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[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN200710154750.4有效
发明人：徐祖望;丁致远;钟堂轩;苏怡年;蔡嘉祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-09-13 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，此鳍式场效应晶体管包括：半导体衬底，具有鳍状物结构，介于包含顶部与底部的两个沟槽之间；浅沟槽隔离物，形成于该沟槽的底部；栅极电极，位于该鳍状物结构以及该浅沟槽隔离物的上方，其中该栅极电极大体上垂直于该鳍状物结构；栅极介电层，沿着该鳍状物结构的侧壁形成；以及源极/漏极掺杂区域，形成于该鳍状物结构之中。本发明可降低鳍式场效应晶体管的高低起伏并且可改善制造流程的整合度。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]于低介电系数介电层上形成孔洞的方法-CN200710106933.9有效
发明人： 蔡嘉祥;谢志宏;徐祖望;陈德芳;林家慧;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-05-09 - 公布日： 2008-03-26 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明是关于一种利用多晶硅罩幕，而非习知技术所使用的金属硬罩幕，在一低介电系数介电层上形成一孔洞的方法。一多晶硅硬罩幕被形成于一低介电系数介电层之上，以及一光阻层被形成于此多晶硅硬罩幕层之上。使用一气体电浆图刻光阻层并蚀刻多晶硅硬罩幕以制造低介电系数介电层的暴露部分。在蚀刻低介电系数介电层之前会先将光阻层移除，以免破坏低介电系数介电层。
低介电系数介电层上形成孔洞方法

[发明专利]在制程中测量低介电常数的薄膜性质-CN200610066511.9无效
发明人： 蔡嘉祥;徐鹏富;彭宝庆;徐祖望;谢志宏;苏怡年;陶宏远 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种决定制造基板上低介电常数薄膜的介电系数的方法与系统。此方法包含用椭圆仪测量介电常数的电子组成，用红外光谱仪测量介电常数的离子组成，用微波光谱仪测量整体介电常数，推导出介电常数的偶极组成。此测量方法为非接触式。该系统包含：一椭圆仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一电子组成和产生一测量电子组成；一红外光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的该介电常数的一离子组成和产生一测量离子组成；一微波光谱仪用来测量该低介电常数薄膜的一整体介电常数和产生一测量的整体介电常数；一装置利用该测量的电子组成、该测量的离子组成和该测量的整体介电常数用来推导该介电常数的一偶极组成。
制程中测量介电常数薄膜性质

[实用新型]改进的组合卡板-CN01260484.4无效
发明人： 蔡嘉祥 -专利权人：高鼎工业有限公司
申请日： 2001-09-18 - 公布日： 2002-09-11 - 主分类号： A63F9/12 文献下载
摘要：一种改进的组合卡板,主要由一卡板基座及多个卡板本体组成,其特征是该卡板基座上凿设有多个容置空间,可供与其相互对应的卡板本体嵌设于内,且该卡板本体的周缘处凿设有多个衔接槽,又该衔接槽两侧分别设有一适当弧度的弧状曲线,当该卡板本体与另一卡板本体的衔接槽卡合衔接时,由该弧状曲线的斜向导引,可达到快速卡合定位的功效,且该组合卡板为一汽车卡板架组时,其部分卡板本体的衔接槽一侧凿设有一透孔,可供一轮轴板体的转轴部嵌设,当该轮轴板体两侧分别嵌设一轮胎板体后,可供该汽车卡板架组的轮轴板体及轮胎板体形成一可转动位移的作用,进而达到生动活泼、趣味横生的功效,实为一具先进性、方便性及安全性的创作,且具实用性。
改进组合