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[发明专利]IMC蒸发舟皿绝热筒组件-CN201610034572.0有效
发明人： R·E·拉蒂默 -专利权人：钴碳化钨硬质合金公司
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种IMC蒸发舟皿绝热筒组件，所述IMC蒸发舟皿绝热筒组件包括IMC蒸发舟皿和绝热筒，所述绝热筒具有容纳绝热主体的容器，所述绝热主体容纳腔体。所述IMC蒸发舟皿接纳在所述腔体内，以便限定所述IMC蒸发舟皿与所述绝热主体之间的空气空间。加热器容纳在所述空气空间内。
imc 蒸发舟皿绝热组件

[发明专利]在血管造影过程中改进放射图像的方法-CN202080033590.1在审
发明人： S·赞诺利;E·阿尔蒂尼 -专利权人：安焦德罗伊德有限责任公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明描述了一种用于在数字减影血管造影术(DSA)介入期间获得改进的数字放射图像的方法，该方法通过在人体或动物体的检查区域(Z)中引入由CO2或其他流体组成的造影剂，并在造影剂输入时创建检查区域(Z)的数字放射图像(IMC1、IMC2、IMC3...IMCn)来实现。用带有造影剂的每个图像(IMC1、IMC2、IMC3...IMCn)减去相同区域(Z)的掩模图像(IMM1、IMM2、IMM3...IMMn)，从而产生一系列具有有限噪点的“干净”数字放射图像。根据该方法，每个掩模图像(IMM1、IMM2、IMM3...IMMn)由具有对比度的图像(IMC(2‑1)、IMC(3‑1)...IMC(n‑1))组成，该图像紧接在当前获得的具有对比度的图像之前，或者通过其加权组合而获得
血管造影过程改进放射图像方法

[发明专利]基于IMC-PID的航空发动机伺服控制器设计方法-CN202210371630.4在审
发明人：姚华;倪烨斌;仇小杰;陈杰;范白清;何健 -专利权人：中国航发控制系统研究所
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G05B11/42 文献下载
摘要：本发明涉及航空发动机技术领域，具体公开了一种基于IMC‑PID的航空发动机伺服控制器设计方法，其中，包括：建立二阶伺服动态特征模型；根据所述二阶伺服动态特征模型构建基本二自由度IMC控制构型；根据所述基本二自由度IMC控制构型进行控制结构的等效变换，得到IMC‑PID控制结构，其中所述IMC‑PID控制结构包括前向指令整定器和反馈变形PID内控制器；根据伺服稳态、动态及抗干扰性能约束条件依次完成反馈变形PID内控制器和前向指令整定器的参数设计，获得初始IMC‑PID伺服控制器；将所述初始IMC‑PID伺服控制器进行抗积分饱和综合处理，得到目标IMC‑PID伺服控制器。本发明提供的基于IMC‑PID的航空发动机伺服控制器设计方法提升了伺服控制的可靠性。
基于 imc pid 航空发动机伺服控制器设计方法

[发明专利]一种基于IMC厚度控制的再流焊工艺参数可靠性的设计方法-CN202011017534.7有效
发明人：潘开林;李艺璇;龚雨兵;黄伟;李通;滕天杰 -专利权人：桂林电子科技大学
申请日： 2020-09-24 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了基于IMC厚度控制的再流焊工艺参数可靠性的设计方法，包括：确定回流焊的工艺参数，包括：第一工艺参数和第二工艺参数；基于所述回流焊的第一工艺参数完成正交实验，得到正交实验结果；基于所述第一工艺参数对样品对进行焊接，得到镶样样品；确定镶样样品的IMC的实际厚度；基于所述正交实验结果得到所述工艺参数与IMC的厚度的关系式；基于所述第二工艺参数以及所述第一工艺参数与IMC的厚度的关系式，得到IMC的理论厚度；通过所述IMC的实际厚度与所述IMC的理论厚度对所述第二工艺参数进行优化，输出优化的工艺参数。本发明提供了一种将IMC厚度和工艺参数连接起来的方法，建立工艺参数与IMC厚度的关系式。根据关系式可以得到较为准确的工艺参数设置条件。
一种基于 imc 厚度控制焊工参数可靠性设计方法

[发明专利]一种用于医用恒温箱的IMC-Dahlin温度调节器及方法-CN201710485431.5有效
发明人：赵众;李普贤;郭世杰;童镇立;郭伟;童俊强;贾建国;殷佳豪 -专利权人：北京化工大学;杭州盘古自动化系统有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： G05D23/20 文献下载
摘要：一种针对医用恒温箱的IMC‑Dahlin双闭环温度调节器，包括与医用恒温箱对象连接的温度传感器、温控继电器、数据转换模块及IMC‑Dahlin双闭环温度调节器。所述的IMC‑Dahlin双闭环温度调节器包括：数据转换模块、继电反馈模型辨识模块、IMC‑Dahlin双闭环控制器模块，以及提供了一种针对医用恒温箱的基于继电反馈模型辨识的IMC‑Dahlin双闭环温度调节方法
一种用于医用恒温箱 imc dahlin 温度调节器方法

[发明专利]一种表贴焊点IMC热疲劳概率故障物理模型建立方法-CN201410238660.3有效
发明人：陈颖;高蕾;杨柳;王自力 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种表贴焊点IMC热疲劳概率故障物理模型建立方法，步骤如下：一、确定IMC生长物理模型；二、确定表贴焊点热疲劳寿命与IMC厚度之间的物理模型；三、确定IMC厚度分布的概率密度函数μ(δ)；经以上三个步骤，通过界面金属间化合物即IMC这个纽带，直接建立表贴焊点可靠性与表贴焊点加工工艺、工作条件之间的函数关系，考虑到IMC厚度的分散性，对不同产品或者相同产品的不同批次进行了离散化处理，给出表贴焊点IMC热疲劳概率故障物理模型
一种表贴焊点 imc 疲劳概率故障物理模型建立方法

[发明专利]一种纳米IMC均匀增强锡基合金接头的制备方法-CN201911359229.3有效
发明人：王春青;刘威 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B23K35/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米IMC均匀增强锡基合金接头的制备方法，所述方法包括如下步骤：将锡‑金属熔液灌入喷粉机，喷熔液液滴于保护气氛中，熔滴冷却，金属从溶液中析出，在不断凝固的液滴中形成分散的纳米尺度的IMC，液滴冷却成纳米IMC均匀增强锡基粉末；将纳米IMC均匀增强锡基粉末与分散剂、粘结剂、稀释剂以及助焊剂混合，得到纳米IMC均匀增强锡基焊膏；用常规的方法印刷或滴涂于待焊部位；加热焊接，形成接头。本发明可实现纳米颗粒在钎料合金中的均匀分布，保证纳米金属、纳米IMC与钎料合金基体的有效反应，有效提高钎料合金熔点，并获得均匀的组织、高的钎料合金强度。
一种纳米 imc 均匀增强合金接头制备方法

[发明专利]一种基于纳米晶铜基体的微焊点及其制备方法-CN202210952745.2在审
发明人：赵宁;陈湜 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2022-08-09 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：位于第一基底上的第一纳米晶铜基体，位于第二基底上的第二纳米晶铜基体，以及位于第一纳米晶铜基体和第二纳米晶铜基体之间的连接介质，所述连接介质包括Sn钎料或Sn基合金钎料，钎料与纳米晶铜界面为金属间化合物(IMC制备出界面IMC呈层状、劣性Cu3Sn IMC极少、Cu6Sn5IMC取向随机且晶粒尺寸为亚微米级的微互连焊点当钎料高度小于30μm时，可在10min内转变为全IMC焊点，实现低温互连高温服役。制备工艺简单，成本低廉，与现有封装技术有着良好的兼容性，解决传统微焊点中存在的IMC界面应力集中、IMC层织构特征强烈、柯肯达尔孔洞一系列问题，提高微焊点的可靠性与服役性能。
一种基于纳米基体微焊点及其制备方法

[发明专利]用于薄FLI涂敷的在Cu表面抛光上的掺Zn焊料-CN201680013385.2有效
发明人： F·华 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2016-04-01 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：在实施例中，金属间化合物(IMC)阻挡层形成在焊料凸块与管芯接触部之间的界面处。在实施例中，IMC阻挡层是CuZn IMC和/或Cu5Zn8 IMC。
用于 fli cu 表面抛光 zn 焊料

[发明专利]一种处理焦化原废水的方法-CN200510012910.2无效
发明人：李文英;徐英;冯杰 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2005-10-12 - 公布日： 2006-05-31 - 主分类号： C12N11/08 文献下载
摘要：一种处理焦化原废水的方法，属于工业污水处理技术领域，具体来讲是一种利用固定化微生物细胞(Immobilized－Microbial－cell，简称IMC)处理焦化原废水的方法。目的在于解决焦化原废水处理效果不理想的问题，首先培养及驯化硝化细菌以及厌氧酸化细菌，对硝化细菌以及厌氧酸化细菌落采用IMC技术包埋、固定化，然后将驯化成熟后的IMC颗粒与A/O工艺结合处理焦化原废水，同时脱除废水中COD和氨氮，焦化原废水在经过IMC好氧工艺前，先经IMC预处理，由厌氧池去除COD和有机物，再采用IMC好氧工艺处理焦化原废水，整个工艺过程中不外加碳源、无混合液回流及污泥回流装置，成本低；无污泥流失和固液分离困难现象
一种处理焦化废水方法

[发明专利]一种纳米IMC均匀增强锡基焊料及其制备方法-CN201911359228.9有效
发明人：王春青;刘威 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米IMC均匀增强锡基焊料及其制备方法，所述焊料包括如下组分：纳米IMC均匀增强锡基粉末、分散剂、粘结剂、稀释剂、助焊剂，纳米IMC均匀增强锡基粉末为锡固溶体基体中弥散分布Cu6Sn5、Cu3Sn或Ag3Sn纳米IMC的粉末base:Sub>3Sn、Ag3Sn或Ni3Sn4纳米IMCbase:Sub>3Sn、Ag3Sn或Ni3Sn4纳米IMC本发明可实现纳米颗粒在钎料合金中的均匀分布，保证纳米金属、纳米IMC与钎料合金基体的有效反应，有效提高钎料合金熔点，并获得均匀的组织、高的钎料合金强度。
一种纳米 imc 均匀增强焊料及其制备方法

[发明专利]3D NAND中的金属间化合物保护层及其形成方法-CN201711139432.0有效
发明人：刘力恒;高晶;杨川;严萍;丁蕾;喻兰芳;张森;许波 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-11-16 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：提供了一种3D NAND中的金属间化合物(IMC)保护层及其形成方法。该IMC物保护层形成在源极选择单元沟槽中，位于TiN粘附层与钨(W)栅极之间，其为由HfF₄、WF₆与其他辅助气体制备的铪Hf和钨W共沉积金属层经由1000℃以上高温热处理而形成的IMC HfW₂层。该IMC HfW₂层能够阻止钨栅极的钨扩散进入硅衬底，从而避免了击穿电压失效问题，提高了3D NAND的电性能。
dnand 中的金属化合物保护层及其形成方法

[发明专利]基于位单元架构的存内计算-CN202211231850.3在审
发明人： H·拉瓦特;D·K·加纳丹;P·库玛;N·乔拉;M·阿尤蒂亚瓦斯 -专利权人：意法半导体国际有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：存储器阵列还包括多个存内计算(IMC)单元，多个存内计算(IMC)单元被布置为与存储器阵列的多个列相交的IMC单元行的集合。存储器阵列的IMC单元中的每个IMC单元包括具有锁存器、写位线和互补写位线的第一位单元，和具有锁存器、写位线和互补写位线的第二位单元，其中第一位单元的写位线被耦合到第二位单元的互补写位线，并且第一位单元的互补写位线被耦合到第二位单元的写位线
基于单元架构计算

[发明专利]三维芯片堆叠件及其形成方法-CN201410033284.4在审
发明人：陈伟铭;谢正贤;黄松辉;许国经 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：接合结构包括邻近第一导电柱的第一IMC区域、邻近第二导电柱的第二IMC区域和介于第一IMC区域和第二IMC区域之间的金属化层。本发明还公开了三维芯片堆叠件的形成方法。
三维芯片堆叠及其形成方法

[发明专利]三维芯片堆叠件及其形成方法-CN201910117801.9在审
发明人：陈伟铭;谢正贤;黄松辉;许国经 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-01-23 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：接合结构包括邻近第一导电柱的第一IMC区域、邻近第二导电柱的第二IMC区域和介于第一IMC区域和第二IMC区域之间的金属化层。本发明还公开了三维芯片堆叠件的形成方法。
导电柱三维芯片接合堆叠件芯片接合结构互连件衬底邻近金属化层

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