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- [发明专利]一种放射线图像探测器及其制作方法-CN202010072660.6有效
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黄忠守;顾铁
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上海奕瑞光电子科技股份有限公司
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2020-01-21
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2023-10-13
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A61B6/00
- 本申请实施例提供一种放射线图像探测器及其制作方法，其中，放射线图像探测器包括：用于将放射线图像转换为可见光图像的放射线转换层，包括复数个光敏像素组成的像素阵列并用于探测可见光图像的可见光图像探测层以及设置于放射线转换层和可见光图像探测层之间并包括复数个微型凸透镜组成的透镜阵列的微透镜层，其中，微型凸透镜的光轴垂直于可见光图像探测层，并且放射线转换层和微透镜层以及可见光图像探测层均为曲面结构，且弯曲方向相同。本申请的放射线图像探测器，可以使从X光发生器发出的非平行的放射线垂直入射至放射线转换层，从而在可见光图像探测层的中间位置和边缘位置的光学图像的放大率，图像分辨率和亮度的均匀性得到改善。
- 一种放射线图像探测器及其制作方法
- [发明专利]有机光电平板探测器-CN202110120262.1有效
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罗宏德;金利波
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上海奕瑞光电子科技股份有限公司
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2021-01-28
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2023-10-10
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H10K39/32
- 本发明提供一种有机光电平板探测器，包括基底、TFT元件、有机光电二极管及第二底电极；基底上交替定义有像素区域及非像素区域；TFT元件形成于非像素区域，包括栅极、栅绝缘层、源极、漏极及沟道层，且源极延伸至像素区域；有机光电二极管形成于像素区域，自下而上依次包括第一底电极层、第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层，第一界面层、感光层、第二界面层及上电极层均自像素区域向外延伸到TFT元件上方，第一底电极层位于源极表面；第二底电极位于TFT元件上方且被第一界面层覆盖；有机光电平板探测器工作时，第二底电极的电位大于上电极层的电位，由此可以大幅度减小图像的拖影(lag)以及像素之间的信号串扰，有助于提高图像质量。
- 有机光电平板探测器
- [发明专利]平板探测器的制备方法-CN202011576929.0有效
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解海艇;金利波
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上海奕瑞光电子科技股份有限公司
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2020-12-28
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2023-08-11
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H01L27/146
- 本发明提供一种平板探测器的制备方法，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离氧化物有源层，避免后续的光电二极管成膜过程对氧化物有源层造成损伤，避免氧化物有源层的性能劣化，提高平板探测器质量及性能；且光电二极管下方保留的金属隔离层可直接作为光电二极管的底电极，有利于减小平板探测器的Lag值；本发明通过在光电二极管成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可减小寄生电容对平板探测器的影响；本发明通过在第二保护层成膜完成后，将位于氧化物有源层上方的金属隔离层移除，可避免光电二极管以及第二保护层的成膜过程对氧化物有源层的影响。
- 平板探测器制备方法
- [发明专利]平板探测器的制备方法-CN202011577154.9有效
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解海艇;金利波
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上海奕瑞光电子科技股份有限公司
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2020-12-28
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2023-08-11
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H01L27/146
- 本发明提供一种平板探测器的制备方法，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备光电二极管成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物沟道层造成损伤，避免非晶氧化物沟道层的性能劣化，从而提高平板探测器质量及性能；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；在对金属隔离层进行一次图形化后即可同时形成双AOS TFT的两个栅电极及PD的底电极，且直接将保留的金属隔离层作为PD的底电极有利于减小平板探测器的Lag值，且形成的具有垂直结构的双AOSTFT对平板探测器中的薄膜应力不敏感，提升了平板探测器的动态读取帧率。
- 平板探测器制备方法
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