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[发明专利]一种CCGA器件的视觉对位植柱装置及方法-CN202011045075.3有效
发明人：南旭惊;刘晓艳;陈雷达;刘建军;薛宇航 -专利权人： 珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明提供一种CCGA器件的视觉对位植柱装置及方法，包括底座、焊柱承载板和双光学对准系统；焊柱承载板上加工有固定焊柱的通孔阵列，在焊柱承载板的空白区域内设有若干个焊柱承载板对位参考点；若干个焊柱承载板对位参考点在焊柱承载板上沿通孔阵列的边缘设置；底座上加工设置有焊柱承载板容纳凹腔，在焊柱承载板容纳凹腔内设有待植柱器件定位凹腔，且在待植柱器件定位凹腔的边缘对应焊柱承载板对位参考点的位置处分别设有底座对位参考点；通孔阵列的位置与放置在待植柱器件定位凹腔内的待植柱器件对应设置；焊柱承载板的形状与焊柱承载板容纳凹腔对应设置；加工要求较低，操作方便，可实现高精度、低损伤的植柱工艺，提高了CCGA器件的成品率和质量。
一种 ccga 器件视觉对位装置方法

[发明专利]一种带弹性导电微凸点的互连基板和基于其的KGD插座-CN202011053228.9有效
发明人：李宝霞 -专利权人： 珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种带弹性导电微凸点的互连基板和基于其的KGD插座，属于先进电子封装技术领域。本发明通过在带弹性导电微凸点的互连基板中构建三维金属电互连的电通路结构、以及导电弹性微凸点和第一弹性微凸点之间的共面结构，实现了基于其的KGD插座中，能够配合采用芯片倒装技术实现被测芯片在KGD插座内的高精度定位放置，能够达到芯片凸点或芯片焊盘与带弹性微凸点的互连基板上的导电弹性微凸点实现高效且高密度的电互连作用；同时，避免了后续与芯片倒装的配合使用受力中在芯片凸点留下划痕，也避免了芯片的相对移动或脱落，解决了目前KGD插座在弹簧针阵列的密度、精度、共面性、数量上都不能满足超大规模集成电路裸芯片测试需求的技术难题。
一种弹性导电微凸点互连基于 kgd 插座

[发明专利]一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法-CN202110222528.3有效
发明人：霍瑞霞;吴道伟;刘万胜;李宝霞 -专利权人： 珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法，将上下键合面设计为带有串联电路，其中上键合面同时带有可供电流导通的电极Pad，形成了可供测试键合后是否形成完好键合界面的导通路线，且这种设计分布于整张晶圆的每颗晶粒Die，通过光刻的方式实现图形的转移，使用万用表等量测设备测试串联凸点两端电阻，通过电流电阻计算公式，计算得接触电阻，通过监控接触电阻，来有效及时的监控键合工艺，确保了键合效果的及时反馈，降低因键合不良而未及时识别造成人、机、料、法等各方面的损失。
一种晶圆级键合工艺监控结构方法制备

[发明专利]一种双面基板的电通断测试方法-CN202011376754.9有效
发明人：李宝霞 -专利权人： 珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面基板的电通断测试方法，包括步骤1，在双面基板制备过程中，正面电镀种子层不进行刻蚀，保留正面电镀种子层；步骤2，在保留正面电镀种子层的双面基板上完成双面基板的背面工艺过程，对背面电镀种子层进行刻蚀，然后对双面基板的背面凸点进行第一次单面探针测试，测量两两背面凸点间电通断连接关系；步骤3：刻蚀正面凸点以外区域的正面电镀种子层，对双面基板的正面凸点进行第二次单面探针测试，测量两两正面凸点间电通断连接关系；步骤4：结合步骤2第一次单面探针测试结果和步骤3第二次单面探针测试结果，得到双面基板的正反表面凸点间电连接测试结果。解决硅转接基板晶圆的电通断测试问题，适于自动化量产测试。
一种双面电通断测试方法

[发明专利]一种带TSV通孔的芯片结构和制备方法-CN202011380947.1有效
发明人：李宝霞;刘建军;赵鸿 -专利权人： 珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种带TSV通孔的芯片结构和制备方法，结构包括密闭环、芯片内部电路、缓冲区和TSV通孔；芯片内部电路设置在芯片表面上，密闭环环绕芯片内部电路设置在芯片表面上，缓冲区设置在密闭环和芯片内部电路之间；TSV通孔设置在缓冲区上。方法包括以下过程，在芯片上表面沉积SiO2层；在密闭环和芯片内部电路之间的缓冲区上进行TSV导电盲孔的嵌入；在芯片上制备正面金属布线层；在正面金属布线层上制备正面微凸点；将芯片正面与载片临时键合在一起；将芯片背面硅衬底进行减薄，露出TSV盲孔，对TSV盲孔底部进行包裹；抛光露出TSV导电盲孔形成TSV孔；进行解键合去除载片，切割划片形成带TSV通孔的芯片，在芯片上实现垂直TSV导电通道。
一种 tsv 芯片结构制备方法

[发明专利]硅转接板的互连测试夹具及互连测试方法-CN202011187409.0有效
发明人：潘鹏辉;吴道伟;李宝霞;刘建军 -专利权人： 珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明属于先进电子封装技术领域，公开了一种硅转接板的互连测试夹具及互连测试方法，测试夹具包括夹具本体和若干硅胶垫，夹具本体上开设通孔及真空接头，通孔内壁上设置晶圆放置环，晶圆放置环上设置若干腔体，腔体上开设真空吸附沟槽和若干安装孔；硅胶垫上设置若干真空孔和若干凸起，若干凸起分别与若干安装孔连接，若干真空孔均与真空吸附沟槽连通。测试方法包括获取待测硅转接板上的测试资料；根据待测硅转接板上的测试资料，设定硅转接板摆放位置并将待测硅转接板装载在互连测试夹具上；生成各测点网络的开路测试方案及短路测试方案进行测试。有效规避裂片风险，采用直接测试，保证了轻、可靠接触，不会造成产品损伤又不影响后工艺加工。
转接互连测试夹具方法

[发明专利]一种CCGA器件焊柱无损磨平方法及装置-CN202110663163.8有效
发明人：王宝成;陈雷达;刘晓艳;牛昊;孙青峰 -专利权人： 珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种CCGA器件焊柱无损磨平方法及装置，通过采用注塑树脂对待修整CCGA器件的焊柱进行灌封的方法对待修整CCGA器件的焊柱端进行灌封，然后将灌封后的待修整CCGA器件的焊柱端进行研磨直至焊柱剩余高度达到设计要求，采用注塑的方法进行焊柱磨平前的固定，可以确保焊柱在研磨的过程中侧壁不会受到损伤，焊柱的垂直度不会变差，最后完成磨平后采用化学溶解的方式实现焊柱灌封的注塑树脂的去除，整个过程无机械应力，实现焊柱的无损磨平，可大幅减少机械夹持引起的焊柱变形和损伤，对于制作高可靠的CCGA具有重要应用价值，具有良好的应用前景和经济效益。经检测，可以实现垂直度3°以内，侧壁无机械损伤的高质量焊柱磨平，优于目前业内的植柱磨平方法。
一种 ccga 器件无损磨平方法装置

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