开了一种闪存工艺中接触孔阻挡层的制造方法，在完成硅化物工艺后，在晶圆表面用常压淀积的方法淀积作为隔离层的氧化物，然后淀积氮化层，接着淀积硼磷硅玻璃，将前述硼磷硅玻璃平坦化后，再淀积一层氧化物；作为隔离层的氧化物的厚度本发明由于在闪存的阻挡层与晶体管之间淀积了一层做为隔离层的氧化物，该氧化物能起到防止闪存中产生过大漏电流的作用。
闪存工艺接触阻挡制造方法

[发明专利]对超导线进行热处理的方法-CN95104686.1无效
发明人： S·休森;E·汤普森 -专利权人：美国超导体公司
申请日： 1995-04-28 - 公布日： 1996-01-17 - 主分类号： H01B12/00 文献下载
摘要：制造和处理氧化物超导线的方法，包括提供某种长度的氧化物超导线；给该线的外表面涂敷隔离层，该隔离层包含隔离材料和孔隙诱导组分；以螺旋方式将该披覆线卷绕到一卷盘上，以使每匝螺线沿垂直于绕组轴向的轴线与前匝螺线对齐；和加热处理该卷绕的氧化物超导线。
导线进行热处理方法

[发明专利]显示面板及其制备方法-CN202111588604.9在审
发明人：马倩;周星宇 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及其制备方法与移动终端，所述显示面板包括衬底、有源层、栅极绝缘层、栅极金属层、层间绝缘层、源漏极金属层；所述显示面板还包括隔离层，所述有源层包括设置于所述衬底上的多晶硅半导体子层和金属氧化物半导体子层，所述金属氧化物半导体子层包括金属氧化物有源段和金属氧化物导体段，所述隔离层设置于所述金属氧化物导体段上，且所述隔离层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述金属氧化物导体段在所述衬底上的正投影，一方面，所述显示面板膜层结构简单，降低了成产成本，减薄了显示面板的厚度，另一方面，所述隔离层的设置使得所述金属氧化物半导体子层的性质并不会因与多晶硅半导体子层设置于同一层而受到影响。
显示面板及其制备方法

[发明专利]使用深隔离的FinFET技术-CN201980017868.3在审
发明人： J·卡普;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：第一氧化物隔离层(112)设置在鳍(202)的第一侧上，而第二氧化物隔离层(114)设置在鳍(202)的第二侧上，其中第二侧与第一侧相对。第二氧化物隔离层(114)的厚度(284)大于第一氧化物隔离层(112)的厚度(280)。
使用隔离 finfet 技术

[发明专利]平板探测器的制备方法-CN202011576929.0有效
发明人：解海艇;金利波 -专利权人：上海奕瑞光电子科技股份有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种平板探测器的制备方法，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光电二极管成膜过程对氧化物有源层造成损伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测器质量及性能；且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；本发明通过在光电二极管成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可减小寄生电容对平板探测器的影响；本发明通过在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可避免光电二极管以及第二保护层的成膜过程对氧化物有源层的影响。
平板探测器制备方法

[发明专利]新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺-CN02126030.3无效
发明人：虞和元 -专利权人：虞和元
申请日： 2002-08-09 - 公布日： 2004-02-11 - 主分类号： H01L29/80 文献下载
摘要：该结构包含一个位于栅极下面可以有效减小结电容的氧化物层。在一个实施例中，栅极中的硅化物层用来减小栅极阻抗。该结构的一个特征是：由于氧化物隔离层被漂去，栅极可以薄到1000以下，可应用于高速开关。先在沟道边壁上形成一层氧化物隔离层，经过刻蚀，形成通向n型衬底的窗口。淀积多晶硅后，进行第二层氧化物隔离层和钛层的淀积。接着进行热处理，在栅极中形成钛硅合金，沟道氧化物层，以及栅极的p区。去除多余材料后，进行氧化物填充和再刻蚀。对于MESFET，其中的钛由铂代替，第二层隔离层做的薄些。然后使用金属接触。
新型金属半导体场效应晶体管 mesfet 器件及其制造工艺

[发明专利]一种固体氧化物电池隔离层及单电池和制备方法-CN202111358813.4在审
发明人：朱腾龙;程丽亚;吕秋秋;曲虹霞;韩敏芳;钟秦 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01M8/0202 文献下载
摘要：本发明公开了一种固体氧化物电池隔离层及单电池和制备方法。将固体氧化物电池电解质浸没于水溶液中，在一定温度下反应一定时间，形成隔离层，采用丝网印刷法在所述隔离层表面制备电极，然后共烧结形成单电池。本发明制备的隔离层可以有效抑制电极/电解质界面的化学反应和元素扩散，阻止电极与电解质的相互反应，而且该方法具有工艺流程简单、成本低、组成与厚度可控、容易规模化生产、可适用于多种构型固体氧化物电池等优点。
一种固体氧化物电池隔离制备方法

[发明专利]一种基于肖特基-MOS混合结构的光致负阻器件-CN201711295008.5有效
发明人：徐杨;李炜;郭宏伟;刘威;万霞;刘粒祥;吕建杭;李泠霏;阿亚兹;胡乐;刘晨;俞滨 -专利权人：浙江大学
申请日： 2017-12-08 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于肖特基‑MOS混合结构的光致负阻器件，包括半导体衬底，半导体衬底的上表面覆盖氧化物隔离层，氧化物隔离层的上表面覆盖环形顶电极；氧化物隔离层上开有圆形氧化层窗口；氧化层窗口的面积为顶电极所围面积的1/10～1/9；在氧化层窗口的内侧壁、半导体衬底暴露部分、顶电极的内侧壁和上表面、氧化物隔离层上表面覆盖石墨烯薄膜；本发明以石墨烯作为有源层和透明电极，石墨烯与半导体接触形成肖特基结，石墨烯覆盖在氧化物的上表面与半导体衬底形成
上表面半导体衬底氧化物隔离层混合结构石墨烯氧化层光致负阻器件顶电极内侧壁肖特基覆盖覆盖氧化物光控振荡器石墨烯薄膜发明器件光电开关透明电极肖特基结元件并联阻抗特性电极隔离层环形顶氧化物负阻源层光照电路暴露响应应用

[发明专利]高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺-CN201510207632.X有效
发明人：徐华;陈子凯;李洪濛;徐苗;邹建华;王磊;陶洪;彭俊彪 -专利权人：广州新视界光电科技有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成；最底层的载流子隔离层与栅极绝缘层接触，最底层的载流子隔离层之上为最底层的载流子传输层，上一层的载流子隔离层、载流子传输层依次叠设于下一层的载流子传输层；载流子隔离层和载流子传输层均为非晶金属氧化物薄膜；载流子隔离层的载流子迁移率为a，载流子传输层的载流子迁移率为b， b>a；每一个子有源层中，|E_a1|>|E氧化物薄膜晶体管同时具有高迁移率和高稳定性。
迁移率稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺

[发明专利]具有减少的位线到漏极选择栅极短路的存储器装置和系统及相关联的方法-CN201680066637.8在审
发明人： H.朱;J.赵;P.纳拉雅南;G.哈勒;D.法齐尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2018-07-17 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：304），其具有接触区（302）、接触区上的源极选择栅极（306、SGS）层和SGS层上的半导体层的层叠堆叠（308）；在半导体衬底的层叠堆叠上形成漏极选择栅极（312、SGD）层；在SGD层上形成氮化物隔离层（314）；在氮化物隔离层上形成氧化物隔离层（316）；从氧化物隔离层向半导体衬底的接触区中蚀刻柱沟槽；从接触区至少到氮化物隔离层中在柱沟槽中形成中心柱（318、320、322）；通过蚀刻氧化物隔离的在柱沟槽周围的侧壁来暴露氮化物隔离层的顶表面的一部分从而形成插头凹槽
氮化物隔离层接触区选择栅极衬底半导体氧化物隔离层插头凹槽电气接触插头堆叠漏极蚀刻存储器结构存储器装置蚀刻氧化物半导体层电气短路顶表面中心柱短路侧壁分层位线源极隔离关联阻挡抵抗暴露

[发明专利]集成电路以及形成用于晶体管栅电极的隔离层的方法-CN200510067824.1无效
发明人： M·P·别良斯基;J·C·刘;万幸仁;R·S·怀斯;阎红雯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2005-04-26 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种场效应晶体管，具有设置在源极与漏极之间的栅极、设置在栅极下方的栅极介质层和栅极侧壁上的隔离层。该栅极介质层为常规的氧化物，而隔离层具有减小的介电常数(k)。减小的介电常数(k)可以小于3.85，或可以小于7.0(～氮化物)而大于3.85(～氧化物)。优选，该隔离层包括相对于栅极介质层可以被选择性蚀刻的材料。该隔离层可以为多孔的，并在该多孔隔离层上沉积一薄层以防止湿气吸收。该隔离层可以包括选自如下的材料：Black Diamond、Coral、TERA和Blok型材料。可以通过将隔离层暴露于氧等离子体来在隔离层中形成孔。
集成电路以及形成用于晶体管电极隔离方法

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