“低介电常数”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2048885个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]高介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜及制备方法-CN201510710127.7有效
发明人：翁凌;鞠培海;刘立柱;张笑瑞 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置本发明应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜制备方法

[发明专利]介电常数系列可调的低介电常数LTCC材料用玻璃粉体及其制备方法-CN202011589890.6有效
发明人：周纪平;周世平;温俊磊;马丹丹;李武;裴广斌 -专利权人：洛阳中超新材料股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种介电常数系列可调的低介电常数LTCC材料用玻璃粉体的制备方法，包括低软化点硼硅酸盐玻璃粉体、高软化点钙硼硅玻璃粉体与陶瓷填料。与现有技术相比，本发明通过调节低软化点硼硅酸盐玻璃粉体、高软化点钙硼硅玻璃粉体与陶瓷填料三者的掺杂比例，可以得到烧成温度在630℃～950℃、相对介电常数εr可在5.40～9.85调节的微晶玻璃材料烧成样品，其在1MHz频率下测得试样的介电损耗值Tanδ＜6.0×10‑4，可以满足不同种类的低介电常数LTCC器件制造的要求，因此具有很好的应用前景。
介电常数系列可调 ltcc 材料玻璃粉及其制备方法

[发明专利]一种低介电常数高导热系数硅胶片的制备方法-CN202011458038.5有效
发明人：郭志军;陈文斌;黄国伟;杨兰贺 -专利权人：苏州鸿凌达电子科技有限公司;深圳市汉华热管理科技有限公司
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B29C69/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数高导热系数硅胶片的制备方法，包括以下步骤：制备可固化的导热复合胶料，将包括但不限于的六方氮化硼、有机硅树脂、固化剂、催化剂通过搅拌装置搅拌混合均匀可得；利用挤出机将导热复合胶料挤出成块后，加热固化得到六方氮化硼取向排列的块状物；利用切片刀制得在厚度方向上氮化硼竖直排列的低介电常数高导热系数的硅胶片。本发明公开了一种低介电常数高导热系数硅胶片的制备方法，可制得在厚度方向上氮化硼竖直排列的低介电常数高导热系数的硅胶片。提高了导热硅胶片的导热性能。
一种介电常数导热系数硅胶制备方法

[发明专利]以后图案化处理形成集成电路的方法-CN201310143184.2无效
发明人： B·欣策;F·孔希茨基;U·斯托克顿 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在一具体实施例中，形成集成电路的一种方法包含下列步骤：形成覆于基底衬底上的低介电常数介电层。图案化在该低介电常数介电层上面的蚀刻掩膜。通过该蚀刻掩膜，蚀刻凹处进入该低介电常数介电层以暴露在该凹处内的凹陷表面。在蚀刻后，退火该低介电常数介电层及该基底衬底。在退火环境中进行退火，例如在提供该退火环境的退火炉中。
以后图案处理形成集成电路方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN200710007286.6无效
发明人：张惠林;卢永诚;包天一 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-01-25 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：一低介电常数介电层；一上盖层，位于该低介电常数介电层上，其中该上盖层包括选自由包括CNx、SiCN、SiCO、SiC及其组合物所组成的族群的一材料；一介层物，位于该低介电常数介电层中；以及一金属导线，位于该低介电常数介电层中并覆盖该介层物，该金属导线实体接触该介层物。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜-CN201620048776.5有效
发明人：翁凌;鞠培海;刘立柱;张笑瑞 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。近年来，高介电常数和低介电损耗的介电功能材料由于其在电子行业和能源储存方面的广泛应用而得到了巨大的关注。一种高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜，其组成包括：纯聚偏氟乙烯层（1）、掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层（2），其特征是：所述的纯聚偏氟乙烯层和所述的掺杂氧化锌的聚偏氟乙烯层垂直于铺膜方向间隔铺层布置本实用新型应用于高介电常数低介电损耗的聚偏氟乙烯基复合薄膜。
介电常数低介电损耗聚偏氟乙烯基复合薄膜

[发明专利]具有低漏电流的晶体管及其制造方法-CN202010467658.9在审
发明人：卢超群;甘万达 -专利权人：钰创科技股份有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低漏电流的晶体管及其制造方法。所述晶体管包含一基板，一栅极，多个间隔层，多个衬垫介电层，一源极，和一漏极。所述栅极具有一第一介电常数。所述多个间隔层具有一第二介电常数。所述多个衬垫介电层具有一第三介电常数。所述源极和所述漏极相邻于所述多个间隔层以及设置在相对于所述栅极的相反方向上。所述第一介电常数，所述第二介电常数，及所述第三介电常数彼此不同。
具有漏电晶体管及其制造方法

[发明专利]量子点修饰方法-CN202110606729.3在审
发明人：王子琪;王士攀 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种量子点修饰方法，该方法通过确定介电常数小于或者等于预设数值的第一溶剂与介电常数大于预设数值的第二溶剂，根据配体、第一溶剂与第二溶剂得到介电常数为2～10的目标配体溶液，再将目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合本发明通过根据配体、低介电常数溶剂与高介电常数溶剂得到介电常数为2～10的目标配体溶液，再将目标配体溶液与待修饰量子点溶液混合反应，得到目标量子点溶液，可以在量子点合成之后再对量子点进行配体修饰，减少了量子点表面的缺陷
量子修饰方法

[实用新型]一种毫米波透镜-CN202022277085.1有效
发明人：郑洪振;芦永超;孙耀志 -专利权人：广东福顺天际通信有限公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01Q15/08 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种毫米波透镜，包括若干个依次包裹的介质层；其中最内侧的介质层为实心体，称为内核体介质层；所述内核体介质层的介电常数最高，往外逐个介质层的介电常数依次递减，位于最外侧的介质层的介电常数最低；所述若干介质层分别是用空心柱状管形的颗粒体填充而成的；所述用于填充介质层的颗粒体，其粒径的大小与其填充的介质层的介电常数成反比，而其管壁厚度与其填充的介质层的介电常数成正比。本实用新型所提供的一种毫米波透镜，具有制作成本低、介质层填充均匀、同一介质层内的介电常数一致性高等优势。
一种毫米波透镜

[发明专利]一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷-CN201810798144.4在审
发明人：肖谧;韦艳双;娄捷 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C04B35/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷及其制备方法，其原料组成为CaCoSi₂O₆。按照配料、一次球磨、干燥、过筛、1100℃预烧、二次球磨、造粒、压制成型为坯体，坯体于在排蜡时于550℃保温90～300min，然后升温到1125～1200℃烧结2小时，制得低介电常数的钙钴硅微波介质陶瓷本发明成功地获得了介电常数约为4.6～7.2、Q×f最高可达到12456.9GHz、谐振频率温度系数接近于0的低介电常数微波介质陶瓷。本发明制备工艺简单，过程无污染，是一种很有前途的微波介质材料。
微波介质陶瓷低介电常数钴硅坯体低介电常数微波介质陶瓷谐振频率温度系数发明制备工艺微波介质材料二次球磨介电常数原料组成烧结次球过筛排蜡预烧造粒制备保温成功

[发明专利]一种制备低介电常数介质层的方法-CN202010258522.7在审
发明人：朱建军 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备低介电常数介质层的方法，包括如下步骤：S01：在硅衬底上淀积非晶硅膜，并对所述非晶硅膜进行电化学阳极氧化，形成多孔非晶硅膜；S02：对所述多孔非晶硅膜进行氧化，形成多孔氧化硅膜；S03：对所述多孔氧化硅膜进行疏水化处理，得到低介电常数介质层。本发明提供的一种制备低介电常数介质层的方法，能够得到多孔氧化硅膜，且孔隙率通过工艺可调，从而有效调控介质层的介电常数，同时具有孔隙率可调范围大、孔内表面改性灵活性高、机械强度高、耐温性好等优点。
一种制备介电常数介质方法

[发明专利]一种低介电常数胶带及其制备方法-CN202111547725.9在审
发明人：顾良华 -专利权人：苏州恒悦新材料有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数胶带及其制备方法，胶带主要由绝缘基材层和粘合剂层组成，其中粘合剂层由以下重量份数的原料制备：50‑70份环氧缩水甘油醚，20‑40份巯基官能团化聚甲基硅氧烷，0.1‑5份促进剂该粘合剂中巯基官能团化聚甲基硅氧烷具有极性低的优势，可与环氧缩水甘油醚发生巯基‑环氧点击反应，通过化学接枝既起到增韧的效果，又明显降低粘合剂层的介电常数。本发明所研制的低介电常数胶带具有粘接力强、绝缘性好、介电常数低等优点。
一种介电常数胶带及其制备方法

[发明专利]光学插座、光纤短插芯以及光学组件-CN201810723806.1有效
发明人：仓岛宏实 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：其包括沿第一方向延伸的内孔以及具有内孔中的开口的远端面；光纤，其布置在内孔中，光纤具有从开口露出的第一端；金属部件，其包括沿第一方向延伸的第一通孔并将插芯保持在第一通孔中；金属主体，其包括沿第一方向延伸的第二通孔并将金属部件保持在第二通孔中；以及低介电常数材料低介电常数材料具有比插芯的介电常数低的介电常数。
光学插座光纤短插芯以及组件

[发明专利]低介电常数微波介质陶瓷-CN201010514199.1无效
发明人：陈湘明;易磊 -专利权人：浙江大学
申请日： 2010-10-19 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：本发明的低介电常数微波介质陶瓷的表达式为：xCaO.yAl2O3.zTiO2，其中，40.0mol％≤x≤50.0mol％，40.0mol％≤y≤50.0mol％，5.0mol％≤z≤15.0mol％，该低介电常数微波介质陶瓷，其介电常数在8-10、同时具有低损耗(Qf＞100,000GHz)与近零谐振频率温度系数。利用本发明的低介电常数微波介质陶瓷，可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适合更高频率与更大功率的应用。同时，本发明提供的陶瓷亦可应用于高频与微波陶瓷电容器、温度补偿陶瓷电容器或微波基板等。
介电常数微波介质陶瓷

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910007197.0有效
发明人：西泽厚 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-02-19 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：通过如下各处理来形成沟槽：去除形成在低介电常数层的侧壁上的损伤层，通过化学气相沉积(CVD)技术形成第二保护绝缘层以及通过用第二保护绝缘层覆盖低介电常数层的侧壁形成第二凹部，以及通过回蚀成形第二保护绝缘层使得沟槽具有在低介电常数层的表面上选择性地形成有第二保护绝缘层的侧壁
半导体器件及其制造方法