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[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁的环形振荡器及制备方法-CN201510378329.6有效
发明人：廖小平;褚晨蕾 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流固支梁的环形振荡器是由三个倒相器首尾相连而构成的，而这三个倒相器是由具有MEMS固支梁结构的N沟道MESFET和P沟道MESFET组成的。该环形振荡器基于半绝缘型GaN衬底，其中的N型MESFET和P型MESFET拥有悬浮在栅极上方的固支梁，该固支梁是用Au制作的，在固支梁下方有两个下拉电极，其中N型MESFET固支梁下方的下拉电极是接地的，而P型MESFET固支梁下方的下拉电极是接电源的，N型MESFET的阈值电压设计为正值，P型MESFET的阈值电压设计为负值，且N型MESFET和P型MESFET的阈值电压的绝对值设计为相等，固支梁的下拉电压设计为与MESFET的阈值电压的绝对值相等。
氮化镓基低漏电流固支梁环形振荡器制备方法

[发明专利]氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门-CN201510379728.4有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门用具有双悬臂梁开关的MESFET代替传统MESFET，其中，两个悬臂梁开关是悬浮在MESFET的栅极之上的，两个悬臂梁开关的位置关于该MESFET源‑漏方向对称，MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触，在栅极下方的衬底中形成耗尽层，把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等，当在悬臂梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时，悬臂梁下拉与栅极紧贴使MESFET导通，当所加电压小于N型MESFET的阈值电压时，悬臂梁开关就不能下拉，MESFET关断，在或非门工作时，当NMOS管处于关断时其悬臂梁开关就处于悬浮态，降低了栅极漏电流
氮化镓基低漏电悬臂梁开关非门

[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁开关差分放大器-CN201510377657.4有效
发明人：廖小平;陈子龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁开关MESFET差分放大器具有体积小，易于集成，开关速度快等显著优点；用具有悬臂梁开关的MESFET代替传统MESFET，本发明中所用到的N型MESFET的悬臂梁开关是悬浮在MESFET的栅极之上的，MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触，在栅极下方的衬底中形成耗尽层，把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等，当在悬臂梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时，悬臂梁下拉与栅极紧贴，此时该MESFET沟道区内的耗尽区宽度减小，沟道区的导电能力得以提升，在此基础上实现交流信号的放大；当悬臂梁开关与下拉电极之间所加载的电压小于MESFET的阈值电压时，就不能使悬臂梁下拉，MESFET就不能导通，从而栅极漏电流就不会存在，减小了差分放大器的功耗。
氮化镓基低漏电悬臂梁开关差分放大器

[发明专利]带有胞间平衡电阻的大栅宽SiC MESFET制作方法-CN200910075552.8有效
发明人：默江辉;李亮;王勇;李静强;冯震;高学邦;吴洪江 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2009-09-28 - 公布日： 2010-04-07 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种带有胞间平衡电阻的大栅宽SiC MESFET制作方法，主要在SiC MESFET制作过程中，加入胞间平衡电阻的制作步骤，最终在大栅宽SiC MESFET管芯的输入输出端各设置一个胞间平衡电阻。该胞间平衡电阻的制作方法简单，易于加工，在SiC MESFET制作过程中引入胞间平衡电阻后，可以提高SiC MESFET的成品率，能制造出性能稳定，可靠性高的大栅宽SiC MESFET，从而提高SiCMESFET的输出功率。
带有平衡电阻大栅宽 sic mesfet 制作方法

[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器-CN201510379962.7有效
发明人：廖小平;陈子龙 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器具有体积小，易于集成，开关速度快等显著优点；用具有固支梁开关的MESFET代替传统MESFET，本发明中所用到的N型MESFET的固支梁开关是悬浮在MESFET的栅极之上的，MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触，在栅极下方的衬底中形成耗尽层，把固支梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等，当在固支梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时，固支梁下拉与栅极紧贴，此时该MESFET沟道区内的耗尽区宽度减小，当固支梁开关与下拉电极之间所加载的电压小于MESFET的阈值电压时，就不能使固支梁下拉，MESFET就不能导通，从而栅极漏电流就不会存在
氮化镓基低漏电流固支梁开关差分放大器

[发明专利]氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器-CN201510379020.9有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流双悬臂梁开关或非门的RS触发器用具有双悬臂梁开关的MESFET或非门代替传统的或非门，两个悬臂梁开关的位置关于该MESFET源‑漏方向对称，MESFET的栅极与衬底之间形成了肖特基接触，在栅极下方的衬底中形成耗尽层，把悬臂梁开关的下拉电压设计得与MESFET的阈值电压相等，当在悬臂梁开关与下拉电极之间所加载的电压大于MESFET的阈值电压时，悬臂梁下拉与栅极紧贴使MESFET导通，当所加电压小于N型MESFET的阈值电压时，悬臂梁开关就不能下拉，MESFET关断，在该RS触发器工作时，当NMESFET处于关断时其悬臂梁开关就处于悬浮态，降低了栅极漏电流，从而降低了该RS触发器的功耗。
氮化镓基低漏电悬臂梁开关非门 rs 触发器

[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁开关乙类推挽功率放大器及制备-CN201510379705.3有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03F3/213 文献下载
摘要：本发明的一种氮化镓基低漏电流固支梁开关乙类推挽功率放大器，包括第一固支梁开关N型MESFET(1)，第二固支梁开关N型MESFET(19)，第三固支梁开关N型MESFET(20)和固支梁开关P型MESFET(2)，恒流源(18)，LC回路；该交叉耦合的第二固支梁开关N型MESFET(19)，第三固支梁开关N型MESFET(20)能够提供负阻给LC回路，从而补偿LC回路中电感的寄生电阻，从而提高本发明的乙类推挽功放输出端并且GaN基的MESFET具有高电子迁移率，能够满足射频信号下电路正常工作的需要。
氮化镓基低漏电流固支梁开关乙类功率放大器制备

[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁的环形振荡器及制备方法-CN201510377854.6有效
发明人：廖小平;褚晨蕾 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁的环形振荡器由三个倒相器首尾相连而构成，该环形振荡器基于GaN衬底，其中的N型MESFET和P型MESFET的栅极是悬浮在P型GaAs衬底上方的悬臂梁，该悬臂梁是Au材料制作，在悬臂梁下方有一个下拉电极，其中N型MESFET悬臂梁下方的下拉电极接地，而P型MESFET悬臂梁下方的下拉电极接电源，当MESFET悬臂梁与下拉电极间的电压小于阈值电压绝对值的时候，悬臂梁不会牵引下来，此时悬臂梁与栅极之间有一层空气间隙，从而导致MESFET不能够导通，这样栅极漏电流就得到了很好的抑制；当MESFET的悬臂梁与下拉电极间的电压大于阈值电压绝对值的时候，悬臂梁才会吸附至栅极上，MESFET
氮化镓基低漏电悬臂梁环形振荡器制备方法

[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁开关乙类推挽功率放大器-CN201510379774.4有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明的氮化镓基低漏电流悬臂梁开关乙类推挽功率放大器，该乙类推挽功率放大器是由三个具有悬臂梁开关N型MESFET，一个具有悬臂梁开关P型MESFET，LC回路组成。三个悬臂梁开关N型MESFET区别仅在于它们的悬臂梁开关的形状不同，第一悬臂梁开关N型MESFET(1)的悬臂梁开关为宽梁，到第二悬臂梁开关N型MESFET(19)和第三悬臂梁开关N型MESFET(20该功率放大器使用的悬臂梁开关MESFET基于GaN衬底，源极和漏极由金属和重掺杂N区形成欧姆接触构成，栅极由金属和沟道区形成肖特基接触构成，在MESFET的栅极上方悬浮着悬臂梁开关，交流信号加载在悬臂梁开关上
氮化镓基低漏电悬臂梁开关乙类功率放大器

[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法-CN201510379740.5有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明是氮化镓基低漏电流悬臂梁开关交叉耦合振荡器及制备方法，用具有悬臂梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的悬臂梁开关的下拉电极接地，设计两个悬臂梁开关MESFET的阈值电压相等，悬臂梁开关MESFET的阈值电压和它的悬臂梁下拉电压相等，当悬臂梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以悬臂梁开关被下拉到栅极上，悬臂梁开关与栅极紧贴，同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压，所以MESFET导通。当MESFET的悬臂梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压，悬臂梁开关是悬浮在栅极上方，处于截止。该GaN基低漏电流悬臂梁开关MESFET的交叉耦合振荡器产生稳定振荡，从而降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。
氮化镓基低漏电悬臂梁开关交叉耦合振荡器制备方法

[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管传输门及制备方法-CN201510379589.5有效
发明人：廖小平;王凯悦 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L29/20 文献下载
摘要：本发明是一种GaN基低漏电流固支梁MESFET传输门及制备方法，该传输门由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该传输门的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了固支梁结构。固支梁下方设计了电极板。固支梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在固支梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET始终工作在截止状态，而只有在固支梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与固支梁短接，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MESFET工作在导通状态。
氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管传输制备方法

[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法-CN201510378327.7有效
发明人：廖小平;王凯悦 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L27/095 文献下载
摘要：本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器及制备方法，该GaN基低漏电流固支梁MESFET倒相器由固支梁N型MESFET和固支梁P型MESFET构成。该倒相器的MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了固支梁结构。固支梁下方设计了电极板。固支梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在固支梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，固支梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET也没有导通，而只有在固支梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，固支梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与固支梁短接，从而使MESFET导通。
氮化镓基低漏电流固支梁场效应晶体管倒相器制备方法

[发明专利]氮化镓基低漏电流悬臂梁场效应晶体管传输门及制备方法-CN201510379536.3有效
发明人：廖小平;王凯悦 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明的是一种GaN基低漏电流悬臂梁MESFET传输门及制备方法，该传输门由悬臂梁N型MESFET和悬臂梁P型MESFET构成。MESFET的制作在半绝缘GaN衬底上，其栅极上方设计了悬臂梁结构。悬臂梁的下拉电压设计为等于型MESFET的阈值电压的绝对值。当在悬臂梁与电极板间的电压小于阈值电压的绝对值时，悬臂梁是悬浮在栅极的上方，此时栅极处是断路的，MESFET始终工作在截止状态，而只有在悬臂梁与电极板间的电压达到或大于阈值电压的绝对值时，悬臂梁才会被下拉到贴在栅极上，栅极与悬臂梁短接，此时若输入端与输出端的电平值不同，则MESFET工作在导通状态。
氮化镓基低漏电悬臂梁场效应晶体管传输制备方法

[发明专利]面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器-CN201710555920.3有效
发明人：廖小平;陈友国 -专利权人：东南大学
申请日： 2017-07-10 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H03K17/14 文献下载
摘要：本发明的面向物联网的具有自供电功能的MESFET管放大器，包括具有热电转换功能的MESFET放大管、电阻、电容、稳压电路和大电容充电电池。在传统的MESFET放大管上生长一层二氧化硅层，在MESFET放大管的源漏栅上各制作12个由热电偶金属臂和热电偶砷化镓臂组成的热电偶，用金属连线Au将其串联，留下两个电极作为塞贝克电压输出极“+”极和“信号通过隔直电容C1输入到MESFET放大管的栅极，电阻R1和电阻R2构成偏置，源极通过电阻R3接地，放大后的信号通过MESFET放大管的漏极输出；将塞贝克电压的“‑”电极接地，“+”电极接稳压电路和大电容根据Seebeck效应，MESFET放大器将自身工作时产生的废热回收转换成电能，进行电能存储和自供电，增强其散热性能的同时延长了使用寿命。
面向联网具有供电功能 mesfet 放大器

[发明专利]氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法-CN201510380061.X有效
发明人：廖小平;王小虎 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2017-10-13 - 主分类号： H03B5/04 文献下载
摘要：本发明是一种氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器及制备方法，用具有固支梁开关的MESFET代替传统的MESFET。该交叉耦合振荡器的固支梁开关的下拉电极接地，设计两个固支梁开关MESFET的阈值电压相等，固支梁开关MESFET的阈值电压和它的固支梁下拉电压相等，当固支梁与下拉电极板间的电压大于阈值电压的绝对值，所以固支梁开关被下拉到栅极上，固支梁开关与栅极紧贴，同时栅极与源极间的电压也大于阈值电压，所以MESFET导通。当MESFET的固支梁开关和下拉电极板之间的电压小于阈值电压，固支梁开关是悬浮在栅极上方，处于截止。降低该交叉耦合振荡器工作时的功耗。
氮化镓基低漏电流固支梁开关交叉耦合振荡器制备方法

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