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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]结构化查询语言注入请求的过滤方法、装置、设备及介质-CN202211688209.2在审
发明人： 张世谋 -专利权人：云控智行科技有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F21/56 文献下载
摘要：本说明书实施例公开了一种结构化查询语言注入请求的过滤方法、装置、设备及介质。方案可以包括：获取结构化查询语言注入请求，所述请求中包括结构化查询语言注入请求的类型信息；根据所述结构化查询语言注入请求的类型信息，确定结构化查询语言注入请求的过滤范围；获取配置中心的配置参数，根据所述配置参数确定过滤字典中的关键字符；所述过滤字典用于过滤所述结构化查询语言注入请求中的非法字符；判断所述过滤范围内的结构化查询语言注入请求数据是否包含字典中的关键字符，得到判断结果；当所述判断结果表示所述过滤范围内的结构化查询语言注入请求数据包含字典中的关键字符，对所述结构化查询语言注入请求进行拦截。
结构查询语言注入请求过滤方法装置设备介质

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN201611076310.7有效
发明人：蒋会宾;莫福成;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-11-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面自下至上依次形成第一多晶硅层及第一介质层；刻蚀所述第一介质层及第一多晶硅层，形成暴露出所述半导体衬底的沟槽；在所述沟槽中形成填充结构；在所述第一介质层及所述填充结构上形成第二多晶硅；刻蚀所述第二多晶硅层，暴露出所述填充结构及所述填充结构周围的部分所述第一介质层；去除所述填充结构。本发明中，避免刻蚀第二多晶硅层过程中形成残留，防止第一多晶硅层与第二多晶硅层短接，改善器件性能，提高良率。
半导体器件制备方法

[发明专利]晶圆图的生成方法-CN201911330262.3在审
发明人：杨帆;陈龙;张世谋 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶圆图的生成方法，晶圆包括多个重复的曝光单元，晶圆图的生成方法包括如下步骤：画出所述晶圆的轮廓和所述曝光单元的轮廓；获取所述曝光单元的属性信息，根据所述曝光单元的属性信息画出曝光单元分布图；复制所述曝光单元分布图，排布生成粗晶圆图；去除所述粗晶圆图中越界的芯片，生成最终的晶圆图。本发明实施例的晶圆图的生成方法，具有高效、便捷、直观、可用性以及易用性极强的特点，通过本发明的方法构建便捷、高效、适应性强的计算机晶圆图可以极大的提高半导体晶圆自动化测量的效率，提高单位时间的产出，并减少人力资源的消耗，避免不必要的人为错误。
晶圆图生成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法及处理方法-CN201210113408.0有效
发明人：张海洋;张世谋;胡敏达 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法及处理方法，所述半导体结构包括低介电材料层、位于所述低介电材料层内的通孔或沟槽、填充在所述通孔或沟槽内的金属材料，所述处理方法用于减小所述半导体结构的互连寄生电阻电容，包括：对所述金属材料两侧的所述低介电材料层进行热处理；对热处理后的所述低介电材料层进行氮气处理。本发明通过加热作为层间介质层的低介电材料层减小了半导体结构的互连寄生电容电阻，再通过氮气处理使得其效果稳定不变。
半导体结构形成方法处理

[发明专利]高介电层金属栅的制造方法-CN201110398658.9有效
发明人：韩秋华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种高介电层金属栅的制造方法，利用硅烷进行等离子体增强化学气相沉积形成种子层，在该种子层上利用臭氧和正硅酸乙酯进行选择化学气相沉积，以实现在种子层上选择性沉积第一牺牲层，并结合沉积的第二牺牲层，变相的增高了夹层绝缘层的高度，补偿了由于干法刻蚀和后续化学机械研磨中夹层绝缘层的损失，进而保障了最后生成的金属栅极的高度。
高介电层金属制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201110246794.6有效
发明人：王新鹏;黄怡;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法包括以下步骤：提供半导体器件的衬底，所述衬底上形成有栅极结构和第一层间电介质层，所述栅极结构包括金属栅极，所述第一层间电介质层的上表面与所述栅极的上表面基本上齐平；形成界面层，以至少覆盖所述栅极的上表面，以保护所述栅极的上表面不被氧化；以及在所述界面层上形成第二层间电介质层。根据本发明，可以保护金属栅极在层间电介质(例如，氧化物)的沉积工艺中不被氧化；可以保护金属栅极在接触孔(contact hole)蚀刻工艺过程中的抗蚀剂灰化(或含氧干法蚀刻)中不被氧化；和/或可以降低接触件的接触电阻。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]双重图形化方法-CN201010553698.1无效
发明人：张海洋;孙武;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2010-11-19 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：一种双重图形化方法，包括：分别提供基底和压印模具，所述基底上形成有第一光刻胶层，所述压印模具具有第一图形；使用所述压印模具对所述第一光刻胶层进行压印，将所述第一图形转移至所述第一光刻胶层；形成第二光刻胶层，覆盖所述压印后的第一光刻胶层；对所述第二光刻胶层进行图形化，定义出第二图形。本发明有利于改善图形化精度，减小图形的线宽，提高器件集成度。
双重图形方法

[发明专利]侧墙形成方法-CN201010192495.4无效
发明人：韩秋华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧墙形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有栅氧化层和多晶硅层；形成覆盖所述多晶硅层的保护层薄膜，并刻蚀所述保护层薄膜形成保护层；依次刻蚀所述多晶硅层以及栅氧化层形成栅极；形成覆盖所述半导体衬底和保护层以及栅极侧壁的第一介质层，并形成覆盖所述第一介质层的第二介质层；刻蚀所述半导体衬底上以及所述保护层顶部和侧壁的第二介质层，并刻蚀所述保护层顶部和侧壁的第一介质层；去除所述保护层和半导体衬底上的第一介质层，以在栅极侧壁形成侧墙。本发明有利于在所述栅极侧壁形成轮廓良好的侧墙，提高半导体器件的稳定性。
形成方法

[发明专利]双镶嵌结构形成方法-CN201010144234.5有效
发明人：张海洋;王新鹏;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-04-02 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种双镶嵌结构形成方法，包括步骤：提供半导体结构和压印屏蔽，半导体结构包括互连层、位于互连层上的介质层，位于介质层上的牺牲层；对所述半导体结构上的牺牲层进行加热，使得所述牺牲层软化；利用所述压印屏蔽对所述半导体结构上的牺牲层进行冲压，使得所述半导体结构上的凸起嵌入所述牺牲层内；对半导体结构上的牺牲层进行冷却，使得所述牺牲层硬化；将所述压印屏蔽取出，从而在所述半导体结构的牺牲层上形成双镶嵌结构；对具有双镶嵌结构的半导体结构进行刻蚀，使得在介质层中形成双镶嵌结构，并且所述双镶嵌结构中的通孔底部暴露互连层。从而减少了对基底造成的损伤，提高了器件可靠性。
镶嵌结构形成方法

[发明专利]制作接触孔的方法-CN201010131930.2无效
发明人：孙武;王新鹏;张世谋;黄怡 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-15 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作接触孔的方法，包括：在前端器件层上形成刻蚀停止层；在刻蚀停止层上形成介电层；在介电层上形成收缩层；在收缩层上形成底部抗反射涂层；在底部抗反射涂层上涂敷带有图案的光刻胶层；以具有图案的光刻胶层作为掩膜，刻蚀底部抗反射涂层，以形成第一开口；以具有图案的光刻胶层和底部抗反射涂层作为掩膜，使用包括氟代烃气体和氧气的刻蚀气体对收缩层进行刻蚀，以形成具有渐缩倾斜侧壁的第二开口；以收缩层为掩膜，刻蚀介电层到刻蚀停止层的上表面；以及去除底部抗反射涂层和收缩层，形成接触孔。本发明的方法能够有效地实现40nm、甚至更大的收缩量，并且能得到较好的关键尺寸均匀度。
制作接触方法

[发明专利]通过等离子体刻蚀法形成金属栅极的方法-CN201010023130.9无效
发明人：王新鹏;张世谋;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-20 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种通过等离子体刻蚀法形成金属栅极的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有金属层和覆盖该金属层的具有图形的图形化掩膜层；使用包含CH4的刻蚀气体以形成等离子体，对该金属层进行干法刻蚀，以将该图形转移到所述金属层；以及去除覆盖在所述金属层上的图形化掩膜层，以形成金属栅极。
通过等离子体刻蚀形成金属栅极方法

[发明专利]STI的形成方法-CN200910199227.2有效
发明人：张海洋;王新鹏;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供了一种STI的形成方法，包括步骤：提供半导体基底，半导体基底上具有刻蚀阻挡层，在所述刻蚀阻挡层上具有光掩膜图形；利用光掩膜图形做掩膜，对所述刻蚀阻挡层进行第一刻蚀，从而在刻蚀阻挡层形成V型第一开口；利用光掩膜图形做掩膜，沿所述第一开口对所述刻蚀阻挡层进行第二刻蚀，直到露出半导体基底，形成和第一开口贯通的V型第二开口，所述第二开口侧壁的倾斜角小于第一开口侧壁的倾斜角；利用所述刻蚀阻挡层做掩膜，对所述半导体基底进行刻蚀，从而在半导体基底内形成沟槽；利用绝缘介质填充所述沟槽。本发明减少了形成STI过程中刻蚀阻挡层和半导体基底交界处发生崩裂的问题。
sti 形成方法

[发明专利]金属栅电极和金属栅电极的制作方法-CN200910198093.2有效
发明人：王新鹏;张海洋;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属栅电极的制作方法，该方法包括：在半导体衬底的有源区上依次形成栅氧化层和“T”形结构物质；在半导体衬底的有源区上，未形成有所述栅氧化层和“T”形结构物质的位置沉积层间介质层，所述层间介质层的高度与“T”形结构物质齐平；将所述“T”形结构物质去除；在去除“T”形结构物质的位置沉积形成“T”形金属栅电极。本发明还公开了一种具有“T”形结构的金属栅电极。采用本发明的金属栅电极的制作方法，形成的金属栅电极，增大了金属栅电极与接触孔的对准窗口，更容易在层间介质层中填充金属栅电极材料，而且使得电路器件具有较好的电性。
金属电极制作方法

[发明专利]半导体器件的刻蚀方法-CN200910054439.1无效
发明人：张海洋;孙武;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-06 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的刻蚀方法，该方法包括：在绝缘层上涂布光阻胶层；曝光显影图案化所述光阻胶层；采用稀有气体氩(Ar)和氧气(O2)去除光阻胶开口底部的光阻胶残渣；对绝缘层进行刻蚀，并去除光阻胶。采用该方法解决了由于显影不足带来的残渣(Scumming)问题，使得半导体器件的刻蚀达到目标值，大大提高了器件的产品合格率。
半导体器件刻蚀方法

[发明专利]光刻方法-CN200910054405.2有效
发明人：张海洋;黄怡;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G03F7/36 文献下载
摘要：一种光刻方法，包括：在显影后，使用干法蚀刻的方法修剪光阻图形，在所述干法蚀刻时采用偏置电压。所述光刻方法使得蚀刻气体离子与光阻图形进行蚀刻反应的位置更加精确，提高了修剪光阻图形的质量。从而通过修剪光阻图形，相应减小了后续蚀刻形成的半导体结构的线宽粗糙度。
光刻方法

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