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[实用新型]一种浊度计-CN202321164491.4有效
发明人：沈鹏;郝秋雨;张建生;孙鹏;徐丹丹;马雪丽 -专利权人：青山绿水（苏州）检验检测有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01N21/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种浊度计，涉及水浊度测定技术领域，包括浊度计主体、浊度测量单元和拆卸更换筒，浊度计主体的上侧前端开设有T形卡接槽，所述浊度计主体的侧面设置有收纳组件，浊度测量单元包含有测量筒，所述测量筒的顶端螺纹连接有筒盖，所述筒盖的顶部中心设置有安装筒，所述安装筒的顶部安装有光源，所述安装筒的中部安装有光调制器，所述筒盖的顶部环绕着安装筒环形阵列穿插设置有散热光接收器；该浊度计，测定部件可以直接放置到待测定的水中检测，也可以将待测定的水倒入测定部件进行测定，两种测定方式方便快速切换，适应性好，测定用的测量筒内部安装有拆卸更换筒，方便更换，避免测量筒内容易变脏影响水浊度测定的准确度。
一种浊度计

[发明专利]多工业行业非侵入式设备负荷监测方法-CN202310501799.1在审
发明人：林琳;柳江;马雪丽;农贵山;张振伟;臧义超;李士林;许津豪;张云山 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G06F18/241 文献下载
摘要：本发明公开了多工业行业非侵入式设备负荷监测方法，分别从空间和时间角度提取工业设备的特征信息，融合了高效通道注意力的ConvNeXt Block具有较强的特征提取能力，从混杂工业负荷信息中提取到设备状态变化和运行时产生的空间特征。同时，使用双向门控循环网络学习负荷数据的双向依赖关系，获取时间特征。引入多尺度特征提取模块对不同尺度的时间和空间特征信息进行处理与提取，并将提取到的多尺度时空特征充分融合。最后，采用了随机权重平均方法，在训练过程中通过对一定数量的设备状态识别模型的权重随机平均，进而得到多个模型的权重信息，在不增加训练代价的情况下提高了模型的泛化能力和识别精度。
工业行业侵入设备负荷监测方法

[发明专利]非平衡工业负荷辨识方法-CN202310523729.6在审
发明人：林琳;马雪丽;柳江;农贵山;张振伟;臧义超;许津豪;李士林;张云山 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F18/241 文献下载
摘要：本发明公开了非平衡工业负荷辨识方法，具体按照以下步骤实施：工业负荷数据及其对应的开关状态原始样本，从TMLD数据集中选取多个原始样本，对每个原始样本划分多个区间，对每个区间提取含8种熵特征的27种时域特征，构建原始特征集合；基于预测值变化量方式计算原始特征集合中特征重要度并排序，以CatBoost分类准确率为决策变量，通过前向特征选择确定原始样本对应设备的最优分类特征子集；采用Borderline‑SMOTE方法合成样本数据进行平衡化处理，得到平衡开关样本数据；构建贝叶斯超频带超参数优化的CatBoost分类器对工业负荷进行辨识；本发明非平衡工业负荷辨识方法能够提高非平衡工业负荷的辨识精度。
平衡工业负荷辨识方法

[实用新型]一种复合电阻-CN202223434723.1有效
发明人：李可为;沈佳豪;马雪丽 -专利权人：西安市西无二电子信息集团有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01C13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种复合电阻，涉及电子元器件领域。用于解决现在技术中压敏电阻因发热而造成自然，引发严重事故的问题。该复合电阻，包括：第一侧面和与第一侧面相对设置的第二侧面；第一热敏芯片，其设置在第一侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第一侧面上的第一电极；第二热敏芯片，其设置在第二侧面上，且所述第一热敏芯片覆盖位于所述第二侧面上的第二电极；第一引脚，其设置在所述第一热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧；第二引脚，其设置在所述第二热敏芯片远离所述压敏电阻器主体的一侧。
一种复合电阻

[实用新型]一种非侵入式能源指纹采集装置-CN202320150668.9有效
发明人：林琳;陈诚;张杰;史建成;张振伟;柳江;臧义超;农贵山;马雪丽;李士林;张云山;许津豪 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G06V40/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非侵入式能源指纹采集装置，涉及能源指纹采集技术领域，包括依次电连接的多源供电模块、能源指纹采集模块、信号预处理模块、数据处理模块；能源指纹采集模块包括设置在配电网配电变压器进线总进口处的霍尔电压传感器和霍尔电流传感器；多源供电模块包括外部供电子模块和备用储能电池子模块；外部供电子模块包括交流电源接口和直流电源接口；信号预处理模块包括模数转换器和整流滤波电路；整流滤波电路用于对模数转换后的电能数据进行滤波整流；数据处理模块用于对电能数据进行处理并存储。本实用新型保证了供电的持续性和稳定性，能够适应不同的外部电源形式，采集装置安装方便，并且还能对采集环境进行实时安全监测。
一种侵入能源指纹采集装置

[发明专利]一种电荷捕获型存储器及其制作方法-CN202010272104.3有效
发明人：段佳辉;王文武;项金娟;马雪丽;王晓磊;李永亮 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10B43/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷捕获型存储器及其制作方法，该电荷捕获型存储器包括第一衬底，该第一衬底上的源区和漏区以及源区和漏区之间的应变硅沟道，该应变硅沟道具备应力，由于该沟道采用该应变硅材料，因此，在沟道引入了应力，应力的引入可以提高该器件的迁移率，从而提高该沟道开启时载流子的平均能量，获得更高的隧穿概率，从而等效于器件捕获了更多的电荷，进而提高了器件的可靠性。
一种电荷捕获存储器及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202110269373.9有效
发明人：李永亮;赵飞;程晓红;马雪丽;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于在确保第一晶体管和第二晶体管所具有的阈值电压不同的情况下，简化半导体器件的制造过程，提高半导体器件的良率和性能。所述半导体器件包括：衬底、缓冲层、第一晶体管和第二晶体管。缓冲层形成在衬底上。第一晶体管形成在缓冲层上。第二晶体管形成在第一晶体管上。第二晶体管和第一晶体管的导电类型不同。第二晶体管和第一晶体管均为环栅晶体管。第二晶体管所包括的第二沟道区和第一晶体管所包括的第一沟道区的材质均为锗硅，且第二沟道区和第一沟道区中锗的含量不同。本发明提供的半导体器件的制造方法用于制造所述半导体器件。
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]可迁移的居民家庭用电负荷场景预测方法-CN202210169208.0有效
发明人：林琳;陈诚;王升;张杰;史建成;马雪丽;柳江;农贵山;张振伟;臧义超 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G06Q10/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种可迁移的居民家庭用电负荷场景预测方法，首先，为充分利用源域数据，通过引入灰色关联分析，根据源域与目标域的关联指标选择不同的源域家庭组成多源域家庭。然后采用模型迁移的方法，利用组成的多源域家庭，构建预训练模型。最后将预训练模型除最后一个单步流的其他单步流结构网络层参数冻结，并应用于目标域模型中，对最后一个单步流网络结构微调训练，构建小样本下的日前用电负荷预测模型。该方法有效解决小样本下的居民用电负荷预测效果不佳的问题，提高了模型的预测精度，同时也能减少模型的训练时间。
迁移居民家庭用电负荷场景预测方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN202110482059.9有效
发明人：李永亮;程晓红;赵飞;马雪丽;杨红;王晓磊;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于确保形成在不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同阈值电压的情况下，减少各鳍式场效应晶体管所包括的沟道区中的缺陷。所述制造方法包括：提供一基底；基底上形成有介质层，基底具有多类区域；在介质层位于每类区域上的部分内分别开设凹槽，并在位于每类区域上的凹槽内形成相应材质的半导体材料层；位于不同类区域上的半导体材料层为相应类的阈值调控层；去除介质层，并至少刻蚀半导体材料层和基底，以在每类区域上均形成沿第一方向延伸的鳍状结构；基于每一鳍状结构，在每类区域上均形成鳍式场效应晶体管，以使得位于不同类区域上的鳍式场效应晶体管具有不同的阈值电压。
一种半导体器件制造方法

[实用新型]一种养殖场的生物垃圾转运站-CN202221130821.3有效
发明人：肖凡;何锡栋;肖美丽;陈佳;翟晶晶;马雪丽;朱丙亮;刘新刚;张学成;曾俊勇 -专利权人：福建圣泽生物科技发展有限公司
申请日： 2022-05-12 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B65G15/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了养殖场垃圾处理技术领域的一种养殖场的生物垃圾转运站，包括转运仓、消毒架、输送带和污水池；所述转运仓为封闭的仓库，其相对的两侧墙壁上各设有一个物料门，所述转运仓顶部设置了空气消毒机，所述空气消毒机的进气口处于转运仓内部，所述空气消毒机的排气口处于转运仓库的外部，能够不再需要将养殖场内的生物废弃物进行人工搬运，并且能够通过传送带更加省力的将养殖场外部和内部进行单向运输，避免外部的废弃物进入养殖场，还能对养殖场内的废弃物进行消杀，以避免养殖场内部的废弃物对外界进行污染，实现了内外人员零接触，降低发生间接交叉感染的风险。
一种养殖场生物垃圾转运站

[发明专利]一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法-CN201911133040.2有效
发明人：李永亮;程晓红;马雪丽;王晓磊;杨红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-11-19 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种堆叠纳米线或片环栅CMOS器件的制备方法，包括如下步骤：沿第一方向，在半导体衬底上形成若干鳍状结构；其中，鳍状结构包括鳍部，以及位于鳍部上交替堆叠的第一材料刻蚀结构和第二材料刻蚀结构；沿第二方向，在若干鳍状结构上形成牺牲栅、侧墙和源/漏区；去除牺牲栅；并选择性去除位于栅极区域内的N阱区上的第一材料刻蚀结构，以及P阱区上的第二材料刻蚀结构；对剩余第一材料刻蚀结构和第二材料刻蚀结构进行形貌调整处理，形成P阱区的第一沟道区和N阱区的第二沟道区；对第一沟道区和第二沟道区进行钝化处理，形成界面钝化层；在界面钝化层上形成栅极介质层和栅极。实现对N/PMOS分别对应不同导电沟道的CMOS器件制备，提高器件性能。
一种堆叠纳米片环栅 cmos 器件制备方法

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201911252119.7有效
发明人： 马雪丽;李永亮;王晓磊;项金娟;杨红;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：半导体衬底；位于半导体衬底之上的沟道层；位于沟道层之上的界面层；位于界面层之上的第一高介电常数材料层；位于第一高介电常数材料层之上的第二高介电常数材料层。其中，界面层是通过对包括沟道层和第一高介电常数材料层的第一半导体结构进行原位化学氧化处理形成的，界面层通过钝化沟道层可以降低沟道层与第一高介电常数材料层界面处的界面态密度；同时界面层很稳定，不会扩散进入第一高介电常数材料层，还可以抑制沟道层中的Ge原子扩散进入第一高介电常数材料层，最终获得高质量的包括沟道层、界面层、第一高介电常数材料层和第二高介电常数材料层的第二半导体结构。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种晶体管的制造方法-CN202210314521.9在审
发明人：李永亮;毛晓烔;程晓红;马雪丽;罗军;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管的制造方法，涉及半导体技术领域，用于在沟道的材质含有锗的情况下，提高包括该沟道的晶体管的工作性能。所述晶体管的制造方法包括：在基底上形成晶体管包括的沟道、以及至少位于沟道上的硅层。沟道的材质含有锗。硅层中含有由沟道中扩散出的锗原子。对硅层进行交替循环的低温氧化处理和退火处理，直至位于硅层中的锗原子的浓度降低至预设阈值。
一种晶体管制造方法

[发明专利]一种接触孔制备方法-CN201910992197.4有效
发明人：李永亮;王晓磊;杨红;马雪丽;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2019-10-18 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种接触孔制备方法，包括以下步骤：提供并在半导体衬底上形成牺牲栅极区和源漏区；在已形成的结构上依次沉积接触刻蚀停止层和层间介质牺牲层；对层间介质牺牲层，进行第一平坦化处理；并在去除牺牲栅极区后，进行替代栅工艺；去除接触孔区域外的层间介质牺牲层，仅保留接触孔区域内的层间介质牺牲层；并在已形成的结构上沉积层间介质层；对层间介质层，进行第二平坦化处理；并去除接触孔区域内的层间介质牺牲层和接触刻蚀停止层；在接触孔区域内填充金属层，形成接触孔。本发明提供的接触孔制备方法易实现对尺寸较小、高深比较高的接触孔的制备，同时，可以确保在刻蚀过程中不会对源漏区等结构造成损伤，从而确保器件性能。
一种接触制备方法

[发明专利]可迁移的电力指纹深度辨识方法-CN202210168611.1在审
发明人：林琳;张杰;王升;史建成;陈诚;马雪丽;柳江;农贵山;张振伟;臧义超 -专利权人：吉林化工学院
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种可迁移的电力指纹深度辨识方法，采集已知类型电器设备的电压、电流，将电压、电流结合双线性插值技术获取电器设备的连续V‑I灰度图像；将连续V‑I灰度图像进行颜色编码，获取电流‑功率‑相位的彩色V‑I轨迹图像；构建ResNet34神经网络，利用ImageNet数据集对ResNet34神经网络进行预训练，通过替换最后一层全连接层进行模型迁移，将预训练的ResNet34网络结构和参数迁移到新的用户电力指纹辨识模型中，采用彩色V‑I轨迹图像对电器设备辨识任务中ResNet34神经网络进行训练；利用得到的ResNet34神经网络对待预测彩色V‑I轨迹图像进行电力指纹辨识；提高模型的辨识精度。
迁移电力指纹深度辨识方法

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