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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括空气间隔件的半导体器件和制造方法-CN202210853650.5在审
发明人：林文凯;张哲豪;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及包括空气间隔件的半导体器件和制造方法。公开了包括源极/漏极区域与半导体衬底之间的气隙的半导体器件及其形成方法。在一个实施例中，半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一沟道区域；第一沟道区域上的栅极结构；第一源极/漏极区域，与栅极结构和第一沟道区域相邻；第一内部间隔件层，在第一方向上在第一源极/漏极区域和半导体衬底之间，第一方向垂直于半导体衬底的主表面；以及第一气隙，在第一方向上在第一源极/漏极区域和第一内部间隔件层之间。
包括空气间隔半导体器件制造方法

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202310067734.0在审
发明人：高琬贻;林洪正;张哲豪;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-01-13 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，形成半导体元件的方法包含沉积第一介电层于第一半导体鳍和第二半导体鳍的多个侧壁上方并沿着多个侧壁，其中第一半导体鳍和第二半导体鳍从半导体基板向上延伸，沉积第二介电层于第一介电层上方，沉积第三介电层于第二介电层上方，其中第二介电层的材料不同于第三介电层的材料，且第一介电层的材料不同于第二介电层的材料，以及凹陷第一介电层和第二介电层以暴露出第一半导体鳍和第二半导体鳍的多个侧壁，并形成虚设鳍于第一半导体鳍和第二半导体鳍之间。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]使用STI帽盖层进行应力调制以减少鳍弯曲-CN202210538768.9在审
发明人：高琬贻;王俊尧;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开总体涉及使用STI帽盖层进行应力调制以减少鳍弯曲。一种方法包括：蚀刻半导体衬底以形成半导体条带和凹部，其中半导体条带的侧壁暴露于凹部；将电介质层沉积到凹部中；以及在电介质层之上沉积帽盖层。帽盖层延伸到凹部中，并且包括氮氧化硅。该方法还包括：用电介质材料来填充凹部的剩余部分；执行退火工艺以从帽盖层去除氮；以及使电介质材料、帽盖层和电介质层凹陷。电介质材料、帽盖层和电介质层的剩余部分形成隔离区域。半导体条带的一部分突出得高于隔离区域的顶表面以形成半导体鳍。
使用 sti 盖层进行应力调制减少弯曲

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202210769017.8在审
发明人：李维晋;张哲豪;徐志安;卢永诚;林文凯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了半导体结构和形成方法。半导体结构包括彼此分隔开并且堆叠在衬底上方的纳米结构，环绕所述纳米结构的栅极堆叠件；以及通过所述栅极堆叠件与所述纳米结构横向间隔开的介电鳍结构。其中，介电鳍结构包括内衬层和位于内衬层上的填充层，其中，内衬层位于填充层和栅极堆叠件之间，其中，内衬层由含碳介电材料制成，并且其中，内衬层的碳浓度在从栅极堆叠件到填充层的方向上变化。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210935627.0在审
发明人：高琬贻;廖芳谊;廖书翎;黄彦钧;张哲豪;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了包括鳍形隔离结构的半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：鳍，从半导体衬底延伸；浅沟槽隔离(STI)区域，位于与鳍相邻的半导体衬底上方；以及介电鳍结构，位于STI区域上方，介电鳍结构在平行于鳍的方向上延伸，介电鳍结构包括：第一衬垫层，与STI区域接触；以及第一填充材料，位于第一衬垫层上方，第一填充材料包括设置在第一填充材料的下部部分中并且与第一填充材料的顶面分隔开的接缝，第一填充材料的下部部分中的第一碳浓度大于第一填充材料的上部部分中的第二碳浓度。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN202210970413.7在审
发明人：程德恩;卢永诚;徐志安;李威养 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-12 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置及其形成方法，形成半导体装置的方法包含在第一纳米结构堆叠体和隔离区域上形成牺牲层。虚拟栅极结构形成于第一纳米结构堆叠体和牺牲层的第一部分之上。牺牲层的第二部分被移除，以曝露与虚拟栅极结构相邻的第一纳米结构堆叠体的侧壁。在虚拟栅极结构上形成间隙壁层。间隙壁层的第一部分直接接触第一纳米结构堆叠体。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202210748038.1在审
发明人：林文凯;程德恩;张哲豪;徐志安;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：形成半导体器件的方法包括：在突出于衬底之上的鳍结构上方形成伪栅极结构，其中，鳍结构包括鳍和鳍上方的层堆叠件，其中，层堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层；在伪栅极结构的相对侧上的鳍结构中形成开口，其中，开口暴露第一半导体材料的第一部分和第二半导体材料的第二部分；使第一半导体材料的暴露的第一部分凹进，以在第一半导体材料中形成侧壁凹槽；用第一介电材料内衬侧壁凹槽；在侧壁凹槽中的第一介电材料上沉积第二介电材料；在沉积第二介电材料之后，退火第二介电材料；以及在退火之后，在开口中形成源极/漏极区域。本申请的实施例还涉及半导体器件。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202210792061.0在审
发明人：张志仲;林颂恩;柯忠廷;林宥霆;柳依秀;张壬泓;梁栢玮;郭俊铭;卢永诚;徐志安;彭远清 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括一对鳍部结构，位于一半导体基底上，每个都包括一垂直堆叠的多个通道层；一介电鳍部，平行于鳍部结构延伸且位于鳍部结构之间；以及一栅极结构，位于鳍部结构上并垂直于鳍部结构延伸，栅极结构与多个通道层啮合。介电鳍部包括一鳍部底部及位于鳍部底部的一鳍部顶部。鳍部底部具有一上表面，延伸至最上层的通道层的一下表面之上。鳍部顶部包括一核心及一外壳，核心具有一第一介电材料，外壳环绕核心并具有不同于第一介电材料的一第二介电材料。
半导体装置

[发明专利]半导体器件上的电介质层及其形成方法-CN202210292917.8在审
发明人：林政颐;林民和;陈俊纮;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件上的电介质层及其形成方法。一种形成半导体器件的方法，包括：在半导体鳍上形成第一层；在第一层上形成掩模，该掩模在半导体鳍的顶部比沿着半导体鳍的侧壁更厚。使用掩模沿着半导体鳍的侧壁减薄第一层。在半导体鳍上形成第二层，该第二层覆盖掩模和第一层。在半导体鳍上形成虚设栅极层，并且对该虚设栅极层进行图案化以暴露出半导体鳍的顶表面。
半导体器件电介质及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210223130.6在审
发明人：刘又荣;林文凯;张哲豪;徐志安;卢永诚;游莉琪;薛森鸿 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-09 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体装置的制造方法，包括：形成由第一半导体材料构成的多个第一层与由第二半导体材料构成的多个第二层交替排列而成的一多层堆叠于一半导体基底上；形成一第一凹槽，穿过多层堆叠；以及横向凹入多层堆叠的第二层的侧壁。上述侧壁与第一凹槽相邻。上述方法还包括：形成具有各自的缝隙的多个内间隔层与多层堆叠的凹入的第二层相邻；以及对内隔层进行一退火处理，以封闭各自的缝隙。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]栅极间隙壁、其形成方法及半导体装置-CN202210060076.8在审
发明人：程德恩;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露有关于一种栅极间隙壁、其形成方法及半导体装置，栅极间隙壁的形成方法包含以下步骤。形成鳍部于基材上。虚设栅极结构横跨鳍部。间隙壁层沉积于虚设栅极结构上。间隙壁层具有在虚设栅极结构的孔洞内的第一部分，以及在虚设栅极结构的孔洞外的第二部分。间隙壁层的第二部分被处理成具有不同于间隙壁层的第一部分的材料组成，且然后被蚀刻以形成于虚设栅极结构侧壁上的栅极间隙壁。对虚设栅极结构进行蚀刻制程，以形成栅极沟槽于栅极间隙壁之间。蚀刻制程以快于蚀刻栅极间隙壁的蚀刻速率蚀刻间隙壁层的第一部分。栅极结构形成于栅极沟槽内。
栅极间隙形成方法半导体装置

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202210061870.4在审
发明人：高琬贻;廖芳谊;张哲豪;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包含半导体鳍片、隔离层、介电鳍片结构及栅极结构。半导体鳍片在基板上方。隔离层在基板上方且与半导体鳍片相邻。介电鳍片结构在隔离层上方且包含底部介电鳍片及顶部介电鳍片。隔离层围绕底部介电鳍片的底部。顶部介电鳍片在底部介电鳍片上方且与隔离层间隔开。栅极结构跨越半导体鳍片及介电鳍片结构。与隔离层接触的栅极结构的一部分具有第一宽度，而与顶部介电鳍片接触的栅极结构的另一部分具有大于第一宽度的第二宽度。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]半导体器件制造方法-CN202110842269.4在审
发明人：林文凯;张哲豪;徐志安;卢永诚;陈思颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件制造方法。一种方法包括：执行原子层沉积(ALD)工艺以在晶圆上形成电介质层。所述ALD工艺包括ALD循环，所述ALD循环包括：以脉冲方式输送calypso((SiCl3)2CH2)；清扫所述calypso；以脉冲方式输送氨；以及清扫所述氨。所述方法还包括对所述电介质层执行湿法退火工艺；以及对所述电介质层执行干法退火工艺。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件和方法-CN202110270577.4在审
发明人：高琬贻;李思屏;张哲豪;陈俊纮;卢永诚;徐志安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件和方法。在实施例中，一种方法包括：形成从半导体衬底延伸的第一鳍和第二鳍；沿着第一鳍的第一侧壁、第二鳍的第二侧壁和半导体衬底的顶表面沉积衬里层，衬里层由氮浓度在5％至30％的范围内的氮氧化硅形成；在衬里层上沉积填充材料，该填充材料由硅形成；对衬里层和填充材料进行退火，退火将填充材料转换为氧化硅，退火将衬里层的氮浓度降低到1％至5％的范围；以及使衬里层和填充材料凹陷以在第一鳍和第二鳍之间形成隔离区域。
半导体器件方法

[发明专利]用于形成半导体器件的方法以及半导体器件-CN201811354151.1有效
发明人：陈亭纲;黄泰钧;傅依婷;温明璋;古淑瑗;杨复凯;李资良;卢永诚 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成半导体器件的方法以及半导体器件。一种方法包括：跨半导体区域上方形成第一和第二虚设栅极堆叠；形成ILD以将第一和第二虚设栅极堆叠嵌入其中；分别用第一和第二替换栅极堆叠替换第一和第二虚设栅极堆叠；执行第一刻蚀工艺以形成第一开口。移除第一替换栅极堆叠的一部分和第二替换栅极堆叠的一部分。该方法还包括：填充第一开口以形成电介质隔离区域；执行第二刻蚀工艺以形成第二开口，其中，ILD被刻蚀，并且电介质隔离区域暴露于第二开口；在第二开口中形成接触间隔件；并且在第二开口中填充接触插塞。接触插塞在接触间隔件的相对部分之间。
用于形成半导体器件方法以及

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