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[发明专利]雨刮自动控制方法、装置、设备及可读存储介质-CN202310917768.4在审
发明人：潘香英;武其斗;何清华;龚灿;严坤 -专利权人：东风汽车集团股份有限公司
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： B60S1/08 文献下载
摘要：本发明提供一种雨刮自动控制方法、装置、设备及可读存储介质，雨刮自动控制方法包括：实时获取雨滴图像，其中，雨滴图像中的雨滴未与前挡风玻璃接触；根据雨滴图像计算得到预设范围内的雨滴总体积，对预设时间内获取的所有雨滴图像对应的雨滴总体积求平均值，得到体积参考值；根据体积参考值控制雨刮的工作频次。本发明通过图像采集的方式扩大了雨滴的感应范围，有助于减少误判和漏判，通过计算体积参考值判断雨量大小，判断准确性高，从而保证稳定良好的除雨效果，提高驾驶舒适性和安全性。
自动控制方法装置设备可读存储介质

[发明专利]多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法-CN202310729525.8在审
发明人：宓珉瀚;温馨怡;周雨威;龚灿;王鹏飞;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种多维栅控高线性N面GaN基射频功率器件及其制备方法，包括：衬底，依次设置于衬底上的缓冲层、势垒层和沟道层；源极和漏极，位于沟道层上，源极和漏极间隔设置；氮化硅层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之间，氮化硅层包括栅脚区域，栅脚区域暴露出沟道层；沟道阵列结构，沟道阵列结构的投影位于栅脚区域，沟道阵列结构包括多个间隔排布的刻蚀部分，刻蚀部分由刻蚀掉至少部分沟道层形成，或由刻蚀掉沟道层和至少部分势垒层形成；沿垂直于衬底的方向，刻蚀部分的投影为矩形或梯形；栅极，覆盖于沟道阵列结构上、以及部分氮化硅层上。本发明能够提供高频、高线性N面GaN基Fin/Fin‑like HEMT器件。
多维栅控高线性 gan 射频功率器件及其制备方法

[发明专利]基于无掩膜再生长低阻延伸层的HEMT器件制备方法-CN202310737736.6在审
发明人：宓珉瀚;温馨怡;周雨威;龚灿;王鹏飞;马晓华;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于无掩膜再生长低阻延伸层的HEMT器件制备方法，包括：在衬底上外延生长N面GaN/AlGaN异质结结构；在所述N面GaN/AlGaN异质结结构的表面定义HEMT器件的源区和漏区并形成源区沟槽和漏区沟槽；低温外延生长n+GaN材料或n+InGaN材料，形成无掩膜再生长低阻延伸层；制作器件隔离区；形成源电极和漏电极；形成钝化层；形成栅极凹槽；表面沉积介质层；基于所述栅极凹槽制作浮空T型栅，得到制备完成的HEMT器件。本发明制备出的HEMT器件能够用于6G太赫兹频段。
基于无掩膜再生长低阻延伸 hemt 器件制备方法

[发明专利]一种基于机器视觉技术的软管灌装产品光标偏移检测方法-CN202310520519.1在审
发明人：张义伟;沈宝诚;龚灿;王群;刘振洗;孙克强 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机器视觉技术的软管灌装产品光标偏移检测方法，属于检测技术领域；本发明方法包括如下步骤：确定图像坐标原点；对封尾后的整个软管的尾部进行水平投影；寻找软管尾部光标的边缘；计算光标偏差距离。本发明在目前常用的水平投影、边缘检测算法的基础上进行了创新改进，实现了对光标偏移的准确检测，保证每根软管产品在出厂前都经过精准的偏光检测；本发明方法在提高产品质量、保护品牌形象、提升企业竞争力的同时，也提高了检测系统的稳定性及产线的生产效率，同时也降低了人工成本，具有广泛的应用空间和市场价值。
一种基于机器视觉技术软管灌装产品光标偏移检测方法

[发明专利]一种基于原位SiNx的GaN HEMT器件及其制备方法-CN202310330757.6在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;李晗溱;龚灿;周雨威;王鹏飞 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于原位SiNx的GaN HEMT器件及其制备方法，包括：衬底，以及依次设置于衬底上的GaN缓冲层、高极化强度薄势垒层、原位SiNx层；隔离区，位于器件两端，并贯穿原位SiNx层和高极化强度薄势垒层，直至部分GaN缓冲层内；钝化层，位于隔离区和原位SiNx层上；源、漏电极，位于靠近隔离区的器件两端，并贯穿钝化层直至部分原位SiNx层内；其中，源、漏电极在退火过程中下渗，直至部分GaN缓冲层内；T型栅电极，贯穿钝化层和原位SiNx层，直至高极化强度薄势垒层的上表面，以及位于部分钝化层上。本发明可以低成本实现低欧姆接触电阻，并设计制备高频GaN HEMT器件，满足5G及6G应用要求。
一种基于原位 sinx gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]二次电流短接装置-CN202223579562.5有效
发明人：李晓斌;冯超;张华宣;龚灿;李昊;黎宣辰;姚远;张雅诺;杜青云 -专利权人：国家电网有限公司;国网重庆市电力公司长寿供电分公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种二次电流短接装置，包括导体接线柱本体，所述导体接线柱本体中部外圆周上设置有螺纹结构，所述导体接线柱本体下端为配合接线端子使用的锥形段，所述导体接线柱本体上连接设置有外接导线；本技术方案的二次电流短接装置，采用螺纹结构的导体接线柱取代传统的短接片，提高了二次电流回路短接可靠性，有助于避免试验过程中二次电流短接线在端子排处脱落的现象，造成二次电流开路的风险，同时整体结构简单，安装拆卸方便，提高了操作人员工作效率。
二次电流装置

[发明专利]一种纳米碳粉-离子型表面活性剂混合基质及其制备方法和应用-CN202310137315.X在审
发明人：许旭;庄思佳;沈钰琳;龚灿 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G01N27/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种纳米碳粉‑离子型表面活性剂混合基质及其制备方法和应用。混合基质包括摩尔比为(400‑600):1的纳米碳粉和表面活性剂。混合基质的制备方法包括以下步骤：按摩尔比，将纳米碳粉与表面活性剂分散于纯水中，超声震荡，得到混合溶液；再将混合溶液搅拌后，离心，得到纳米碳粉‑离子型表面活性剂混合基质溶液。该混合基质应用在基质辅助激光解吸电离质谱检测中，具体包括以下步骤：混合基质镀层：取混合基质于喷枪中，喷涂于靶板，喷完后晾干；样品镀层：将待测样品涂覆在覆有混合基质镀层的靶板上，干燥后进行正离子模式质谱分析。与现有技术相比，本发明具有制备简单、成本低、稳定性好，能有效提高峰强度和信噪比等优点。
一种纳米碳粉离子表面活性剂混合基质及其制备方法应用

[发明专利]小电流接地系统4PT接线的PT短路故障在线监测方法-CN202211734718.4在审
发明人：匡红刚;胡宗军;龚灿;李晓斌;张华宣;王一夫;冯超;刘立;罗维;汪如意;姚远 -专利权人：国家电网有限公司;国网重庆市电力公司长寿供电分公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种小电流接地系统4PT接线的PT短路故障在线监测方法，包括：所述4PT接线包括A相PT、B相PT、C相PT以及消谐PT；在系统正常运行情况下，计算消谐PT承受的一次电压值并通过对一次电压值进行判断实现对PT短路故障的监测；在系统发生单相接地故障时，计算消谐PT承受的一次电压值并再次通过对一次电压值进行判断实现对PT短路故障的监测。本发明能够在PT不退出运行、不拆卸的情况下对PT短路故障进行实时准确监测，提高了监测效率。
电流接地系统 pt 接线短路故障在线监测方法

[发明专利]一种用于烟包透明纸散包检测的空模盒识别方法-CN202211616011.3在审
发明人：金怀国;龚灿;李松珂;沈宝诚;张义伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于烟包透明纸散包检测的空模盒识别方法，属于检测技术领域。本发明方法，首先对采集的图像进行傅里叶变换，然后将零频分量移到频谱中间，利用自定义的高通滤波器将低频分量滤除，然后对滤除低频分量的频谱进行反傅里叶变换，转换到空间域，并对空间域的图像进行灰度化、自适应阈值分割，利用形态学方法消除其中一些细小噪点，查找边缘和轮廓，将边缘和轮廓点收集起来作为特征点集合，并对特征点集合进行归一化，计算其与标准模板的特征点集合之间的距离，最终实现散包检测的空模盒识别。
一种用于透明纸检测空模盒识别方法

[发明专利]一种基于机器视觉技术的异形滤嘴图形识别方法-CN202211539518.3在审
发明人：朱文祥;龚灿;张义伟;徐洋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06V10/75 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于机器视觉技术的异形滤嘴图形识别方法，属于机器视觉技术领域，本发明首先查找模板图像与目标图像的轮廓中心坐标，对模板图像与目标图像的轮廓进行极坐标转换，将序列TC复制扩展一倍为Tctem，将SC在Tctem上滑动进行归一化的模板匹配，得到最佳匹配系数；当最佳匹配系数不满足设定阈值时，认为目标图像与模板图像差距较大；当最佳匹配系数满足条件时，认为目标图像与模板图像一致。本发明运用极坐标映射思想，将图形转换成以各轮廓点到中心点距离的序列表示，有效解决了其不同图形区分度不明显和图形存在旋转角度时匹配度不够导致的误判问题，能区分不同异型滤嘴的图形，具有较好的检测效果和广泛的应用空间。
一种基于机器视觉技术异形图形识别方法

[发明专利]一种组织样品质谱成像的方法-CN202010775751.6有效
发明人：徐杨;许旭;龚灿;鲁彦;刘兆鑫 -专利权人：上海应用技术大学
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种组织样品质谱成像的方法，该方法包括以下步骤：(1)利用超声使单层氧化石墨烯均匀分散在水中，形成分散液；(2)将分散液滴涂在导电玻璃表面；(3)将导电玻璃置于水平面，待其自然干燥，得到成像薄膜；(4)将组织样品放于成像薄膜之上，进入质谱检测并成像。与现有技术相比，本发明具有薄膜均匀性好、涂覆重复性好、制作简单、保存时间长等优点。
一种组织样品成像方法

[发明专利]一种用于FOCKE包装机的复合型烟支检测装置及方法-CN202011305329.0有效
发明人：龚灿;吴子强;张义伟;金怀国;孙多洋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B65B19/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于FOCKE包装机的复合型烟支检测装置及方法，包括烟丝侧图像采集模块、烟丝侧光电采集模块、滤嘴侧图像采集模块、控制器和人机界面。烟丝侧图像采集模块与滤嘴侧图像采集模块包括LED光源和工业相机，烟丝侧光电采集模块包括发射二极管与接收二极管及信号放大电路，控制器包括核心控制单元以及图像采集通讯接口、光电采集通讯接口、输入输出接口和以太网通讯接口。本发明采用烟丝侧视觉加光电、滤嘴侧视觉的双重检测方式，不仅能够检测FOCKE包装机模盒内常规的烟支空头、缺嘴及缺支缺陷，对反支烟、乱残烟及特殊滤嘴烟也能够准确检测，能比传统检测装置更好地保证烟包的烟支质量。
一种用于 focke 装机复合型检测装置方法

[发明专利]用于机器视觉检测技术的图像采集装置-CN202211341417.5在审
发明人：王群;沈宝诚;龚灿;李松珂;张义伟;刘敏;金怀国;吴子强;孙多洋;徐洋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十一研究所
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：本发明涉及图像处理技术领域，提供了一种用于机器视觉检测技术的图像采集装置，包括两个平行跨设在传送带上的端面采样框体；传送带上还设有平行于传送方向的移动挡板和固定挡板；移动挡板和固定挡板之间形成待检包装盒通过的检测通道；端面采样框体上安装有位于检测通道正上方的端面相机及端面光源座；传送带的一侧还安装有侧边架体，侧边架体上安装有侧边相机及侧边光源座；端面光源座及侧边光源座上均安转有光源。借此，本发明通过在传送带上设置两个端面相机及一个侧边相机，分别采集待检包装盒的端面及侧边切口的图像。所采集的图片均能清晰准确的呈现切口原貌，为机器视觉检测方法在热收缩膜切口检测上的应用提供了有力的保障。
用于机器视觉检测技术图像采集装置

[发明专利]一种高频高线性GaN HEMT器件及制备方法-CN202210895598.X在审
发明人：马晓华;王鹏飞;宓珉瀚;陈治宏;安思瑞;周雨威;龚灿;杜翔;梁宁;窦娟 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性GaN HEMT器件及制备方法，GaN HEMT器件包括：衬底层、缓冲层、势垒层、牺牲层、源电极、漏电极和栅电极，栅电极包括栅脚和栅帽，栅脚的底端部分位于势垒层上且位于牺牲层中间，底端部分靠近漏电极的侧面与势垒层的表面之间形成第一倾斜角，且栅脚底部的长度小于栅脚顶部的长度；栅帽位于栅脚的顶部表面。该高频高线性GaN HEMT器件形成倾斜栅场板结合浮空T型栅的栅电极结构，可以通过栅场板抑制栅下峰值电场，缓解饱和载流子在高场的下降速度，进而提升高频毫米波器件线性度特性，有效缓解了超高频器件随着栅长减小，器件的跨导轮廓在较高栅压下急剧下降，进而影响器件线性度的问题，满足了W波段及更高频率以上的应用需求。
一种高频线性 gan hemt 器件制备方法

[发明专利]一种浮空T型栅及其制备方法-CN202210868730.8在审
发明人：宓珉瀚;马晓华;王鹏飞;陈治宏;周雨威;安思瑞;龚灿;张濛;杜翔 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及一种浮空T型栅及其制备方法，浮空T型栅包括，晶圆片、刻蚀牺牲层、栅脚、微型栅场板和栅帽。刻蚀牺牲层位于晶圆片上；刻蚀牺牲层中设置有栅脚凹槽，栅脚位于栅脚凹槽中。微型栅场板位于刻蚀牺牲层和栅脚上；栅帽位于微型栅场板上。本发明结合了电子束光刻与步进式光刻工艺，解决了多层光刻胶之间的互溶问题，提高了器件制备效率；采用蓝膜剥离工艺，有效解决留在金属蒸镀后，剥离过程中，由金属粘连造成的栅条坍塌问题，提高目前主流浮空T型栅技术的成品率；采用微型栅场板结构，明显提升了目前主流浮空T型栅结构在器件等比例缩小后导致的栅脚局部电场峰值剧增，击穿电压下降的问题。
一种及其制备方法

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