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[发明专利]一种用于碳化硅晶锭的分离方法-CN202310839189.2在审
发明人： 于大全;姜峰 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-10 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅晶锭分离的方法，夹持碳化硅晶锭以使得碳化硅晶锭的长度方向水平延伸；在碳化硅晶锭的圆柱表面上形成多个环绕圆柱表面的刻蚀阻挡图案，多个刻蚀阻挡图案之间分别具有间隔；用刻蚀气体同步进行刻蚀以使得形成多个单独的晶圆片。本发明通过在碳化硅晶锭表面形成刻蚀阻抗图案，对碳化硅晶锭进行干法刻蚀。在刻蚀过程中通过上下刻蚀气体同时进行双面，旋转晶锭使其刻蚀更加均匀，根据刻蚀深度不同，不断改变刻蚀的速率和旋转的速度，以达到碳化硅晶锭的利用率大幅提升，同时刻蚀后的表面均匀性更好，可以省去减薄步骤，同时降低CMP的工艺时间，成本更低。因为干法刻蚀的微损伤更少，所以产品的良率更佳。
一种用于碳化硅分离方法

[发明专利]一种双频双极化磁电偶极子滤波天线-CN202310875471.6在审
发明人：张垚;辜为栋;黄楷;于大全 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：一种双频双极化磁电偶极子滤波天线，涉及磁电偶极子天线。包括底层介质板、馈电结构、磁偶极子介质板组、电偶极子介质板、滤波磁偶极子介质板组；底层介质板上设插槽用于滤波磁偶极子介质板组连接固定；电偶极子介质板上设插槽用于滤波磁偶极子介质板组穿过；磁电偶极子天线结构产生低频辐射零点Ⅰ，将微带功分器的末端微带线延长得中频带间辐射零点Ⅱ，引入中频带间滤波磁偶极子贴片得中频带间辐射零点Ⅲ，在磁偶极子顶部和电偶极子的连接结构中设槽结构得高频边带辐射零点Ⅳ，引入高频带外滤波磁偶极子贴片得高频辐射零点Ⅴ，滤波磁偶极子设在磁电偶极子天线内部，不增加天线剖面高度和轮廓尺寸，无需滤波器网络，实现双极化和双频带通滤波。
一种双频极化磁电偶极子滤波天线

[发明专利]薄型3D扇出封装结构及晶圆级封装方法-CN201710608974.1有效
发明人：王腾;于大全 -专利权人：华天科技（昆山）电子有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄型3D扇出封装结构及晶圆级封装方法，在载板上制作凹槽及深度小于凹槽的盲孔，在盲孔内壁沉积衬里，及凹槽至少底部沉积介质层，金属材料填充盲孔，并将芯片埋入凹槽中，通过金属重布线连接芯片焊垫或者盲孔金属材料；减薄载板第二表面，暴露盲孔中金属材料。金属重布线或金属材料上制备电性导出点，堆叠芯片或者印刷电路板通过载板第一表面和第二表面的电性导出点与芯片焊垫的电性相连，实现3D扇出封装。本发明先制作TSV及衬里，解决了TSV衬里沉积质量问题，更好实现超高密度互联；凹槽底部沉积介质层，保护芯片不被刻蚀，载板减薄后，介质层与TSV孔的高度差容纳部分第二电性导出点，降低了堆叠厚度。
薄型封装结构晶圆级方法

[发明专利]基于极化转换部分反射面的宽带双极化天线阵列去耦结构-CN202310875687.2在审
发明人：张垚;何晓玲;黄楷;于大全 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：基于极化转换部分反射面的宽带双极化天线阵列去耦结构，属于无线通信领域。用于提高紧密排列的宽频带、双极化天线之间的隔离度。包括两层去耦层及两个天线单元组成的天线阵列；第一去耦层位于天线上方位置，根据去耦结构的极化转换特性，可将x极化的入射波可以转化成y极化的反射波，入射波通过去耦层产生两个相互正交偏振反射波，与天线单元间的耦合波抵消，减小相同极化和正交极化天线阵列的耦合；第二去耦层结构位于第一去耦层和天线阵列的中间，两层去耦层实现良好宽频带去耦和阻抗匹配；宽频带、双极化天线单元是巴伦馈电的偶极子结构。通过在相邻两天线单元上方放置两层去耦层结构，有效提高天线单元间的隔离度，解决天线阵列耦合问题。
基于极化转换部分反射宽带天线阵列结构

[发明专利]Taiko晶圆化学镀方法、Taiko晶圆及半导体器件-CN202310744047.8在审
发明人：王强华;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： C23C18/08 文献下载
摘要：本发明涉及半导体加工技术领域，本发明提供一种Taiko晶圆化学镀方法，Taiko晶圆包括晶圆体和Taiko环，在晶圆体的背面具有Taiko环区域和非Taiko环区域，Taiko环设置在Taiko环区域，该方法包括：在Taiko环的背面、Taiko环的内侧面和晶圆体的背面的非Taiko环区域喷涂粘结胶；利用化学镀工艺在晶圆体的正面镀上金属；去除粘结胶；在完成喷涂粘结胶的步骤后，以晶圆体的正面为高度基准线，位于非Taiko环区域的粘结胶的高度低于位于Taiko环的背面的粘结胶的高度。借此可以保证Taiko晶圆背面不会因受镀金属而影响产品品质，并且该Taiko晶圆化学镀方法的加工步骤简易，能够有效降低产品因加工工序过多且繁杂所导致的产品良率损失。
taiko 化学方法半导体器件

[发明专利]一种天线阵列解耦结构的微纳加工技术-CN202310791705.9在审
发明人：张淼;黄智昌;徐佳帅;于大全 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01Q21/00 文献下载
摘要：本发明属于微纳加工技术领域，具体公开了一种天线阵列解耦结构的微纳加工技术，包括以下步骤：在玻璃衬底晶圆上加工空腔结构；将上述处理后的玻璃晶圆上层覆盖有机绝缘层；在上述处理后的玻璃晶圆上加工金属层，形成阵列结构的解耦结构条；将所得解耦结构条高精度排布于缝隙天线阵列上，覆盖缝隙天线的辐射缝隙。本发明基于玻璃衬底和圆片级加工工艺，以及后续的高精度结构排布，可实现毫米波、太赫兹天线解耦亚波长结构的加工，具有高性能、低成本、高精度等优势。
一种天线阵列结构加工技术

[发明专利]一种基于解耦表面的双极化和圆极化双频共轴天线-CN202310892965.5在审
发明人：张垚;黄楷;于大全;柳清伙 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-07-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01Q1/36 文献下载
摘要：一种基于解耦表面的双极化和圆极化双频共轴天线，涉及天线。包括第一介质板、解耦表面、低频偶极子天线、低频偶极子天线Y形馈电线、低频馈电同轴线、第二介质板、高频贴片天线、高频贴片天线勾形馈电线、高频馈电同轴线、第三介质板、第四介质板、第五介质板、一分二线极化差分馈电功分器和一分四圆极化馈电功分器。解耦表面与低频天线的结合使高频天线的辐射波透过，在不影响低频天线正常工作和不增加天线整体剖面的同时，解决低频天线对高频天线遮挡问题，恢复高频天线增益，修复高频天线方向图畸变。既能实现双极化解耦，也可实现圆极化解耦。高低频的端口隔离度在高低频两个工作频段之间的数值在‑25dB以下，实现良好解耦效果。
一种基于表面极化双频天线

[发明专利]一种基于异质键合的多层玻璃基板工艺和结构-CN202111661338.8有效
发明人：张名川;阮文彪;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-30 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C03C15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质键合的多层玻璃基板工艺，是于玻璃基板表面蚀刻出沟槽，沉积金属于沟槽中形成金属线路，然后覆盖无机介质层；再制作出与金属线路连接的Via连接结构，得到单层单元；根据布线要求，将至少两个单层单元上下叠放并使Via连接结构相对应，通过玻璃/金属异质键合形成多层玻璃基板。本发明实现了内嵌多层布线的玻璃基板结构，可实现细线宽线距，满足高密度布线，具有更好的性能以及更广泛的应用。
一种基于异质键合多层玻璃工艺结构

[发明专利]一种基于各向异性超材料的天线阵列解耦结构及设计方法-CN202310791694.4在审
发明人：张淼;徐佳帅;黄智昌;于大全 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01Q1/52 文献下载
摘要：本发明属于天线解耦技术领域，具体公开了一种基于各向异性超材料的天线阵列解耦结构及设计方法，其中设计方法包括在辐射缝隙上方加载理想各向异性材料层，根据对天线的性能要求以及解耦要求，使用软件仿真优化理想各向异性材料层介电常数和磁导率的分布，达到解耦的效果；设计出各向异性介电常数和磁导率分布的实际的各向异性超材料；将各向异性超材料放置于待解耦波导缝隙天线阵列辐射缝隙上方，仿真优化天线的各项尺寸参数降低反射，直至优化出所需求的天线工作带宽。本发明利用各向异性超材料对缝隙天线的辐射近场的控制，实现缝隙天线阵列单元间的高隔离度以及实现各个天线单元方向图的稳定，从而实现天线解耦。
一种基于各向异性材料天线阵列结构设计方法

[发明专利]一种用于高深宽比硅通孔填实的方法及镀液-CN202310606505.1在审
发明人： 于大全;黎科;夏启飞;王曼玉;钟毅 -专利权人：厦门大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：本发明属于封装转接板工艺技术领域，具体公开了一种用于高深宽比硅通孔填实的方法及镀液，其中用于高深宽比硅通孔填实的方法包括沉积Ru催化层：通过原子层沉积技术在样品表面沉积Ru催化层；化学镀铜种子层：将处理后的样品清洗后进行化学镀铜；电镀铜填充：对处理后的样品进行电镀，电镀结束后用水冲洗，吹干，制作切片。本发明的方法开发出可以实现在高深宽比硅盲孔形成致密铜钟子层的化镀铜配方以及无缺陷铜填实的电镀铜配方。
一种用于高深硅通孔填实方法

[发明专利]一种采用复合键合材料的多层玻璃基板及制作工艺-CN202310314714.9在审
发明人：陈作桓;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用复合键合材料的多层玻璃基板及其制作工艺，其结构包括至少两层玻璃基板和之间的键合层；玻璃基板设有上下贯穿的通孔，键合层设有开孔，通孔和开孔填充金属导电材料连同表面布线层实现上下互连；其中，键合层由非光敏复合键合材料固化形成。复合键合材料热膨胀系数及模量等性能与玻璃基板具有较高的匹配度，且具有较低的介电常数和损耗角正切，可满足高频高速信号传输的要求。
一种采用复合材料多层玻璃制作工艺

[发明专利]声表滤波器、高性能绝缘压电基板结构及其制备方法-CN202310558937.X在审
发明人：陈作桓;张名川;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体工艺制造技术领域，本发明提供一种高性能绝缘压电基板结构，其包括晶圆、标定结构和压电衬底，晶圆具有相对的上表面和下表面，标定结构包括位于晶圆上表面的膜层结构和从膜层结构向上延伸的至少一个凸台结构，压电衬底嵌在标定结构，压电衬底周边为凸台结构。采用此种结构的绝缘压电基板结构，能够在减薄抛光时可以自停止在标定结构界面，从而减少晶圆厚度不均匀对于器件的影响，制备出亚微米级以下的薄膜。
滤波器性能绝缘压电板结及其制备方法

[发明专利]一种声学滤波器封装结构及其制造方法、电子设备-CN202310533656.9在审
发明人：陈作桓;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及声学滤波器封装技术领域，特别涉及一种声学滤波器封装结构及其制造方法，该方法包括：提供正面制作有若干个芯片功能区和若干个焊盘的滤波器晶圆；在滤波器晶圆上形成有光敏保护层；在滤波器晶圆上形成种子层，所述种子层包括位于第一区域上的第一种子层和位于第二区域上的第二种子层；在第一种子层上形成金属密封框架；在种子层上形成第二光刻胶层，第二光刻胶层的上表面高于金属密封框架的上表面；在第二种子层上形成互连凸点，去除第二光刻胶层、光敏保护层及部分种子层，在金属密封框架和互连凸点上形成盖板，将盖板减薄至裸露出互连凸点；在盖板上制作焊接部以连接互连凸点。本发明制得的产品具有更小的尺寸以及更高的可靠性。
一种声学滤波器封装结构及其制造方法电子设备

[发明专利]一种声学滤波器的晶圆级封装结构及其制造方法-CN202310452674.4在审
发明人：宗蕾;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：本发明涉及晶圆级封装技术领域，特别涉及一种声学滤波器的晶圆级封装结构及其制造方法。所述封装结构包括：滤波器晶圆，其正面具有芯片功能区和焊盘，焊盘环绕芯片功能区设置；金属围堰，其连续的环绕芯片功能区设置；金属凸点，其设于焊盘上方；盖板，其设于金属凸点和金属围堰上方并开设有露出金属凸点的局部的连接孔，滤波器晶圆、金属围堰和盖板在至少一个芯片功能区的上方形成空腔；金属布线，其设于盖板上方并通过连接孔与金属凸点连接；阻焊层，其覆盖在金属布线、盖板及金属围堰上，且阻焊层上设有裸露出金属布线局部的开口；导电外接部，其通过开口与金属布线连接。本发明能够提供更大尺寸的空腔，提高产品的可靠性。
一种声学滤波器晶圆级封装结构及其制造方法

[发明专利]一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构及其制作方法-CN202310453379.0在审
发明人：姜峰;于大全 -专利权人：厦门云天半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03H9/10 文献下载
摘要：公开了一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构，包括晶圆，晶圆的衬底具有至少一个有效区域和至少一个裸露区域，有效区域覆盖有复合薄膜，裸露区域设置有向内凹陷的填充部，填充部靠近裸露区域与有效区域相接的边缘；第一薄膜层，第一薄膜层形成在裸露区域的至少部分区域和复合薄膜上且第一薄膜层填充填充部。相应地，本发明还提供了一种具有器件层侧壁保护的滤波器晶圆级封装结构的制作方法，解决了现有双层膜结构可能存在的分层、封装可靠性低和晶圆容易翘曲的问题。
一种具有器件侧壁保护滤波器晶圆级封装结构及其制作方法

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