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[发明专利]图案形成方法-CN03131009.5无效
发明人：远藤政孝;笹子胜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-05-14 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种图案形成方法，在基板(10)上面形成表面粗糙的低介电常数绝缘膜(11)之后，在腔室(12)的内部，通过超临界流体(14)对低介电常数绝缘膜(11)进行表面处理，使低介电常数绝缘膜(11)的表面平滑化然后在表面被平滑化的低介电常数绝缘膜(11)上面涂布化学放大型抗蚀剂，而形成抗蚀剂膜(16)之后，对该抗蚀剂膜(16)进行图案曝光。
图案形成方法

[实用新型]扁平电缆-CN201020116138.5有效
发明人：黑田秀雄 -专利权人：住友电工(上海)电子线制品有限公司
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01B7/08 文献下载
摘要：在本实用新型涉及的扁平电缆1中，多根平角导体2以规定的排列节距排布在平面上，并且在所述平角导体2的排布面的两侧贴附有绝缘膜3，在绝缘膜3的外面，在沿电缆宽度方向的一部分电缆中设置有低介电常数介电层6，在包含低介电常数介电层6的外面设置有屏蔽层7，并且存在有低介电常数介电层6的部分与不存在低介电常数介电层6的部分的特性阻抗不同。
扁平电缆

[发明专利]低介材料及其制备方法-CN200710003883.1无效
发明人： J·F·柯纳;J·E·麦杜格尔;B·K·彼得森;S·J·韦格尔;T·A·戴斯;M·德文尼;C·E·拉姆伯格;K·乔恩德劳蒂斯;K·森达克 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2007-06-20 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E₀’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E₀’)的低介材料。
材料及其制备方法

[发明专利]低介材料及其制备方法-CN03141324.2无效
发明人： J·F·柯纳;J·E·麦杜格尔;B·K·彼得森;S·J·韦格尔;T·A·戴斯;M·德文尼;C·E·拉姆柏格;K·乔恩德劳蒂斯;K·森达克 -专利权人：西米克斯技术公司;气体产品与化学公司
申请日： 2003-05-30 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01B3/00 文献下载
摘要：对于在用作集成电路的层间介电体时的改善性能，确定了低介材料和包含该材料的薄膜及其制备方法。这些材料特征在于具有约3.7或更小的介电常数(κ)；约15GPa或更大的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E₀’)；和约500ppm或更小的金属杂质含量。还公开了具有小于约1.95的介电常数和大于约26GPa的部分由该材料的介电常数推出的标准壁弹性模量(E₀’)的低介材料。
材料及其制备方法

[发明专利]一种低介电常数硅微粉-CN201711492598.0在审
发明人：丁飞飞 -专利权人：凤阳力拓新型材料有限公司
申请日： 2017-12-30 - 公布日： 2018-07-24 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种低介电常数硅微粉，涉及硅微粉技术领域，由以下成分制成：硅微粉200、柠檬酸钠1.2、十二烷基磺酸盐1.5‑2.5、偶联剂1.3‑1.5、碳酸钠2‑5、腐殖酸钾0.3‑0.8、电气石粉1‑3、活化剂0.2‑0.8、硼酸正丁酯1‑3；本发明制备的一种低介电常数硅微粉，通过将硅微粉与其它组分进行混合改性，形成一种低介电常数、低硬度的新粉体。
硅微粉低介电常数十二烷基磺酸盐硼酸正丁酯电气石粉腐殖酸钾混合改性柠檬酸钠低硬度活化剂偶联剂碳酸钠新粉制备

[其他]ESD保护装置-CN201490000538.6有效
发明人：足立淳;安中雄海;鹫见高弘 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2014-04-08 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01T4/12 文献下载
摘要：上隔着间隔相对地设置第一、第二放电电极(3、4)，设置促进第一、第二放电电极(3、4)之间的放电的放电辅助电极(5)，使得连接第一放电电极(3)和第二放电电极(4)，放电辅助电极(5)由(i)包含金属以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第一混合材料；(ii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、以及相对介电常数高于所述基板的高介电常数材料的第二混合材料；(iii)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、半导体粒子以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第三混合材料；以及(iv)包含被不具有导电性的材料覆盖的金属、具有所述基板的相对介电常数以下的相对介电常数的低介电常数材料以及相对介电常数高于所述基板的所述高介电常数材料的第四混合材料构成的组中选择的至少一种混合材料构成
esd 保护装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN200710146512.9有效
发明人：浅子龙一;千叶祐毅;久保田和宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2008-02-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：在利用含有F的气体对作为被蚀刻膜的含有Si的低介电常数膜进行蚀刻后、直至将蚀刻掩模除去的期间，即使含有Si的低介电常数膜的被蚀刻部分暴露于NH₃系气体，也能够使损伤恢复，从而能够制造电气特性和可靠性优异的半导体装置在形成于半导体基板上的含有Si的低介电常数膜上形成具有规定的电路图案的蚀刻掩模，利用含有F的气体通过蚀刻掩模对含有Si的低介电常数膜进行蚀刻，形成槽或孔，在蚀刻后，利用使用NH₃气体的灰化将蚀刻掩模除去，并将此时生成的生成物除去，然后，通过供给规定的恢复气体，使含有Si的低介电常数膜由于直到将蚀刻掩模除去的工序为止的工序而受到的损伤恢复。
半导体装置制造方法

[发明专利]基板处理方法、清洗方法、电子设备的制造方法和程序-CN200610007478.2有效
发明人：西村荣一;岩﨑贤也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-02-14 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：形成低介电常数层间绝缘膜(115)，以覆盖形成晶片(W)上的配线(114)的绝缘膜(113)(B)；在该低介电常数层间绝缘膜(115)上加工形成通孔(118)(C)；在低介电常数层间绝缘膜(115)上形成由铜制成的导电膜(121)，同时，将铜填充至通孔(118)中(F)；利用CMP研磨导电膜(121)，露出低介电常数层间绝缘膜(115)(G)；将表面上有切削残留(116)、反应生成物(117)、残渣和疑似SiO₂层(124)的低介电常数层间绝缘膜(115)暴露在氨气和氟化氢气体的混合气体氛围中(H)；再将由疑似SiO₂层(124)改质的生成物层(123)加热至规定的温度(I
处理方法清洗电子设备制造程序

[发明专利]一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法-CN201210110799.0无效
发明人：毛智彪;胡友存;徐强 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2012-04-17 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L21/334 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属-氧化硅-金属电容器的制作方法，其中，包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上沉积一层低介电常数介质层；在所述低介电常数介质层上制作一开口，所述开口为金属-氧化硅-金属形成区域；采用沉积步骤和含氧气体处理步骤循环进行的方式，在所述开口中沉积氧化硅，形成氧化硅层和低介电常数介质层的混合层；刻蚀所述氧化硅层，在所述氧化硅层中形成第一金属槽，并且刻蚀所述低介电常数介质层，在所述低介电常数介质层中形成第二金属槽；向所述第一金属槽和所述第二金属槽进行金属填充工艺
一种金属氧化电容器制作方法

[实用新型]耐高温、耐酸碱、低介电常数玻璃纤维复合罐-CN201120084184.6有效
发明人：郭永健 -专利权人：郭永健
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： B65D3/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐高温、耐酸碱、低介电常数玻璃纤维复合罐，其形状呈罐装，由多层结构组成，外层为耐高温酸碱树脂，中层为高强度玻璃纤维，内层为低介电常数玻璃纤维布，耐高温酸碱树脂、高强度玻璃纤维、低介电常数玻璃纤维布三层由外向内层层叠加，复合卷制呈筒状罐体，其中耐高温酸碱树脂、高强度玻璃纤维复合成一体，本实用新型具有：加工工艺简单、成本低、强度高、耐高温，耐酸碱、低介电常数、能适用于300℃以上和高压力的工作环境，可广泛应用于化工、医药
耐高温耐酸介电常数玻璃纤维复合

[发明专利]印刷电路板及其制造方法-CN00134218.5有效
发明人：森滋;小野义记 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2000-10-20 - 公布日： 2001-06-13 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：一种印刷电路板及其制造方法可实现低介电常数的单一树脂材料的厚膜叠层结构而无需增强材料。印刷电路板用低介电常数的第一树脂材料与具有不同的相对介电常数的第一普通基材组成的复合结构的绝缘层构成,并且所述绝缘层被设置在导体电路之间。
印刷电路板及其制造方法

[发明专利]具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法-CN200510088983.X有效
发明人：郑双铭;叶明灵;包天一;林耕竹 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2006-08-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种具有低介电常数介电层的半导体元件的制造方法。此方法包括沉积通式为C_xH_y的碳氢化合物层于低介电常数介电层的表面上。根据本发明的实施例，碳扩散进入低介电常数介电层中，因此可降低等离子体处理或蚀刻对低介电常数介电层所造成的伤害。在其它实施例中，则至少包括一种具有低介电常数介电层的半导体元件，其中此低介电常数介电层具有经碳调节的介电区邻近于沟渠侧壁、以及主介电区(Bulk DielectricRegion)。
具有介电常数介电层半导体元件制造方法

[发明专利]基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备-CN202110539061.5在审
发明人：赵伟;唐小兰;戴令亮;谢昱乾 -专利权人：深圳市信维通信股份有限公司
申请日： 2021-05-18 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01Q9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备，包括层叠的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层包括天线区域，所述天线区域中设有多个过孔；所述第一介质层和第二介质层的介电常数为2.2‑4.4本发明可用低介电常数的介质等效出高介电常数的介质谐振器天线，从而避免对高介电常数物体的单独加工及其安装方式所带来的缺点。
基于介电常数介质谐振器天线电子设备

[发明专利]积层电子陶瓷元件及其无压共烧结制法-CN201510982584.1有效
发明人：朱立文;李耿维 -专利权人：华新科技股份有限公司
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种积层电子陶瓷元件及其无压共烧结制法，主要是将介电常数(k值)大于1500以上高介电常数陶瓷结层，及介电常数(k值)小于100的低介电常数陶瓷结构层交错积层形成积层电子陶瓷元件，并将积层电子陶瓷元件进行高温共烧处理1150℃至1350℃和还原气氛(氧分压:10‑6～10‑12atm)环境下，所制作得的积层电子陶瓷元件，可具有高电容值、低介电损耗、高绝缘电阻、高绝缘破坏电压、温度稳定性佳与低扭曲特性的目的。
电子陶瓷元件及其无压共烧结制法

[发明专利]一种单大马士革工艺集成方法-CN200910057525.8无效
发明人：曾林华 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：1)在氮化硅膜上淀积金属层间膜；(2)线槽光刻形成线槽图形；(3)线槽刻蚀，光刻胶去除；(4)全面淀积金属，形成金属连线；(5)化学机械抛光磨平金属；(6)金属层间膜去除，留下金属连线；(7)全面淀积低介电常数金属层间膜；(8)化学机械抛光磨平低介电常数金属层间膜。该方法能避免低介电常数金属层间膜在工艺流程中受到氧气等离子体损伤导致介电常数增加，从而提高器件性能。
一种大马士革工艺集成方法