“低介电常数”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2048885个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]双频带介质谐振器滤波功分器-CN202310680278.7在审
发明人：徐凯;施金;林垄龙;徐宗铭;路易;赵瑞静;杨永杰 -专利权人：中天射频电缆有限公司;江苏中天科技股份有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：一种双频带介质谐振器滤波功分器，包括依次层叠设置的第一金属地、第一低介电常数介质基板、第二低介电常数介质基板、高介电常数介质基板、第三低介电常数介质基板、第四低介电常数介质基板及第二金属地，高介电常数介质基板包括第一、第二带状介质块，第二、第三低介电常数介质基板上均设置有多个通孔，第三低介电常数介质基板相对高介电常数介质基板的面上设有一对平衡式输入端口和一对平衡式输出端口，平衡式输出端口之间连接有电阻。本申请以两个带状介质块加载上下都引入若干通孔的低介电常数基板的谐振器，结合输出端加载隔离电阻的方式，实现了具备低损耗、高频率选择性、低剖面、易集成及高隔离等特点的双频带介质谐振器滤波功分器。
双频介质谐振器滤波功分器

[发明专利]低介电常数金属层间介质层结构及其制造方法-CN202010588223.X在审
发明人：李南照;王桂磊;孔真真;杨涛;李俊峰;王文武 -专利权人：中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种低介电常数金属层间介质层结构及其制造方法，所述结构包括：低介电常数介质层；金属层，所述金属层间隔分布于所述低介电常数介质层中；其中，所述低介电常数介质层具有正对焊盘的区域和所述正对焊盘的区域之外的区域，在所述正对焊盘的区域内，所述低介电常数介质层内包含氧化物钝化层，在所述正对焊盘的区域全部或者部分低介电常数介质层被替换为氧化物钝化层，优选TEOS制备的氧化层。本公开的优点在于，为了提升器件特性，互连层的IMD膜质使用低介电常数、超低介电常数材料时，可以补强IMD的强度，避免龟裂现象产生。另外，本公开可以与现有低介电常数铜大马士革工艺兼容使用。
介电常数金属介质结构及其制造方法

[发明专利]低介电常数覆铜板及其制作方法-CN201510593839.5有效
发明人：李宝智;贾波;胡林政;夏古俊 -专利权人：重庆市锦艺硅材料开发有限公司苏州分公司
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种低介电常数覆铜板及其制作方法。属于覆铜板技术领域。本发明提供了一种获取耐碱且低介电常数的方石英的方法，并改进覆铜板的树脂混合物的组成成分，获得具有低介电常数的覆铜板。本发明解决了一直以来通过改性树脂或通过使用低介电常数树脂获得低介电常数的方法，而采用了更加经济、方便的添加低介电常数无机填料，具体的是采用脉石英矿石制的方石英粉体作为无机填料组成物降低覆铜板介电常数的方法
介电常数铜板及其制作方法

[发明专利]半导体组件内层介电层与半导体组件及其制造方法-CN200410090379.6有效
发明人：黄泰钧;姚志翔;林义雄;包天一;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：该内层介电层包括第一低介电常数材料层及形成于该第一低介电常数材料上的第二低介电常数材料。该第二低介电常数材料层至少较第一低介电常数材料层具有一不同的材料特征。而第三低介电常数材料层又至少较第二低介电常数材料层具有一不同的材料特征。其中，第一、第二以及第三低介电常数材料层较佳为相同材料所构成，并利用连续在一或数个具有不同沉积条件的沉积室中沉积，其中可调整或改变的沉积条件包括：气体流速、电源功率或气体种类。
半导体组件内层介电层及其制造方法

[实用新型]半导体组件的内层介电层及半导体组件-CN200420009677.3无效
发明人：黄泰钧;姚志翔;林义雄;包天一;陈笔聪;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-11-12 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：该内层介电层包括第一低介电常数材料层及形成于该第一低介电常数材料上的第二低介电常数材料。该第二低介电常数材料层至少较第一低介电常数材料层具有一不同的材料特征。而第三低介电常数材料层又至少较第二低介电常数材料层具有一不同的材料特征。其中，第一、第二以及第三低介电常数材料层较佳为相同材料所构成，并利用连续在一或数个具有不同沉积条件的沉积室中沉积，其中可调整或改变的沉积条件包括：气体流速、电源功率或气体种类。
半导体组件内层介电层

[发明专利]具有钨插塞的稳定金属结构-CN200410096931.2有效
发明人：曾鸿辉;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2004-12-06 - 公布日： 2005-10-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明是关于一种具有钨插塞的稳定金属结构，在较佳实施例中，较厚的一般介电常数介电质形成于基材上。钨插塞形成于前述较厚的一般介电常数介电质中。此较厚的一般介电常数介电质为内缩，而较薄的低介电常数介电质则形成于此较厚的一般介电常数介电质上。前述较薄的低介电常数介电质作为粘着层以及蚀刻终止层。较厚的低介电常数介电质是形成于此较薄的低介电常数介电质上。视情况而定，可形成开口贯穿此较厚的低介电常数介电质以暴露出钨插塞。然后，前述开口以铜或铜合金填满。
具有钨插塞稳定金属结构

[发明专利]避免低介电常数介电层劣化的方法-CN02140253.1有效
发明人：张鼎张;刘柏村;莫亦先 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种避免低介电常数介电层劣化的方法。该方法是先于低介电常数介电层表面形成一图案化的光阻层；接着利用光阻层作为硬屏蔽，对该低介电常数介电层进行一蚀刻制程；然后去光阻层；最后再对低介电常数介电层进行一表面处理，以去除低介电常数介电层中的Si－OH键，进而避免低介电常数介电层吸附水气而发生介电特性劣化的现象。
避免介电常数介电层劣化方法

[发明专利]低介电常数材料的测量方法-CN200610156705.8无效
发明人：沈千万 -专利权人：东部电子股份有限公司
申请日： 2006-12-28 - 公布日： 2007-07-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种低介电常数材料的测量方法。在用于除去蚀刻处理后的光致抗蚀剂膜的灰化处理中，因使用氧等离子，低介电常数材料表面受损并变成氧化物。为测量受损的低介电常数材料的厚度，利用光学测量系统初步测量形成于衬底上的低介电常数材料的厚度；利用等离子的灰化工艺对形成低介电常数材料的衬底处理，以使低介电常数材料的表面变成氧化物。灰化处理后，利用无机溶液或有机清洗溶液湿清洗衬底，以除去低介电常数材料中变成氧化物的区域。然后，利用光学测量系统再次测量低介电常数材料的厚度，比较初步测量和再次测量值，以计算氧化物的厚度。由于使用设置在半导体制造装置内的光学测量系统，所以可简单快速地测量受损的低介电常数材料的厚度。
介电常数材料测量方法

[发明专利]陶瓷多层基板-CN200880109134.X有效
发明人：长谷川朋之;长友贵志;井出良律;小田切正 -专利权人：双信电机株式会社;日本碍子株式会社
申请日： 2008-07-31 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷多层基板，其通过将由低介电常数的绝缘体组成的低介电常数层和由高介电常数的电介质组成的高介电常数层进行共烧结而得到。低介电常数层包括具有xBaO-yTiO2-zZnO(x，y，z分别表示摩尔比，x+y+z＝1，0.09≤x≤0.20，0.49≤y≤0.61，0.19≤z≤0.42)组成的低介电常数陶瓷成分，和相对于100重量份的该低介电常数陶瓷成分添加量为1.0重量份以上、5.0重量份以下的含氧化硼的玻璃成分。高介电常数层是由添加有CuO和Bi2O3的钛酸钡系电介质组成。
陶瓷多层

[发明专利]一种低介电常数层的制作方法-CN201210419650.0有效
发明人：周鸣 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-10-29 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数层的制作方法，本发明所制作的低介电常数层包括两层，下层为采用OMCTS和氧气形成的第一低介电常数层，上层为采用OMCTS和氩气（Ar）形成的第二低介电常数层，由于第二低介电常数层比较硬且具有低介电常数
一种介电常数制作方法

[发明专利]一种低介电常数薄膜的成膜方法-CN201410193144.3有效
发明人：桑宁波;雷通;贺忻 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-05-08 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种低介电常数薄膜的成膜方法，包括：形成第一层金属层；在第一层金属层上生长刻蚀阻挡层；在刻蚀阻挡层上生长低介电常数薄膜，其中在生长低介电常数薄膜时引入两步以上的液源稳定过程；对低介电常数薄膜进行紫外线固化；在低介电常数薄膜上沉积光刻掩模并进行光刻刻蚀。
一种介电常数薄膜方法

[发明专利]固化多孔低介电常数层的方法-CN200710004070.4无效
发明人：陈美玲;赖国智;宋述仁 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2007-01-23 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种固化多孔低介电常数层的方法，应用于已形成有一多孔低介电常数层的基底，此多孔低介电常数层中尚含有一成孔剂。首先对多孔低介电常数层进行处理条件较温和的第一紫外光固化处理，再对多孔低介电常数层进行处理条件较剧烈的第二紫外光固化处理，以完成其固化。
固化多孔介电常数方法

[发明专利]在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法-CN02140252.3有效
发明人：张鼎张;刘柏村;莫亦先 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2002-07-02 - 公布日： 2003-02-05 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法，是先于半导体晶片的基底表面形成低介电常数介电层，接着对该低介电常数介电层进行一表面处理，于该低介电常数介电层表面形成钝化层；随后于半导体晶片表面上形成图案化的光阻层，并利用该光阻层作为硬屏蔽来对低介电常数介电层进行一蚀刻制程；最后再去除图案化的光阻层。其中钝化层是用来避免低该介电常数介电层于该去光阻制程中发生介电特性劣化的现象。利用含氮等离子的前处理，于低介电常数介电层表面形成钝化层，进而抑制该低介电常数介电层于去光阻制程中受损而形成Si－OH键，有效避免因Si－OH键吸附水气导致低介电常数介电层发生介电特性劣化的现象。
去光阻制程中避免介电常数介电层劣化方法

[发明专利]一种低光学碱度玻璃及其制备方法和应用-CN202211393372.6在审
发明人：李青;李赫然;刘丹;胡恒广;闫冬成;张广涛;刘文渊;姚荣江;张盼 -专利权人：河北光兴半导体技术有限公司;东旭科技集团有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： C03C3/093 文献下载
摘要：本申请提供了一种低光学碱度玻璃及其制备方法和应用。其中，该低光学碱度玻璃的光学碱度与介电常数满足特定方程：Λ＝47.05472+1.14678k，Λ表示光学碱度，k表示介电常数。本申请通过对玻璃的光学碱度和介电常数的特定设置，使其具有低的介电常数和低介电损耗，有效地解决了现有技术中存在的高介电耗损和介电常数的问题。
一种光学碱度玻璃及其制备方法应用

[发明专利]合成多层陶瓷电子部件及其制造方法-CN01143780.4无效
发明人：杉本安隆;近川修;森直哉 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2001-12-19 - 公布日： 2002-07-24 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO－TiO3－ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO－TiO3－ReO3/2介质表示为xBaO－yTiO3－zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8x18,52.5y65,20z40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。
合成多层陶瓷电子部件及其制造方法