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[发明专利]一种铜铜键合凸点的制作方法-CN201310721054.2有效
发明人：薛恺;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-12-24 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种铜铜键合凸点的制作方法，有效降低了铜柱表面粗糙度，提高了微凸点的表面平整度，同时保证了晶圆不同区域的微凸点高度的一致，满足铜铜键合工艺对表面平整度的要求；其特征在于：包括以下步骤：（1）在晶圆表面制作粘附层和种子层；（2）在晶圆表面淀积铜层；（3）对晶圆表面的铜层进行处理，改善铜表面粗糙度和平整度；（4）利用光刻工艺对铜层进行图形化；（5）去除微凸点位置以外的铜，在晶圆上形成微凸点结构；（6）去除晶圆表面微凸点区域以外的粘附层材料，形成电隔离的微凸点结构；（7）去除晶圆表面的光刻胶，得到高度均匀，表面平坦光滑的微凸点结构。
一种铜铜键合凸点制作方法

[实用新型]一种表面设置有凸点的反光布-CN201922242113.3有效
发明人：郑小平;舒林飞;胡锋;胡浩亨;苏国芳 -专利权人：浙江龙游道明光学有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： G02B5/128 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种表面设置有凸点的反光布，从下往上依次包括基材层、复合胶层、金属层、玻璃微珠层，还包括凸点层，所述凸点层由间隔分布设置在所述玻璃微珠层上表面的凸点组成。本实用新型与现有技术相比，其特点为玻璃微珠层上表面设置有凸点层，凸点层起到了保护玻璃微珠层的作用，可以使产品具有一定的凹凸质感，减少外界物体与玻璃微珠层的接触面积，防止玻璃微珠层表面被磨损，提高使用寿命
一种表面设置有凸点反光

[发明专利]平顶微凸点高度测量装置及测量方法-CN202110477512.7在审
发明人：孟繁昌;张滋黎;王棚;纪荣祎;潘映伶;崔成君;程智;董登峰;周维虎 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2021-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G01S17/48 文献下载
摘要：本公开提供了一种平顶微凸点高度测量装置及测量方法，平顶微凸点高度测量装置包括：平顶微凸点，设置在晶圆表面上；光源系统，光源系统输出端与晶圆表面相对；光源系统输出光条投射至晶圆表面上；驱动平台，晶圆设置在驱动平台上，驱动平台按照预定路线移动，晶圆随驱动平台移动；成像系统，接收光条投射到晶圆表面形成的反射光，根据反射光合成数字图像并输出；运算平台，接收成像系统输出的数字图像，通过对数字图像处理确定平顶微凸点的高度。本公开中的平顶微凸点高度测量装置具有结构简单、易操作，能够实现高度为100微米以下的平顶微凸点的测量，实现了平顶微凸点的高精度测量。
平顶微凸点高度测量装置测量方法

[发明专利]铁铟硅凸点微晶复合材料及制备方法-CN202310709660.6在审
发明人：江佳阳;林铭;林圻;薛倾宇;董旺霖;夏吉伟;廖汉江;刘伟星 -专利权人：江佳阳
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： B32B15/18 文献下载
摘要：本发明公开了铁铟硅凸点微晶复合材料及制备方法:在工业纯铁或钢或含铁超过40%(wt%)合金材料的基体材料表面，设一复合材料层，复合材料层与基体材料成为一体；在复合材料层表面设有本许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度不大于200nm、长度不大于500nm的顶部为球状或近似球状，或凸点微晶高度不大于200nm的近似椭圆、椭圆最大长度不超过500nm的顶部为球状或近似球状或近似椭圆状，凸点微晶含铁超过20%(wt%)且含铟超过10%(wt%)且含硅（Si）超过15%(wt%)，每个凸点微晶与复合材料层成为一体，形成铁铟硅凸点微晶复合材料。
铁铟硅凸点微晶复合材料制备方法

[发明专利]铟铁凸点复合微晶压电盘-CN202110717052.0有效
发明人：林绍义;林雪莲;林逸彬 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H10N30/85 文献下载
摘要：本发明公开了铟铁凸点复合微晶压电盘,本发明的铟铁凸点复合微晶压电盘是在压电盘零件表面设一含铟超过60%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度大于100nm且小于500μm、直径大于100nm且小于500μm的顶部为球状或近似球状、含铟超过60%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)，凸点微晶与复合材料层成为一体；零件表面复合材料层和基体材料成为一体；去除各小孔附着的材料层，形成铟铁凸点复合微晶压电盘。
铟铁凸点复合压电

[发明专利]一种铜六锡五全IMC微凸点的快速制造方法-CN201710240096.2有效
发明人：张志昊;张建寰;余煜玺 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2019-03-15 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：一种铜六锡五全IMC微凸点的快速制造方法，涉及三维封装互连制造。提供可解决三维封装大互连间隙无铅耐高温微凸点难以快速制造及微凸点性能与可靠性不佳等一系列技术难题，工艺简单、成本低廉、且可快速形成高性能与高可靠性的一种Cu₆Sn₅全IMC微凸点的快速制造方法。形成的互连微凸点是以Cu₆Sn₅优选取向晶粒为主体的完全IMC结构。
一种铜六锡五全 imc 微凸点快速制造方法

[发明专利]提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺-CN201510306527.1在审
发明人：何洪文;曹立强;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高微凸点制备良率的装置及微凸点的制备工艺，其特征是：包括工作箱体，工作箱体一侧设置上盖，在上盖的内侧设有多个红外加热灯管；在所述工作箱体内设置多个用于放置晶圆的柔性托架，在晶圆的一侧安装钎料填充头种子层上涂光刻胶，在光刻胶表面制备阻焊层，在光刻胶上制作开口；在开口中电镀铜；钎料合金由喷嘴向开口处进行填充；采用氮气将晶圆表面多余的钎料合金喷除；将光刻胶剥离，暴露光刻胶下方的Ti/Cu种子层；回流形成凸点
提高微凸点制备装置工艺

[发明专利]一种胎压计零件制造工艺-CN202110721497.6有效
发明人：林逸彬;林源;林绍义;林雪莲 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B60C23/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种胎压计零件制造工艺,其特征在于:将铟复合微晶凸点织构层裁切，用不大于1N的力将铟复合微晶凸点织构层平整均匀且无皱折铺在胎压计零件凹槽内圆底面、和凹槽内圆侧面，点涂胶固定侧面；其中铟复合微晶凸点织构层为含铟超过60%(Wt%)且含铁超过8%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度大于100nm且小于500μm、直径大于100nm且小于500μm的顶部为球状或近似球状、含铟超过60%(Wt%)且含铁超过8%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)，凸点微晶与复合材料层成为一体；装配过程将具有凸点微晶朝向凹槽；去除各小孔附着，制成一种胎压计零件
一种胎压计零件制造工艺

[发明专利]一种微LED器件及阵列-CN201911415055.8在审
发明人：刘久澄;龚政;陈志涛;潘章旭;郭婵 -专利权人：广东省半导体产业技术研究院
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供了一种微LED器件及阵列，涉及半导体技术领域。该微LED器件从下往上依次包括N型半导体层，量子阱，P型半导体层以及至少一个微凸点金属堆叠层，微凸点金属堆叠层与P型半导体的一侧连接；微凸点金属堆叠层用于与目标基板连接，且微凸点金属堆叠层用于实现微LED本发明提供的微LED器件及阵列具有改善了薄膜型微LED器件的机械强度，便于组装焊接，提高了显示阵列的可靠性的优点。
一种 led 器件阵列

[发明专利]电子封装用高共面度锡合金凸点阵列直接打印装置及方法-CN202211297440.9在审
发明人：罗俊;吴浪;齐乐华;周怡 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C23C4/123 文献下载
摘要：本发明一种电子封装用高共面度锡合金凸点阵列直接打印装置及方法，属于电子封装用锡合金凸点阵列制备领域；包括均匀锡合金微滴喷射装置、微域加热组件、高度检测装置和凸点阵列成型平台；均匀锡合金微滴喷射装置通过喷嘴将锡合金微滴喷射到基板上，形成凸点；高度检测装置设置于基板的外侧，用于检测凸点高度并对微域加热组件发出控制信号；微域加热组件安装于匀锡合金微滴喷射装置的喷嘴上，包括高度微调装置和微域加热装置，通过高度微调装置调节微域加热装置与基板之间的距离；通过微域加热装置对凸点顶部进行局部加热融化，调整其初始振荡高度，以有效地降低凸点高度误差，进而实现在常温基板上一步打印成形高共面度锡合金凸点阵列之目的。
电子封装用高共面度锡合金阵列直接打印装置方法

[发明专利]一种带弹性导电微凸点的互连基板和基于其的KGD插座-CN202011053228.9有效
发明人：李宝霞 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带弹性导电微凸点的互连基板和基于其的KGD插座，属于先进电子封装技术领域。本发明通过在带弹性导电微凸点的互连基板中构建三维金属电互连的电通路结构、以及导电弹性微凸点和第一弹性微凸点之间的共面结构，实现了基于其的KGD插座中，能够配合采用芯片倒装技术实现被测芯片在KGD插座内的高精度定位放置，能够达到芯片凸点或芯片焊盘与带弹性微凸点的互连基板上的导电弹性微凸点实现高效且高密度的电互连作用；同时，避免了后续与芯片倒装的配合使用受力中在芯片凸点留下划痕，也避免了芯片的相对移动或脱落，解决了目前
一种弹性导电微凸点互连基于 kgd 插座

[发明专利]一种半隐埋微凸点结构及其制备方法-CN201911238723.4在审
发明人：唐昭焕;朱克宝;吴罚;王品红 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-06 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提出了一种半隐埋微凸点结构及其制备方法，包括衬底；绝缘层，其远离所述衬底的一面上设置有嵌入槽；UBM层，其设置于所述嵌入槽表面；凸点金属，其部分嵌设于所述嵌入槽内并设置于所述UBM层表面，导电层，由于把微凸点中的UBM层和凸点金属镶嵌入绝缘层中，增强了微凸点的稳固性，可有效提高微凸点的机械可靠性。
一种半隐埋微凸点结构及其制备方法

[发明专利]一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法-CN202111370657.3在审
发明人：袁渊 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十八研究所
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种多芯片上多尺寸的微凸点制备方法，属于集成电路封装领域。将多颗需要微凸点制备的芯片装载在临时键合膜上；将装载在临时键合膜上的多颗芯片注塑成型，重构形成圆片；将圆片上的临时键合膜进行解键合后，根据不同芯片的焊盘尺寸，在重构后芯片的焊盘上形成不同开口尺寸的钝化层；进行种子层溅射，为后续电镀工艺形成导电层，并提升电镀凸点的质量；利用光刻胶在开口的焊盘上图像化出不同尺寸微凸点所需的电镀空间；通过一次电镀完成重构后芯片上不同尺寸的微凸点；依次去除图像化后的光刻胶和种子层；将重构圆片进行回流，完成不同尺寸微凸点的制备；将圆片减薄后切割形成单颗芯片，最终完成多芯片上不同尺寸微凸点的制备。
一种芯片尺寸微凸点制备方法

[发明专利]铟复合微晶凸点织构包激光晶体工艺-CN202110718173.7在审
发明人：林逸彬;黄如娟;林绍义;林雪莲 -专利权人：福建船政交通职业学院
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01S3/02 文献下载
摘要：本发明公开了铟复合微晶凸点织构包激光晶体工艺,其特征在于:用不大于1N的力将铟复合微晶凸点织构层平整均匀且无皱折包在激光晶体周围，其中铟复合微晶凸点织构层为含铟超过60%(Wt%)且含铁超过8%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)的复合材料层，在复合材料层表面设有许多个凸点微晶，每个凸点微晶高度大于100nm且小于500μm、直径大于100nm且小于500μm的顶部为球状或近似球状、含铟超过60%(Wt%)且含铁超过8%(Wt%)且含铟和铁共超过70%(Wt%)；将包好的铟复合微晶凸点织构层平整放入激光器结构件的凹槽内，将金属压块压紧在铟复合微晶凸点织构层上方，用激光焊接方式将金属压块与激光器结构件固定一起
复合微晶凸点织构包激光晶体工艺

[实用新型]MEMS芯片封装结构-CN201520906871.X有效
发明人：万里兮;马力;付俊;翟玲玲 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种MEMS芯片封装结构，该封装结构包括MEMS芯片，MEMS芯片功能面上有微凸点连接部和密封圈连接部，微凸点连接部与MEMS芯片的焊垫电性相连；盖板，其第一表面制作有微凸点与密封圈，该盖板通过微凸点及密封圈与MEMS芯片对应位置的微凸点连接部及密封圈连接部键合，键合密封圈环绕MEMS芯片的功能区，且密封圈外边缘延伸到MEMS芯片的边缘，并与MEMS边缘有第一距离，微凸点内嵌在密封圈中，并与密封圈之间有一隔离间隙本实用新型密封圈由芯片功能区的边缘延伸至芯片边缘附近，并与位于其内的微凸点隔离的结构，增加了密封圈与MEMS芯片及盖板的黏结面积，从而加强了黏结力，保证了密封能力，并提高抗气压能力，增加可靠性。
mems 芯片封装结构