专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]注射系统及其使用方法-CN202080079844.3在审
  • G·奇特尼斯;J·卡普;E·安;B·劳利希特 - 梅拉格特克斯治疗学股份有限公司
  • 2020-09-20 - 2022-07-08 - A61M5/46
  • 一种注射系统,包括:注射器筒;可运动地配置在注射器筒中的第一密封元件和第二密封元件;它们之间的注射腔室;从第一密封元件延伸以将注射剂从注射室递送到生物空间中的穿刺元件,其中,注射器筒、第一密封元件或第二密封元件中的一个或多个构造成防止第一密封元件向近侧运动经过预选位置,同时允许第二密封元件与第一密封元件接触,该系统构造成使得当沿远侧方向对第二密封元件施加力时,响应于第一反作用力,穿刺元件前进,并且响应于第二反作用力,穿刺元件保持静止并且注射剂被输送通过穿刺元件。
  • 注射系统及其使用方法
  • [实用新型]集成电路装置-CN202020468291.8有效
  • J·卡普 - 赛灵思公司
  • 2020-04-02 - 2020-12-25 - H01L23/60
  • 本实用新型涉及集成电路装置。集成电路装置包括至少一个具有ESD保护电路系统的非I/O裸片。本文公开的ESD保护电路系统也可以被用于I/O裸片中。在一个示例中,集成电路装置包括具有第一主体的裸片。第一接触垫和第二接触垫暴露于第一主体的表面。第一接触垫被配置为连接到第一电源电压。第二接触垫被配置为连接到第二电源电压或接地。被形成在第一主体中的第一电荷敏感电路系统耦合在第一接触垫和第二接触垫之间。被形成在第一主体中的第一RC钳位器耦合在第一接触垫和第二接触垫之间。第一RC钳位器包括耦合在第一接触垫和第二接触垫之间的至少两个BigFET,以及与至少两个BigFET的栅极端子并联耦合的触发器电路系统。
  • 集成电路装置
  • [发明专利]使用深隔离的FinFET技术-CN201980017868.3在审
  • J·卡普;M·J·哈特 - 赛灵思公司
  • 2019-02-14 - 2020-10-27 - H01L21/8238
  • 本文中描述了FinFET晶体管(102)、(104)、PN结(150)及其形成方法(400)。在一个示例中,描述了一种FinFET晶体管(102、104),该FinFET晶体管(102、104)包括金属栅极(208)所包裹的沟道区域(214),该沟道区域(214)连接源极区域(210)和漏极区域(212)。第一氧化物隔离层(112)设置在鳍(202)的第一侧上,而第二氧化物隔离层(114)设置在鳍(202)的第二侧上,其中第二侧与第一侧相对。第二氧化物隔离层(114)的厚度(284)大于第一氧化物隔离层(112)的厚度(280)。
  • 使用隔离finfet技术

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