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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010524386.1有效
发明人：朱辰;何作鹏;杨明;姚达林;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成多个分立的核心层，核心层的延伸方向为第一方向，与第一方向相垂直的方向为第二方向；形成覆盖核心层侧壁的侧墙层；在基底上形成图形传递层，图形传递层覆盖侧墙层的侧壁；在第二方向上，在相邻侧墙层之间的图形传递层中形成第一沟槽；形成第一沟槽后，去除核心层，形成第二沟槽；以图形传递层和侧墙层为掩膜，沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明提高图形传递的精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010561045.1有效
发明人：朱辰;杨明;卑多慧;何作鹏;张超;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有图形传递材料层；进行第一离子注入，向图形传递材料层中掺杂第一离子，形成排布方向为第一方向的第一掺杂掩膜层；在第二方向上，在第一掺杂掩膜层两侧的图形传递材料层中形成第一沟槽，露出第一掺杂掩膜层的侧壁；在第一沟槽侧壁形成掩膜侧墙；进行第二离子注入，向第一掺杂掩膜层和第一沟槽露出的部分区域的图形传递材料层中掺杂第二离子，形成第二掺杂掩膜层；去除剩余图形传递材料层，形成第二沟槽；沿第一沟槽和第二沟槽刻蚀基底，形成目标图形。本发明提高图形传递的精度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201811395542.8有效
发明人：胡连峰;胡友存;杨明;卑多慧;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成第一电极层；在所述第一电极层的顶部和侧壁形成电容介质层；形成保形覆盖所述电容介质层的第二电极层。与电容介质层仅覆盖第一电极层顶部的方案相比，本发明增加了第二电极层和第一电极层之间的有效面积，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层顶部的电容介质层构成一个电容，所述第二电极层、第一电极层、以及位于第一电极层侧壁的电容介质层构成另外四个电容，即所形成的电容结构中包含五个并联电容，在同等基底面积等其他条件相同的情况下，增大了电容结构的电容密度。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011061147.3在审
发明人：何作鹏;杨明;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成图形记忆层，图形记忆层开设有延伸方向互相平行的第一沟槽，第二沟槽和第三沟槽，第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽采用不同的光罩形成；形成核心材料层，核心材料层填充第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽；图形化核心材料层，形成核心层，核心层开设有隔离开口；填充隔离开口形成隔离层，隔离层的顶部与核心层的顶部齐平；去除核心层，形成第四沟槽，第四沟槽对应金属互连层。由于多道第一沟槽，第二沟槽以及第三沟槽的切断可以在同一工艺步骤完成，方法即使在图形尺寸接近设备参数极限的情况下，也能够实现后端加工工艺中对更小尺寸的图形的加工。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202011061150.5在审
发明人：何作鹏;杨明;卑多慧;苏柏青 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成图形记忆层，所述图形记忆层至少开设有第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽的延伸方向平行于所述第二沟槽的延伸方向，所述第一沟槽和所述第二沟槽采用不同的光罩形成；在所述基底的对应所述第一沟槽和所述第二沟槽的位置处形成分立于所述基底上的核心层。所述方法能够避免直接形成分立的核心层时因光刻胶细长造成的刻蚀过程中的光刻胶剥离问题；进一步地，能够避免多次光刻直接形成核心层时对填充材料要求较高的问题，降低对填充材料的要求。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202010305032.8在审
发明人：王士京;何其暘;何欣祥;卑多慧;杨明;姚达林;黄敬勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底、位于基底上的刻蚀停止材料层、位于刻蚀停止材料层上的第一抗刻蚀材料层以及位于第一抗刻蚀材料层上的掺杂层；以掺杂层为掩膜，刻蚀第一抗刻蚀材料层，形成第一抗刻蚀层；以第一抗刻蚀层为掩膜刻蚀刻蚀停止材料层，形成刻蚀停止结构。本发明实施例在形成第一抗刻蚀层的过程中，以刻蚀停止材料层的顶部为刻蚀停止位置，使得掺杂层中的底部凸角不易传递到第一抗刻蚀层中，使得第一抗刻蚀层的形成质量较好；同理，形成刻蚀停止结构的过程中，以基底的顶部为刻蚀停止位置，这进一步减小了底部凸角现象对刻蚀停止结构的影响，最终使得刻蚀停止结构的形成质量较好。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010252060.8在审
发明人：何作鹏;杨明;卑多慧;朱辰;张超;倪百兵 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括若干第一区和第二区，第二区位于相邻的第一区之间；在待刻蚀层上形成牺牲层；在第一区上的牺牲层内形成若干第一凹槽；在第一凹槽侧壁表面形成第一侧墙；对第二区上的部分牺牲层进行改性处理，形成第一改性层，第一改性层位于相邻第一凹槽之间且与第一侧墙相接触；对第一区上的部分牺牲层进行改性处理，形成第二改性层，第二改性层位于第一区上相邻的第一凹槽之间且与第一侧墙相接触；去除牺牲层，在第一改性层、第二改性层和第一侧墙之间形成第二凹槽；形成第二凹槽之后，以第一改性层、第二改性层和第一侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀层。所述方法提升了半导体结构的尺寸精准度。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710222212.8有效
发明人：神兆旭;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述装置包括：衬底；在衬底上基本垂直的半导体柱；在衬底的表面上与半导体柱的下部接触的第一接触材料层；在第一接触材料层上的第一隔离材料层，第一隔离材料层的上表面低于半导体柱的上表面；在第一隔离材料层上以及半导体柱的侧壁的一部分上的栅极电介质材料层，栅极电介质材料层使得半导体柱的上部露出；以及在第一隔离材料层上的栅极电介质材料层上的栅极堆叠结构，栅极堆叠结构包围半导体柱的侧壁上的栅极电介质材料层的一部分，栅极堆叠结构由内向外依次包括P型功函数调节层、N型功函数调节层和栅极。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710222205.8有效
发明人：神兆旭;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-04-07 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L29/775 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括衬底和在衬底上基本垂直的半导体柱；在衬底结构的表面上依次形成第一保护层和第二保护层；对第二保护层进行刻蚀，以使得在衬底之上的第一保护层和在半导体柱的上表面上的第一保护层暴露；去除暴露的第一保护层，以使得衬底的表面和半导体柱的下部暴露；去除剩余的第二保护层；在衬底的表面上形成与半导体柱的下部接触的第一接触材料层。本申请引入了第一保护层和第二保护层，一方面，半导体柱的侧壁上不会形成第一接触材料层，另一方面，第一接触材料层形成在衬底的表面并且与半导体柱的下部接触，从而不会增大源极的串联电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]互连结构的设计方法、装置及制造方法-CN201711316382.9有效
发明人： 卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2017-12-12 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种互连结构的设计方法、装置及制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：根据芯片设计图的电路区域中金属互连层的数量设计n种虚拟互连单元，第i种虚拟互连单元包括i层金属互连层，第j种虚拟互连单元中相邻的金属互连层通过通孔连接，其中，n≥2，1≤i≤n，2≤j≤n；在芯片设计图中除电路区域之外的区域中填充虚拟互连单元，其中，优先填充第j种虚拟互连单元，在所述区域中没有空间用于填充第j种虚拟互连单元的情况下，才填充第j‑1种虚拟互连单元。
互连结构设计方法装置制造

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910988356.3在审
发明人：王士京;何其暘;卑多慧;杨明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成具有露出基底的开口的有机层；在开口中形成阻断结构材料层，包括保形覆盖开口侧壁以及开口底部，开口侧壁上的第一阻断层围成缝隙，阻断结构材料层还包括位于缝隙中的第二阻断层，第二阻断层的耐刻蚀度大于第一阻断层的耐刻蚀度；去除第二阻断层以及覆盖第二阻断层侧壁的第一阻断层，剩余的第一阻断层作为阻断结构。第二阻断层提高了阻断结构材料层的中间区域的耐刻蚀度，在形成阻断结构的过程中，阻断结构材料层的中间区域不易被过快去除，提高了阻断结构的顶面平坦度，因此阻断结构在后续过程中能起到更好的掩膜作用。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910826080.9在审
发明人：胡连峰;杨明;卑多慧;倪百兵;张超 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成第一电极层；在第一电极层上形成一个或多个相隔离的叠层结构，叠层结构包括电容介质层以及位于电容介质层上的第二电极层；形成黏附层以及保形覆盖黏附层的刻蚀停止层，黏附层覆盖叠层结构的侧壁表面和顶部、以及第一电极层的部分表面；形成覆盖刻蚀停止层和第一电极层的介电层；形成贯穿介电层、刻蚀停止层和黏附层且与第一电极层相接触的第一导电插塞，以及贯穿介电层、刻蚀停止层和黏附层且与第二电极层相接触的第二导电插塞。本发明实施例有利于提高半导体结构的可靠性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201710866497.9有效
发明人： 卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供衬底，所述衬底包括器件区；在所述衬底上形成功能层；在所述器件区功能层上形成多个分立的初始核心层，相邻初始核心层之间具有第一间隙；在所述初始核心层侧壁表面形成侧墙；形成所述侧墙之后，去除所述第一间隙底部的功能层，在功能层内形成第一开口；形成所述侧墙之后，对所述初始核心层进行图形化处理，去除部分初始核心层，形成核心层以及位于侧墙之间的第二间隙；去除所述第二间隙底部暴露出的功能层，在所述功能层中形成第二开口。所述形成方法能够改善所形成半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置-CN201610882481.2有效
发明人：神兆旭;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-10-09 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该方法包括：在第一纳米线和第二纳米线上形成功函数层；在半导体衬底上形成第一金属栅电极层；去除位于第一纳米线上的部分所述功函数层；在从所述第一金属栅电极层中露出的所述第一纳米线的侧壁上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，回蚀刻去除位于第一纳米线上的部分高度的所述功函数层以及部分第一金属栅电极层；在第一金属栅电极层形成第二金属栅电极层，以形成包围部分第一纳米线的第一金属栅极结构，其包括位于所述第一纳米线部分侧壁上的第一厚度的功函数层，以及位于所述第一厚度的功函数层上方的第二厚度的功函数层，所述第一厚度大于所述第二厚度。
一种半导体器件及其制造方法电子装置

[发明专利]一种半导体器件及其形成方法-CN201811379131.X在审
发明人：胡连峰;胡友存;杨明;卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明实施例在电容结构的下方预先形成第一导电结构和与第一导电结构电连接的导电层。使得电流在流经电容结构的过程中不需要经过整个下极板再流出，而是经过下极板下方的第一导电结构和导电层再流出，第一导电结构和导电层的电阻率低于下极板，能够降低半导体器件的电阻，确保器件的可靠性。
一种半导体器件及其形成方法

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