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[发明专利]用于可编程集成电路的具有低阈值电压P沟道晶体管的互连电路-CN201580043156.0有效
发明人： P·简恩;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：一种用于可编程集成电路(IC)(100)的示例性互连电路(200)包括被耦接以从可编程IC中的节点(204)接收的输入端子(218‑1)，被耦接以向所述可编程IC中的另一节点(208)发送的输出端子(220)，被耦接以从所述可编程IC的存储单元(212)接收的第一和第二控制端子(222‑1,222‑2)，以及互补金属氧化物半导体(CMOS)传输门(202‑1)，其被耦接在输入端子和输出端子之间并且被耦接到第一和第二控制端子。CMOS传输门包括配置有用于制造可编程IC的CMOS工艺的低阈值电压的P沟道晶体管(Q2)。
用于可编程集成电路具有阈值电压沟道晶体管互连电路

[发明专利]使用深隔离的FinFET技术-CN201980017868.3在审
发明人： J·卡普;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-02-14 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本文中描述了FinFET晶体管(102)、(104)、PN结(150)及其形成方法(400)。在一个示例中，描述了一种FinFET晶体管(102、104)，该FinFET晶体管(102、104)包括金属栅极(208)所包裹的沟道区域(214)，该沟道区域(214)连接源极区域(210)和漏极区域(212)。第一氧化物隔离层(112)设置在鳍(202)的第一侧上，而第二氧化物隔离层(114)设置在鳍(202)的第二侧上，其中第二侧与第一侧相对。第二氧化物隔离层(114)的厚度(284)大于第一氧化物隔离层(112)的厚度(280)。
使用隔离 finfet 技术

[实用新型]集成电路-CN201921351731.5有效
发明人： M·J·哈特;J·卡普;M·法赫尔丁;P·梅拉德 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2020-08-07 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本文中描述了一种集成电路，其包括：半导体衬底，包括p掺杂区域和n掺杂区域；第一晶体管，包括设置在所述半导体衬底的所述p掺杂区域中的n+掺杂源极区域；第二晶体管，包括设置在所述半导体衬底的所述n掺杂区域中的p+掺杂源极区域，所述p+掺杂源极区域、所述n掺杂区域、所述p掺杂区域和所述n+掺杂源极区域形成PNPN结构；以及镇流电阻器，与所述PNPN结构串联电连接在电源节点与接地节点之间。
集成电路

[实用新型]集成电路芯片-CN201921552346.7有效
发明人： P·梅拉德;陈嫣然;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：提供了一种集成电路(IC)芯片，该IC芯片具有适于检测和解锁被锁存的晶体管的电路。在一个示例中，IC芯片包括本体、设置在本体中并耦合至本体上设置的多个接触焊盘中的至少一个的电源轨以及设置在本体中的第一核心电路。第一核心电路包括第一限流电路、具有第一晶体管的可控硅整流器(SCR)器件、第二晶体管和第一锁存器感测电路。第一限流电路耦合至电源轨。第一和第二晶体管的第一端子耦合至第一限流电路。第一锁存感测电路具有耦合至第一和第二晶体管的第二端子的第一输入端子。第一锁存感测电路还具有耦合至第一限流电路的输出端子。
集成电路芯片

[实用新型]用于在集成电路设备中存储数据的电路-CN201921353056.X有效
发明人：陈嫣然;P·梅拉德;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：描述了一种用于在集成电路设备中存储数据的电路。该电路包括：反相器，该反相器包括第一晶体管、第一输出、第二晶体管和第二输出，第一晶体管具有被配置为接收输入数据的第一栅极，第一输出被配置为生成第一反相数据输出，第二晶体管具有被配置为接收输入数据的第二栅极，第二输出被配置为生成第二反相数据输出；耦合到反相器的第一输出的第一传输门；耦合到反相器的第二输出的第二传输门；以及存储元件，该存储元件具有被耦合为接收第一传输门的输出和第二传输门的输出的输入。还描述了一种在集成电路中存储数据的方法。
用于集成电路设备存储数据电路

[实用新型]半导体结构-CN201921324978.8有效
发明人： J·卡普;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2019-08-15 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本文中描述的半导体结构提供了单事件闩锁(SEL)减轻技术。在一个示例中，一种半导体结构包括：半导体基板；p型晶体管，具有设置在半导体基板中的n掺杂区域中的p+源极/漏极区域；n型晶体管，具有设置在半导体基板中的p掺杂区域中的n+源极/漏极区域；n+保护环，设置在n掺杂区域中并且侧向围绕p型晶体管的p+源极/漏极区域；以及p+保护环，设置成侧向围绕n掺杂区域。p+保护环设置在p型晶体管与n型晶体管之间。
半导体结构

[发明专利]能够实现电路选择的电路和方法-CN201880020393.9在审
发明人： M·拉瓦特;P·梅拉德;M·J·哈特 -专利权人：赛灵思公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H03K19/177 文献下载
摘要：本文描述了一种能够实现电路选择的集成电路。所述集成电路包括：提供预定功能的多个冗余电路(512，514)；电压传感器(212)，其被耦接以接收参考电压；以及选择电路(503)，其耦接到电压传感器和参考电压，其中，所述选择电路基于参考电压的检测到的电压来选择要在集成电路中实现的所述多个冗余电路中的一个。本文还描述了一种能够实现电路选择的方法。
集成电路电压传感器参考电压电路选择冗余电路选择电路接收参考电压预定功能耦接检测

[发明专利]介导异源三体G蛋白和单体G蛋白相互作用的因子的鉴定-CN99804014.2无效
发明人： G·伯拉格;M·J·哈特;W·洛斯科;P·伯拉奇斯;P·斯特恩威斯;T·科扎萨;X·姜 -专利权人：昂尼克斯药物公司;德克萨斯州立大学董事会
申请日： 1999-03-18 - 公布日： 2001-05-02 - 主分类号： C12N15/12 文献下载
摘要：单体GTP酶鸟嘌呤核苷酸交换因子(GEF)已被鉴定,它也含有一个与GTP酶激活蛋白(GAP)类似的RGS区。这些GEF蛋白之一的RhoGEF已被证明含有对异源三体G蛋白的α亚单位具有GAP活性的RGS序列。
介导异源三体蛋白单体相互作用因子鉴定

[发明专利]RHOGTP酶鸟嘌呤交换因子和编码该因子的核酸-CN97198441.7无效
发明人： M·J·哈特 -专利权人：昂尼克斯药物公司
申请日： 1997-10-07 - 公布日： 1999-10-20 - 主分类号： C12N15/12 文献下载
摘要：本发明涉及鸟嘌吟交换因子(GEF),例如Rho－GEF,如p115Rho－GEF的所有方面。GEF通过调节GTP酶活性而体外或体内的调节细胞信号传递途径。为了说明,描述了p115Rho－GEF,它调节RhoGTP酶活性。但是,本发明还涉及其他GEF,特别是其他Rho－GEF。本发明具体涉及分离的P115Rho－GEF多肽或其片段,编码p115Rho－GEF的核酸或其片段。所述多肽和核酸的衍生物。本发明还涉及在治疗、诊断中利用所述多肽、核酸、或其衍生物的方法,并作为研究工具。本发明另一方面涉及识别p115Rho－GEF的抗体和其他配体,p115Rho－GEF活性的调节剂,治疗RhoGTP酶相关疾病的方法。
rhogtp 嘌呤交换因子编码核酸

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