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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201711286644.1有效
发明人： 蔡孟峰;庄晓辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路新技术研发(上海)有限公司
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、位于基底上的栅极、以及位于栅极两侧的基底内的源漏掺杂区，基底上还具有覆盖栅极顶部和侧壁的介质层，源漏掺杂区表面具有贯穿介质层厚度的导电层；去除部分厚度的介质层，露出导电层的顶部和部分侧壁，且剩余介质层顶部高于栅极顶部；在介质层顶部、导电层顶部及侧壁上形成侧墙层；回刻蚀去除位于相邻导电层间的部分介质层顶部上的侧墙层，在相邻导电层相对的侧壁上形成侧墙；以侧墙为掩膜，刻蚀位于相邻导电层之间的介质层直至露出栅极顶部，在介质层内形成通孔；形成填充满通孔的金属层，且金属层位于相邻导电层之间。本发明能够提高形成的金属层的位置精确度，改善半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版-CN201710159913.1有效
发明人： 蔡孟峰;黄晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G03F1/84 文献下载
摘要：一种光掩膜数据检测方法、监测结构以及掩膜版，用于金属层版图结构的光掩膜数据检测，方法包括：提供包括金属层版图数据的芯片版图数据，金属层版图数据包括多个版图层；提供标记版图单元数据，包括多个标记版图层且与标记版图层金属层版图数据的版图层相同；将标记版图单元数据加入芯片版图数据中；采用同一逻辑运算公式对版图层进行逻辑运算形成金属层版图结构，并对标记版图层进行逻辑运算形成标记版图结构；判断标记版图结构是否呈闭环状，以判断金属层版图结构是否缺失版图层。通过加入标记版图结构，即使是缺乏光掩膜数据检测经验的工程师也可以完成检测工作，提高了光掩膜数据检测的效率和准确性。
光掩膜数据检测方法监测结构以及掩膜版

[发明专利]半导体结构及其形成方法和水印识别方法-CN201610407328.4有效
发明人： 蔡孟峰;姜霖 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-06-12 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法和水印识别方法，其中，提供衬底，所述衬底包括标记区；提供水印密度信息；采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构。采用所述水印密度信息在所述标记区衬底上形成若干标识结构，能够使所述水印密度信息具有隐蔽性好的特点，不容易被识别和擦除。
半导体结构及其形成方法水印识别

[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制造方法-CN201410118033.6有效
发明人：肖德元;吴汉明;蔡孟峰;俞少峰;李序武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-03-27 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了鳍型场效应晶体管及其制造方法。该鳍型场效应晶体管包括：半导体主体，形成在衬底上，半导体主体具有顶面和侧向相对的侧壁；以及栅极电极，形成在半导体主体的顶面和侧壁上方，其中，半导体主体包括：在半导体主体的一个端部内的源极区，在半导体主体的另一个端部内的漏极区，以及与源极区和漏极区邻接的由栅极电极包围的沟道区，源极区、漏极区和沟道区具有相同的导电类型，并且其中，沟道区内的掺杂浓度从靠近由顶面和侧壁组成的表面的区域到远离所述表面的区域逐渐减小。
场效应晶体管及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201510009320.8有效
发明人：张步新;蔡孟峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-01-08 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有浅沟槽隔离结构和覆盖半导体衬底的第一介质层；在浅沟槽隔离结构上的第一介质层中形成第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构；在第一介质层上形成电阻材料层，所述电阻材料层覆盖第一伪金属栅结构和第二伪金属栅结构的顶部表面；形成覆盖第一介质层和电阻材料层的第二介质层；刻蚀第二介质层和电阻材料层，形成暴露出第一伪金属栅结构表面的第一通孔和暴露出第二伪金属栅结构的表面的第二通孔；在第一通孔中填充金属形成第一插塞，在第二通孔中填充金属形成第二插塞。本发明的方法提高了第一插塞和第二插塞与电阻材料层的电接触性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种测试方法和测试结构-CN201310693541.2有效
发明人：张步新;蔡孟峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种测试方法和测试结构，涉及半导体技术领域。本发明的测试方法，通过形成包括设计值相同的至少两个电容的测试结构并对该至少两个电容的实际值进行比较，可以比较准确地判断进行图形化的工艺是否发生偏移，通过这一方法可以监测和控制交叠和间距问题，方法简单有效。本发明的测试结构，可以用于上述测试方法，对进行图形化的工艺是否发生偏移进行测试。
测试结构测试电容偏移图形化半导体技术领域监测和控制交叠

[发明专利]保护环结构及其制作方法-CN201610537323.3在审
发明人： 蔡孟峰;黄晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-07-08 - 公布日： 2018-01-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种保护环结构及其制作方法。其中，保护环结构包括第一保护环至第K保护环，共K个保护环，K为2以上的整数；所述第一保护环位于芯片周边，所述第k保护环位于所述第k‑1保护环外侧；当K等于2时，k等于2；当K大于2时，k为2至K之间的任意整数；还包括所述第一保护环至第K保护环中，每个保护环具有至少一个开口；位于不同所述保护环上的所述开口中，至少有两个是相互错开的。保护环结构的保护作用提高。
保护环结构及其制作方法

[发明专利]一种测试方法和测试结构-CN201310693671.6在审
发明人：张步新;蔡孟峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-17 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种测试方法和测试结构，涉及半导体技术领域。本发明的测试方法，通过形成包括设计值相同的至少两个电容的测试结构并对该至少两个电容的实际值进行比较，可以比较准确地判断进行图形化的工艺是否发生偏移，通过这一方法可以监测和控制交叠和间距问题，方法简单有效。本发明的测试结构，可以用于上述测试方法，对进行图形化的工艺是否发生偏移进行测试。
一种测试方法结构

[发明专利]FinFET器件的制作方法-CN201310542088.5在审
发明人：张步新;蔡孟峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-11-05 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种FinFET器件的制作方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成掩模；图形化所述掩模以暴露出部分衬底；对暴露出的部分衬底进行离子掺杂，以形成掺杂区域；去除剩余的掩模；对所述衬底以及掺杂区域进行退火，使所述掺杂区域形成隔离区；对所述隔离区进行蚀刻去除部分隔离区材料，使所述隔离区周围的衬底相对于所述隔离区凸出，以形成所述FinFET器件的鳍部。本发明的有益效果在于，采用离子掺杂并退火的方式可以较为简便的形成所述隔离区，与现有技术相比，省去了形成沟道并在沟道中填充介质的步骤，简化了制作过程。另外，本发明仅需要一次形成掩模的步骤，与现有技术相比，在节省成本的同时加快了整个流程的效率。
finfet 器件制作方法

[实用新型]接触孔偏移量测结构-CN201420508935.6有效
发明人： 蔡孟峰;黄晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的对称分布的两组量测图形，所述量测图形包括形成在所述半导体衬底表面的有源区和等间距排布在所述有源区上的多晶硅栅桥；位于其中一组量测图形上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以相同间距排布在所述有源区上的接触孔组；其中，各接触孔组之间的间距大于各多晶硅栅桥之间的间距，所述接触孔组与所述多晶硅栅桥交错间隔分布，且每个接触孔组和与其邻近的多晶硅栅桥之间具有不同的预设偏移量；位于另一组量测图形上的与所述第一接触孔图形呈镜像对称分布的第二接触孔图形。本实用新型能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。
接触偏移结构

[实用新型]铝焊垫以及金属连接结构-CN201420611586.0有效
发明人： 蔡孟峰;黄晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-10-21 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型的铝焊垫以及金属连接结构中，铝焊垫包括：一用于晶圆针测的探测单元和一用于引线整合的引线单元，所述探测单元和引线单元分别单独设置。所述铝焊垫还包括一连接单元，所述连接单元连接所述探测单元与所述引线单元。所述连接单元的形状或大小与所述探测单元的形状或大小不同，且所述连接单元的形状或大小与所述引线单元的形状或大小不同。本实用新型的铝焊垫，可以在保持原有芯片内部结构不变的情况下，将受到的来自晶圆针测和引线焊接的过程中的相应的机械应力分散为两部分作用在铝焊垫上，避免晶圆针测和引线焊接过程对相同的接触区域产生的机械应力过大使得铝焊垫或其下的钝化层裂开。
铝焊垫以及金属连接结构

[实用新型]接触孔偏移量测结构-CN201420508924.8有效
发明人： 蔡孟峰;黄晨 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-09-04 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型提供一种接触孔偏移量测结构，其至少包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的阱区；位于所述阱区内相互平行的第一有源区和第二有源区；位于所述第一有源区和所述第二有源区上的等间距排布的栅桥；位于所述第一有源区上的第一接触孔图形，所述第一接触孔图形包括以等间距排布的第一接触孔组；以及位于所述第二有源区上的第二接触孔图形，所述第二接触孔图形包括以等间距排布的第二接触孔组；其中，各第二接触孔组之间的间距大于各栅桥之间的间距，所述第二接触孔组与所述栅桥交错间隔分布，且每个第二接触孔组和与其邻近的栅桥之间具有不同的预设偏移量。本实用新型能够通过电学量测检测到接触孔的偏移，简单实用，量测精度高。
接触偏移结构

[实用新型]一种用于检测对准偏差的测试结构-CN201420197494.2有效
发明人：庄晓辉;沈忆华;蔡孟峰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2014-08-20 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于检测对准偏差的测试结构，所述测试结构至少包括：藉由第一掩膜板制作的第一测试结构和藉由第二掩膜板制作的第二测试结构，其中，所述第一测试结构包括第一测试金属条；所述第二测试结构包括第二测试金属条和垂直连接于所述第二测试金属条上的多根连接金属条；所述第二测试金属条与所述第一测试金属条平行设置。本实用新型的用于检测对准偏差的测试结构测试精度高，同时可通过WAT测试进行调试，调整偏差值提高对准精度和光刻质量，从而改善芯片生产的良率。
一种用于检测对准偏差测试结构

[发明专利]接触窗开口的形成方法-CN201110412986.X无效
发明人： 蔡孟峰;张宜翔;林嘉祺;陈奕炘;吴家铭 -专利权人：力晶科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种接触窗开口的形成方法，其包括下列步骤。首先，提供基底，基底包括密集区与独立区。接着，在基底上形成材料层。然后，在密集区中的材料层上形成多个牺牲图案，且在相邻两个牺牲图案之间具有第一开口。接下来，在各牺牲图案两侧分别形成间隙壁，且间隙壁彼此分离设置。之后，移除牺牲图案，而于相邻两个间隙壁之间形成第二开口。再者，形成填满第二开口的平坦层。随后，在平坦层中形成第一狭缝，第一狭缝暴露出位于第二开口下方的部分材料层。继之，移除由第一狭缝所暴露出的部分材料层，而在材料层中形成多个第三开口。
接触开口形成方法

[发明专利]熔丝器件及制备方法-CN201010023131.3无效
发明人： 蔡孟峰;邹晓东 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明公开了一种熔丝器件，该熔丝器件包括：衬底；形成于衬底上的第一绝缘层；以及金属层，所述金属层具有熔断部并形成于所述第一绝缘层上。本发明中的熔丝器件的关键尺寸的宽度和厚度相对于多晶硅熔丝可以被刻蚀的很小，并且熔断该熔丝器件的熔断部需要的电压较小。另外，本发明的熔丝器件可以进行修补刻蚀。
器件制备方法

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