[发明专利]异质低介电常数质材与其形成方法有效
| 申请号： | 200410103761.6 | 申请日： | 2004-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN1652309A | 公开（公告）日： | 2005-08-10 |
| 发明（设计）人： | 黎丽萍;章勋明;陈笔聪;卢永诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/469 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种异质低介电常数质材与其形成方法。该异质低介电常数质材包括主要层与次要层，其中主要层包括具有第一低介电常数的第一低介电常数材料，次要层包括具有第二低介电常数的第二低介电常数材料，次要层直接与主要层邻接，且第二低介电常数大于第一低介电常数0.1以上。本发明提供的异质低介电常数质材，可更有效控制金属材料与基底表面之间的寄生电容，并能提高对机械或热应力制程的抵挡，避免造成膜的分层、剥离与碎裂。 | ||
| 搜索关键词： | 异质低 介电常数 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种异质低介电常数质材，其特征在于包括：一主要层包括具有第一低介电常数的第一低介电常数材料；以及一次要层包括具有第二低介电常数的第二低介电常数材料，该次要层直接与该主要层邻接，且该第二低介电常数大于该第一低介电常数0.1以上。
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- 根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。
- 半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法-202310804521.1
- 王冬涵;王京;蒋中伟 - 北京北方华创微电子装备有限公司
- 2023-06-30 - 2023-09-19 - H01L21/311
- 本申请公开一种半导体工艺设备及其平坦化晶圆表面的方法，属于半导体工艺技术。该方法包括：提供表面具有待平坦化膜层的待平坦化晶圆，待平坦化膜层具有不平坦表面；通过第一工艺气体对待平坦化膜层进行第一等离子体刻蚀，以使得不平坦表面平坦化；第一工艺气体的刻蚀气体用于刻蚀待平坦化膜层，并形成固体副产物附着在待平坦化膜层表面，第一工艺气体的轰击气体用于轰击待平坦化膜层表面及附着在待平坦化膜层表面的固体副产物，以使得待平坦化膜层的凸起处及附着在凸起处的固体副产物在溅射作用下部分填充在待平坦化膜层的凹陷处。本技术方案，其可通过等离子体刻蚀工艺对晶圆表面进行平坦化处理，以简化工艺流程、缩短工艺周期和降低工艺成本。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
