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[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310962831.6在审
发明人：朱惠薇;郭歆;庞微 -专利权人：长鑫科技集团股份有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该制备方法包括如下步骤：提供衬底，衬底包括隔离层以及位于隔离层中的金属接触；在衬底上制备低介电常数层，低介电常数层包括沿远离衬底的方向依次层叠的第一低介电常数子层、第二低介电常数子层和第三低介电常数子层，其中第二低介电常数子层的介电常数小于第一低介电常数子层的介电常数以及第三低介电常数子层的介电常数；刻蚀低介电常数层和隔离层，形成贯穿低介电常数层、且底部位于隔离层中的沟槽，自第一子低介电常数子层起，沿靠近衬底的方向
半导体结构制备方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201110075856.1有效
发明人：米仓和贤;富田和朗 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-03-23 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在扩散阻止膜之上依次叠置第二低介电常数膜、第三低介电常数膜和用作掩膜层的膜。蚀刻用作掩膜层的膜，并且形成其底部由第三低介电常数膜的表面制成的布线沟槽图案。通过灰化去除第一抗蚀剂掩膜。使用掩膜层的布线沟槽图案形成布线沟槽，从而使沟槽的底部由第二低介电常数膜构成。通过CMP方法去除从铜金属的顶部表面到第三低介电常数膜的层。每一个低介电常数膜的介电常数都低于FSG的介电常数，并且第二低介电常数膜的介电常数低于第三低介电常数膜的介电常数。
半导体器件制造方法

[发明专利]改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法-CN201410403327.3有效
发明人：雷通 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善多孔低介电常数材料垂直均匀性的方法，包括第一步骤，进行第一次低介电常数材料沉积以形成第一低介电常数材料层；第二步骤，对第一低介电常数材料层执行等离子体固化以对第一低介电常数材料层的致孔剂进行驱除，由此形成等离子体固化后的低介电常数材料层；第三步骤，在等离子体固化后的低介电常数材料层上进行第二次低介电常数材料沉积以形成第二低介电常数材料层；第四步骤，对第二低介电常数材料层进行紫外光固化处理以形成多孔低介电常数材料
改善多孔介电常数材料垂直均匀方法

[发明专利]异质低介电常数质材与其形成方法-CN200410103761.6有效
发明人：黎丽萍;章勋明;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-31 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种异质低介电常数质材与其形成方法。该异质低介电常数质材包括主要层与次要层，其中主要层包括具有第一低介电常数的第一低介电常数材料，次要层包括具有第二低介电常数的第二低介电常数材料，次要层直接与主要层邻接，且第二低介电常数大于第一低介电常数本发明提供的异质低介电常数质材，可更有效控制金属材料与基底表面之间的寄生电容，并能提高对机械或热应力制程的抵挡，避免造成膜的分层、剥离与碎裂。
异质低介电常数与其形成方法

[发明专利]低介电常数介质薄膜处理方法及半导体互连结构制作方法-CN201310287657.6在审
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-07-09 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请提供了一种低介电常数介质薄膜的处理方法及一种半导体互连结构的制作方法。该低介电常数介质薄膜的处理方法利用非质子溶剂来处理介电常数为K1的低介电常数介质薄膜，处理后的低介电常数介质薄膜介电常数变更为K2，且K2小于K1。利用非质子溶剂去除低介电常数介质薄膜中的水分和氟化物，从而降低了低介电常数介质薄膜的介电常数。该处理方法简单易行，对半导体器件无损伤，逆转了现有制备工艺对低介电常数介质薄膜的破坏性，适于工业化生产。
介电常数介质薄膜处理方法半导体互连结构制作方法

[发明专利]一种显示面板及制程-CN201611261789.1有效
发明人：卓恩宗;樊堃;田轶群 -专利权人：惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种显示面板及制程，显示面板包括：基板；多个主动开关，设置在基板上；低介电常数保护层，所述低介电常数保护层形成在所述多个主动开关上，所述低介电常数保护层的相对介电常数小于氮化硅的相对介电常数。采用低介电常数保护层取代主动开关上的保护层材料氮化硅，低介电常数保护层比一般氧化硅的相对介电常数更低，保护层采用低介电常数保护层可以提高主动开关性能，改善信号串扰问题和RC电路延时问题。
一种显示面板

[发明专利]超低介电常数层的制作方法-CN201110193824.1无效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低介电常数层的制作方法，该方法包括：在硅片的金属层上沉积低介电常数层，采用光刻方式在所述低介电常数层上形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数层，形成沟槽和通孔；湿法清洗去除光刻胶层后，在沟槽和通孔沉积金属后，抛光金属至所述低介电常数层表面，在所述低介电常数层中形成金属连线；对所述低介电常数层采用紫外光照射，形成超低介电常数层；在具有金属连线的所述低介电常数层上沉积第二金属阻挡层后本发明可以防止所制作的超低介电常数层中的介电常数材料的迁移。
介电常数制作方法

[发明专利]低介电常数的介电薄膜的形成方法-CN200610127039.5有效
发明人：林耕竹;周家政;叶明灵 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-09-21 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种低介电常数的介电薄膜的形成方法，包括形成一多孔低介电常数的介电薄膜于半导体基底上的方法。导入活性键结于多孔低介电常数的介电薄膜之中，以改善低介电常数的介电薄膜的损失电阻及化学完整性，进而在经过后续的制程后，保持低介电常数的介电薄膜的低介电常数。进行活性键结的导入方式可以是通过导入氢氧及/或氢基团于多孔低介电常数的介电薄膜的孔隙内，在以硅为主的低介电常数的介电薄膜的一实施例中，可产生硅－氢氧(Si－OH)及/或硅－氢(Si－H)活性键结。在更进一步处理低介电常数的介电薄膜之后，从低介电常数的介电薄膜内移除活性键结。本发明所述的方法改善了损失电阻及介电常数稳定性。
介电常数薄膜形成方法

[发明专利]超低介电常数层的制作方法-CN201110193916.X有效
发明人：周鸣;洪中山 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-07-12 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低介电常数层的制作方法，该方法包括：在硅片的金属层上沉积低介电常数层，采用光刻方式在所述低介电常数层上形成具有沟槽和通孔的图案的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述低介电常数层，形成沟槽和通孔；湿法清洗去除光刻胶层后，在沟槽和通孔沉积金属后，抛光金属至所述低介电常数层表面，在所述低介电常数层中形成金属连线；对所述低介电常数层采用紫外光照射，形成超低介电常数层。本发明可以防止所制作的超低介电常数层中的介电常数材料的迁移。
介电常数制作方法

[发明专利]低介电常数材料薄膜的制造方法-CN02141155.7无效
发明人：张鼎张;刘柏村 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-08 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：一种低介电常数材料薄膜的制造方法，此方法是在一基底上形成一旋涂式低介电常数材料薄膜后，对旋涂式低介电常数材料薄膜进行一烘烤工艺。然后利用一能量流均匀照射旋涂式低介电常数材料薄膜，使旋涂式低介电常数材料薄膜结构能够固化并链接完全，有效降低低介电常数材料薄膜的漏电流。
介电常数材料薄膜制造方法

[发明专利]在制程中测量低介电常数的薄膜性质-CN200610066511.9无效
发明人：蔡嘉祥;徐鹏富;彭宝庆;徐祖望;谢志宏;苏怡年;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成，用红外光谱仪测量介电常数的离子组成，用微波光谱仪测量整体介电常数，推导出介电常数的偶极组成。该系统包含：一椭圆仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一电子组成和产生一测量电子组成；一红外光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一离子组成和产生一测量离子组成；一微波光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的一整体介电常数和产生一测量的整体介电常数；一装置利用该测量的电子组成、该测量的离子组成和该测量的整体介电常数用来推导该介电常数的一偶极组成。
制程中测量介电常数薄膜性质

[实用新型]一种低介电常数双面挠性覆铜板-CN201820996708.0有效
发明人：余鹏飞 -专利权人：湖北恒驰电子科技有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： B32B7/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种低介电常数双面挠性覆铜板，包括：单面覆铜板、低介电常数介质层、及压覆于低介电常数介质层的另一单面覆铜板，所述单面覆铜板包括铜箔层、涂布于所述铜箔层上的低介电常数胶粘剂层以及压合于所述低介电常数胶粘剂层上的热固性聚酰亚胺薄膜层，所述热固性聚酰亚胺薄膜层与所述低介电常数介质层相邻设置；本实用新型提供的低介电常数双面挠性覆铜板，其不仅具有低介电常数、低介质损耗角正切，而且具有优异的耐热性、尺寸稳定性、柔韧性和加工性。
低介电常数低介电常数介质层双面挠性覆铜板单面覆铜板热固性聚酰亚胺本实用新型胶粘剂层薄膜层铜箔层耐热性低介质损耗柔韧性相邻设置加工性角正切压覆压合

[发明专利]低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件-CN03128623.2无效
发明人：中川秀夫;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-04-28 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明涉及低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及具有低介电常数绝缘膜的半导体器件。本发明目的在于提高由多孔膜构成的低介电常数绝缘膜的机械强度。形成低介电常数绝缘膜的溶液含有硅树脂(2)和主要由硅原子及氧原子构成的具有多个空穴的微粒子(3)及溶剂(4)。
介电常数绝缘形成用材方法半导体器件

[发明专利]低K介电薄膜的后处理-CN200580012778.3无效
发明人：崔振江;约瑟芬·J·常;亚历山德罗斯·T·迪莫斯;瑞泽·阿扎维尼;德里克·R·威蒂;海伦·R·阿默;吉利士·A·迪克西特;希琴曼·麦萨迪 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2005-01-27 - 公布日： 2007-04-11 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种在衬底上沉积低介电常数薄膜并后处理该低介电常数薄膜的方法。该后处理包括将该低介电常数薄膜快速加热至所需高温并接着将该低介电常数薄膜快速冷却，从而使该低介电常数薄膜暴露在该所需高温约5秒或更少。在实施方案中，该后处理还包括将该低介电常数薄膜暴露在电子束处理和/或UV辐射中。
薄膜处理

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202310667298.0在审
发明人：宋聪强;吕正良;张劲;李毅 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：半导体结构的制备方法包括：提供初始半导体结构；于初始半导体结构上形成低介电常数材料层，低介电常数材料层内具有多个小孔；于低介电常数材料层之上涂布液态的热固性树脂层；在液态的热固性树脂层渗透至少部分小孔的情况下，对低介电常数材料层进行第一热处理，以使热固性树脂层固态化；于低介电常数材料层内形成贯穿低介电常数材料层的至少一金属互连结构；对低介电常数材料层进行第二热处理，以使小孔中固态化的热固性树脂层分解。由于本制备方法能够尽量避免低介电常数材料层内的各小孔出现破裂或坍塌，从而减小对低介电常数材料层的机械损伤，从而能够提高芯片的可靠性。
半导体结构制备方法

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