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[发明专利]包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊-CN202311175944.8在审
发明人：冯林;王涛;赵嘉伟;张鹏 -专利权人：微纳动力（北京）科技有限责任公司
申请日： 2023-09-13 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明涉及光电镊器件领域，更具体的说是包含受光PN结和输出三极管的光敏器件及其构成的光电镊，包括器件，器件包括上电极、下电极、中间介质和光敏层，上电极和下电极之间设置有中间介质和光敏层；优选的，所述的上电极和下电极之间施加交流电压；受光PN结包括N区、耦合区域的P区和光吸收层；输出三极管包括耦合区域的集电区、基区、发射区和金属层；本发明的有益效果为这种光敏器件可以在有较大光电流的同时有保持较低的暗态电流；这种光敏器件阵列可以作为光电镊器件的光敏层，这种光敏器件阵列可以保证在光照时有低电阻率的同时保证大的暗态电阻率，这种特性给光电镊器件提供了更好的操纵效果。
包含 pn 输出三极管光敏器件及其构成光电

[发明专利]一种利用皮秒激光器减薄的4H-SiC基肖特基结构ΔE探测器及其制作方法-CN202310929886.7在审
发明人：梁红伟;韩中元;夏晓川;徐瑞良;王德煜 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2023-07-27 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明属于微电子技术领域，公开一种利用皮秒激光器减薄的4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器及其制作方法。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器自下而上包括肖特基接触电极、n型外延层、N型缓冲层、N型衬底、N型欧姆接触电极。该4H‑SiC基肖特基结构ΔE探测器的衬底经过皮秒激光器高效减薄，并以未减薄的衬底作为整体的支撑，更有利于粒子穿透，对于低能粒子的能量分辨和粒子鉴别能力优异，可用于核辐射探测领域对更大范围能量的粒子进行探测与甄别。
一种利用激光器 sic 基肖特基结构探测器及其制作方法

[发明专利]一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法-CN202210209621.5有效
发明人：李冲;关锴;徐港;杨帅;李占杰;李巍泽 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种全光谱探测场效应晶体管及制备方法，在p型硅衬底的顶部间隔预设距离形成有两个高掺杂N+型区；在两个高掺杂N+型区之间的p型硅衬底顶部刻蚀有周期性的空气光子晶体，在所有空气光子晶体内生长吸收红外光波段的半导体光子晶体；p型硅衬底上形成有抗反射薄膜绝缘层；抗反射薄膜绝缘层上形成有表面等离子激元、与一高掺杂N+型区相连的源极、栅极和与另一高掺杂N+型区相连的漏极，栅极形成在源极与漏极之间，等离子激元形成在源极与栅极以及栅极与漏极之间。本发明的场效应晶体管具有全光谱覆盖、强感光性能、高响应度和高集成度等优点，适用波长范围为可见光和红外光波段，且制造工艺简单，以硅作为器件主要材料成本较低。
一种光谱探测场效应晶体管制备方法

[发明专利]双PN结结构的垂直入射光电探测器及半导体设备-CN202310065550.0在审
发明人：崔积适 -专利权人：三明学院
申请日： 2023-01-16 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明提供了一种双PN结结构的垂直入射光电探测器及半导体设备，光电探测器包括：衬底层；吸收层，其形成在所述衬底层上；两个n型掺杂区，通过对所述衬底层进行n掺杂形成，并位于所述吸收层相对的两侧；两个p型掺杂区，通过对所述衬底层进行p掺杂形成，并位于所述吸收层相对的另两侧；其中，相邻的n型掺杂区和p型掺杂区均形成pn结四个电极，分别设置在4个掺杂区上。本发明由于采用四个电极结构，增强了在吸收层上的电场的分布，同等电场下减小了供电电压，同时相邻的n型掺杂区和p型掺杂区均形成pn结，增加了结面积，即增加了吸收层的有效吸收区域的面积。
pn 结构垂直入射光电探测器半导体设备

[发明专利]探测基板及射线探测器-CN202280000067.8在审
发明人：尚建兴;王振宇;姜振武;肖立友 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本公开提供的探测基板及射线探测器，包括衬底基板，该衬底基板所用材料的平均原子序数小于30，衬底基板所用材料对射线的质量衰减系数与平均原子序数的3～4次幂成正相关关系，衬底基板包括射线入射面；光电二极管，位于衬底基板的一侧，且光电二极管所在侧远离射线入射面所在侧；闪烁体层，位于光电二极管所在层远离衬底基板的一侧。
探测射线探测器

[实用新型]一种光纤集成光学倍频光电探测器-CN202321288449.3有效
发明人：余健辉;林子祺;吕展;韩龙威;张宇;张玉森;钟永春 -专利权人：暨南大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电探测、非线性光学领域，更具体地，涉及一种光纤集成光学倍频光电探测器。本实用新型的目的在于解决现有基于单层过渡金属硫族化合物的光电探测器探测光波段的范围较窄的问题，具体包括衬底以及自下而上依次层叠设置在衬底上的栅极、绝缘层、叉指电极、单层过渡金属硫族化合物薄膜和具有双锥形结构的微纳光纤，叉指电极的上表面紧贴于单层过渡金属硫族化合物薄膜的下表面，具有双锥形结构的微纳光纤对应紧贴于单层过渡金属硫族化合物薄膜的上表面。
一种光纤集成光学倍频光电探测器

[发明专利]一种光电探测器及其制备方法-CN202310751771.3在审
发明人：董栩婷;张畅;黄永;包军林;王亦飞;卢灏;解靖飞;常娟雄;陈财;龚子刚;万坤;邵语嫣;陈兴;王东;吴勇 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/111 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电探测器及其制备方法，其中的光电探测器包括：衬底以及依次设置于衬底上的缓冲层和沟道层；势垒层，设置于沟道层上，势垒层包括分别覆盖沟道层上的阴极位置区域和阳极位置区域的第一子势垒层和第二子势垒层，以及位于第一子势垒层和第二子势垒层之间且分别与第一子势垒层和第二子势垒层相连的第三子势垒层和第四子势垒层；第一钝化隔离层，填充于势垒层中的间隙内；阴电极和阳电极，分别设置于第一子势垒层和第二子势垒层上；空穴传输层，设置于阴电极以及第一钝化隔离层上，且空穴传输层与阳电极之间具有隔离间隙；透明导电层，设置于空穴传输层上。本发明中的光电探测器，暗电流较小，探测性能较高。
一种光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种高灵敏度X射线探测器-CN202310549642.6在审
发明人：汪韬;高贵龙;闫欣;姚东;何凯;尹飞;辛丽伟;李立;李知兵;刘冲;张杰;温珂瑶;王迪;岳猛猛;李亚晖;杜婉怡;田进寿;李鸣;蔡高迪 -专利权人：中国科学院西安光学精密机械研究所
申请日： 2023-05-16 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明涉及一种X射线探测器，具体涉及一种高灵敏度X射线探测器。解决了现有X射线探测器灵敏度低、信噪比低的技术问题。本发明探测器包括半导体材料和两个金属电级。两个金属电极分别设置在半导体材料的上表面和下表面，并与外加电场的正负极连接；半导体材料包括由下至上叠层铺设的缓冲层、集电区、基区和发射区；发射区包括由下至上叠层铺设的两层宽带隙半导体材料；基区采用窄带隙材料；集电区包括N型GaInP层和GaAs材料的衬底；缓冲层的下表面设置有光敏区，用于接收X射线；缓冲层的材料与发射区的上层材料相同，两者分别与两个金属电极形成欧姆接触。
一种灵敏度射线探测器

[发明专利]像素阵列面板与包括像素阵列面板的数字X射线检测器-CN201911213090.1有效
发明人：田惠知;李汉锡 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：公开了一种用于数字X射线检测器的像素阵列面板和数字X射线检测器。该像素阵列面板包括多个像素区域，其中，该像素阵列面板包括：与每个像素区域相对应的第一电极；设置在第一电极上并以矩阵形式布置的多个PIN(P型/I型/N型半导体)层；以及设置在每个PIN层上的第二电极。
像素阵列面板包括数字射线检测器

[发明专利]一种提升太赫兹探测器响应度的器件-CN202310584822.8在审
发明人：孙云飞;阙妙玲;陈丽香;孙佳惟 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明涉及电子器件技术领域，具体涉及一种提升太赫兹探测器响应度的器件，包括衬底，在衬底上为AlN成核层，在AlN成核层上为第一n+GaN欧姆接触层，作为器件的源极和漏极，在第一n+GaN欧姆接触层上是外延生长的InAlN电子发射层，在InAlN电子发射层上外延生长n‑GaN有源层和第二n+GaN欧姆接触层，构成器件的栅极，第一n+GaN欧姆接触层上穿出鳍式电子气沟道，鳍式电子气沟道从衬底生长且贯穿栅极与源极和漏极相连；本发明器件实现栅极对二维电子气的立体调控，从而增强栅极了对沟道的调制能力，降低栅极长度，提高了器件响应太赫兹波的速度。
一种提升赫兹探测器响应器件

[发明专利]一种基于单晶异质结的自驱动X射线探测器及其制备方法-CN202310329499.X在审
发明人：刘渝城;张小杰;贾彬霞;储德鹏;赵泽秦;刘生忠 -专利权人：陕西师范大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单晶异质结的自驱动X射线探测器及其制备方法，该X射线探测器以APbCxD3‑x单晶/APbDyC3‑y单晶作为单晶异质结，利用APbCxD3‑x单晶与APbDyC3‑y单晶形成的异质结所形成的内建电场，获得大的电子空穴注入势垒，具有整流特性，正向导通，促进载流子输运，增加光电流；反向截止，能够有效地抑制离子迁移和暗电流等，提高电荷收集效率，且在不加偏压的情况下可对光生载流子分离和传输，即该器件可自驱动X射线检测，对于能源节约环境友好有着非常重要的实用价值。该APbCxD3‑x/APbDyC3‑y异质结器件不需外加电场便可以捕获和识别X射线信号，因此可应用于自驱动X射线探测。
一种基于单晶异质结驱动射线探测器及其制备方法

[发明专利]基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管及其制备方法-CN202310167699.X在审
发明人：胡文平;朱晓婷;陈惠鹏;杨方旭;段树铭 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管及其制备方法，双向光突触晶体管包括：栅极、绝缘层、捕获层、有源层、源极和漏极，所述栅极、绝缘层、捕获层和有源层平行设置并从下至上依次连接，所述源极和漏极平行设置并连接在所述有源层的上表面，其中，所述有源层为二维分子晶体异质结。本发明基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管在正负栅压下光响应表现出双极性，即正栅压下表现出光抑制，负栅压下表现出光增强，其表现出优异的光响应度并且在弱光下可以表现出双向光突触行为，简化了器件制备工艺并且避免了不同光源的切换。
基于二维分子晶体异质结双向突触晶体管及其制备方法

[发明专利]一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法-CN202111315920.9有效
发明人：元磊;孙晨玥;郭辉;汤晓燕;张艺蒙;宋庆文;张玉明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。
一种表面优化异质结紫外光电晶体管及其制备方法

[发明专利]光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法-CN202210149829.2在审
发明人：朱锐;梁会力;王燕;刘尧平;梅增霞 -专利权人：松山湖材料实验室
申请日： 2022-02-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本申请提供一种光电存储器件及其制备方法、以及数据存储方法，属于半导体存储器件领域。光电存储器件包括：衬底、源/漏电极、沟道层、绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极，绝缘介质层、浮栅层、光敏介质层以及栅电极依次设置；其中，浮栅层与绝缘介质层之间和浮栅层与光敏介质层之间均形成势垒，光敏介质层在暗态下为绝缘体属性，光敏介质层在带隙匹配的光辐照下为半导体属性。数据存储方法采用该光电存储器件进行，具有较低的操作电压要求，能较好适应不同的应用场合，且能较好地实现多值存储。
光电存储器件及其制备方法以及数据

[发明专利]一种氧化镓光电探测器及其制备方法-CN202310620832.2在审
发明人：赵晓龙;韩可举;曾妍;侯小虎;穆文祥;陶绪堂;徐光伟;龙世兵 -专利权人：中国科学技术大学;山东大学深圳研究院
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓光电探测器，包括：衬底；沟道层，沟道层包括氧化镓台面，氧化镓台面设置在衬底表面，氧化镓台面适用于响应日盲光；p+区，包括分别位于沟道层两侧的第一部分和第二部分，第一部分和第二部分分别与沟道层形成横向pn结，源电极，设置在沟道层的一端上；漏电极，设置在沟道层的与源电极相对的另一端上；栅电极，设置在p+区的第一部分和第二部分的表面。本发明提供的氧化镓光电探测器可以实现快的响应速度和高的响应度。
一种氧化光电探测器及其制备方法

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