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[发明专利]用于填充间隙的方法和设备-CN201780044429.2有效
发明人： V·珀尔 -专利权人： ASMIP控股有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种用于通过以下操作填充在衬底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法和设备：向所述一个或多个间隙的表面的底部区域提供第一反应物；将第二反应物提供到所述衬底；以及允许所述第一反应物在所述第一反应物的一个分子与所述第二反应物的多个分子的化学计量比下在所述表面的所述底部区域中起始所述第二反应物的反应，从而使所述一个或多个间隙的所述表面的未被提供所述第一反应物的顶部区域最初基本上为空。
用于填充间隙方法设备

[发明专利]绝缘膜的成膜方法、绝缘膜的成膜装置及基板处理系统-CN201880025732.2有效
发明人：村松诚;斋藤祐介;源岛久志;藤井宽之 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-13 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一种技术：在基板上形成包含氧化硅的绝缘膜作为涂布膜时，可获得良好的膜质。本发明的成膜方法的特征在于，将包含聚硅氮烷的涂布液涂布在晶圆W上，并使涂布液的溶剂挥发后，在进行固化工序之前，在氮气气氛下对前述涂布膜照射紫外线。因此，在聚硅氮烷的被水解的部位容易生成悬挂键。因此，由于在作为预先被水解的部位的硅中生成悬挂键，因此羟基的生成效率变高。即，由于水解所需的能量降低，因此，即使在将固化工序的温度设为350℃时，未被水解而残留的部位也会变少。其结果，由于有效地发生脱水缩合，因此交联率提高，从而能够成膜致密的(为良好的膜质)绝缘膜。
绝缘方法装置处理系统

[发明专利]用于填充间隙的方法和设备-CN202310882990.5在审
发明人： V·珀尔 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种用于通过以下操作填充在衬底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法和设备：向所述一个或多个间隙的表面的底部区域提供第一反应物；将第二反应物提供到所述衬底；以及允许所述第一反应物在所述第一反应物的一个分子与所述第二反应物的多个分子的化学计量比下在所述表面的所述底部区域中起始所述第二反应物的反应，从而使所述一个或多个间隙的所述表面的未被提供所述第一反应物的顶部区域最初基本上为空。
用于填充间隙方法设备

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202280012796.5在审
发明人：樋口伦太郎;中森光则;香川兴司;关口贤治;中林肇;米泽周平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-31 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：基板处理方法包括下述(A)～(C)。(A)：准备形成有介电常数比SiO2膜的介电常数高的高介电性膜的基板。(B)：对所述基板供给包含第二金属元素的金属溶液，所述第二金属元素是与所述高介电性膜中包含的第一金属元素相比电负性高或者价数低的金属元素。(C)：在所述高介电性膜的表面形成将所述第一金属元素置换为所述第二金属元素而得到的掺杂层。
处理方法装置

[发明专利]半导体成膜方法和半导体器件的制造方法-CN202310926905.0在审
发明人：龚丽;邱方林;崔楠;王巧巧;尹秀珍;宋传贵;陶国航 -专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本申请实施例涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体成膜方法和半导体器件的制造方法，该半导体成膜方法包括：向放置有待成膜半导体在制品的反应腔室中通入氧源以及由载气携带的硅源，使氧源与硅源反应，在待成膜半导体在制品表面形成氧化硅薄膜，其中反应温度为364‑521℃、反应压力为150‑520torr。该半导体成膜方法，解决了目前沟槽型半导体产品加工过程中化学气相沉积工艺的成膜质量较差的技术问题。
半导体方法半导体器件制造

[发明专利]二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法-CN202010545225.0有效
发明人：卢经文;冯伟;朱柄宇 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：一种二氧化硅薄膜的形成方法和金属栅极的形成方法，其中所述二氧化硅薄膜的形成方法，在半导体衬底上形成二氧化硅层后，对所述二氧化硅层进行氮化处理，将部分厚度的所述二氧化硅层转化为氮化硅和氮氧化硅的混合层；去除所述混合层，在所述半导体衬底上形成二氧化硅薄膜。通过前述特定步骤的结合使得最后剩余的二氧化硅薄膜的厚度是超薄的，并且形成的二氧化硅薄膜的厚度及厚度均匀性是可控的。
二氧化硅薄膜形成方法金属栅极

[发明专利]用于填充间隙的方法和设备-CN201780043306.7有效
发明人： V·珀尔;W·科内鹏;B·琼布罗德;D·皮尔勒;S·范阿尔德;S·霍卡;深泽笃毅;福田秀明 -专利权人： ASM IP控股有限公司
申请日： 2017-07-14 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种通过提供沉积方法来填充在基底上制造特征期间形成的一个或多个间隙的方法，所述沉积方法包括：以第一剂量将第一反应物引入到所述基底上，由此由所述第一反应物形成不超过约一个单层；以第二剂量将第二反应物引入到所述基底上。所述第一反应物以亚饱和第一剂量引入，从而仅到达所述一个或多个间隙的表面的顶部区域，并且所述第二反应物以饱和第二剂量引入，从而到达所述一个或多个间隙的表面的底部区域。可以以第三剂量将第三反应物提供至反应室中的所述基底，所述第三反应物与所述第一和第二反应物中的至少一种反应。
用于填充间隙方法设备

[发明专利]绝缘膜的制造方法-CN202180082954.X在审
发明人：中川清和 -专利权人：株式会社阿比特技术
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种不需要高温下的加热的绝缘膜的制造方法。本发明的绝缘膜的制造方法包含沉积工序、加热工序和暴露工序，在沉积工序中，在基板(11)上沉积材料，在加热工序中，在85℃以上且450℃以下对基板(11)进行加热，在暴露工序中，通过对基板(11)上的成膜材料层(12)的表面SA2照射包含氢自由基的等离子体(82)，使氢扩散到成膜材料层(12)的结构中并与成膜材料层(12)的成分结合，由等离子体82形成的自由基的照射时间与密度之积为25×1014分钟·个/cm3以上。
绝缘制造方法

[发明专利]锆前体、铪前体、钛前体及使用其沉积含第4族的膜-CN201780076821.5有效
发明人：金大铉;伽蒂诺谕子;卢源泰;尤利安·伽蒂诺;让-马克·吉拉尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：披露了形成含第4族过渡金属的膜的组合物。这些形成含第4族过渡金属的膜的组合物包含具有式L2‑M‑(R)C5R3‑[(ER2)2‑NR]‑的第4族过渡金属前体，其中M为以η5键合模式键合至Cp基团的Ti、Zr或Hf；每个E独立地为C、Si、B或P；每个R独立地为氢或C1‑C4烃基；且每个L独立地为选自由以下组成的组的‑1阴离子配体：NR’2、OR’、Cp、脒基、β‑二酮或酮亚胺，其中R’为H或C1‑C4烃基且相邻R’可接合以形成烃基环；其前提为该Cp上的至少一个R为C1至C4。还披露了合成和使用所披露的前体以经由气相沉积过程在一个或多个基材上沉积含第4族过渡金属的膜的方法。
锆前体铪前体钛前体使用沉积

[发明专利]一种高温特性的半导体芯片加工工艺-CN202310663102.0在审
发明人：刘明平;曾健平;王振;彭伟;田孝文;曾庆立;张仁民 -专利权人：广西芯瑞半导体科技有限公司
申请日： 2023-06-06 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明涉及半导体芯片生产加工技术领域，公开了一种高温特性的半导体芯片加工工艺，包括以下步骤：步骤一，取适量的硅砂进行高温加热分离其中的一氧化碳和硅，将高纯硅熔化成液体，再冷却凝固成单晶固体形式得到硅柱，将硅柱切割成薄片后进行“平坦区”或“凹痕”标记，再通过研磨和化学刻蚀工艺去除表面瑕疵，然后进行抛光处理，最后清洗去除残留污染物，获得成品晶圆。通过将清洁完成后的成品晶圆放在高温下加入水蒸气进行热氧化，使其表面形成氧化层，从而使整个加工工艺过程中，使用湿法氧化进行表面的保护，避免二次污染，提高了产品的电性能稳定和高温特性。
一种高温特性半导体芯片加工工艺

[发明专利]选择性沉积方法-CN201810298565.0有效
发明人：村上博纪;清水亮 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-30 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上时更有效地进行绝缘膜的选择性沉积的选择性沉积方法。所述选择性沉积方法使薄膜选择性地沉积于绝缘膜和导电膜露出的基底上，所述选择性沉积方法具有：准备具有绝缘膜和导电膜露出的基底的被处理体的工序；以及多次重复第一阶段和第二阶段来使硅系绝缘膜选择性地沉积于所述绝缘膜上，并且此时通过与反应气体之间的反应来使导电膜气化，从而使所述导电膜膜减少的工序，其中，在所述第一阶段中，使氨基硅烷系气体吸附于绝缘膜和导电膜上，在所述第二阶段中，供给用于与吸附的氨基硅烷系气体发生反应来形成硅系绝缘膜的反应气体。
选择性沉积方法

[发明专利]使用五取代的二硅烷气相沉积含硅膜-CN201680076386.1有效
发明人：让-马克·吉拉尔;高昌熙;伊凡·奥谢普科夫;柳田一孝;大窪清吾;野田直人;尤利安·伽蒂诺 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：披露了使用五取代的二硅烷诸如五卤二硅烷或五(二甲基氨基)二硅烷经由气相沉积工艺在基板上沉积含硅膜的方法。
使用取代硅烷沉积含硅膜

[发明专利]一种晶硅片镀膜方法及装置-CN201811408440.5有效
发明人：赵科雄;陈红;常鹏飞;胡滇建;赵许飞;马威 -专利权人：隆基乐叶光伏科技有限公司
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶硅片镀膜方法及装置，涉及太阳能光伏技术领域。其中，所述方法包括：在装载有晶硅片的石墨舟放入炉体内的石英管后，将所述石墨舟与所述石英管内的电极杆连接；在所述炉体的炉门关闭并抽真空后，将所述电极杆与第一电源连通，通过所述第一电源对所述石墨舟加热，以及将所述石英管外壁的电阻丝与第二电源接通，通过所述第二电源对所述电阻丝加热；在所述晶硅片的温度稳定在设定温度阈值后，将所述电极杆切换至与辉光电源连通；基于所述辉光电源，对所述晶硅片镀膜。不仅用第二电源对炉体加热，还利用第一电源对石墨舟加热，减少了加热时间，第一电源是对石墨舟直接加热，加热效率高，提升了产能。
一种硅片镀膜方法装置

[发明专利]基板处理装置、液体原料补充系统、半导体装置的制造方法及程序-CN202080107745.1在审
发明人：寿崎健一 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：提供一种技术，具有：气化容器，其使液体原料在内部气化；液体原料补充管线，其一端与气化容器连接，另一端与液体原料的供给源连接；第一阀，其设置于液体原料补充管线；第二阀，其设置于液体原料补充管线的比第一阀靠上游侧的位置；液体原料贮存部，其形成于第一阀与所述第二阀之间；以及控制部，其控制第一阀和第二阀的开闭，以便通过在关闭了第一阀的状态下开放第二阀而向液体原料贮存部填充了液体原料之后，关闭第二阀而开放第一阀而将填充于液体原料贮存部的液体原料向气化容器内排出的填充排出处理，来向气化容器内供给液体原料。
处理装置液体原料补充系统半导体制造方法程序

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质-CN201780093745.9有效
发明人：室林正季;原田幸一郎;井川博登;吉野晃生;中山雅则 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-09-13 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：在利用了等离子体的基板处理装置中，抑制因构成处理室的处理容器的温度而产生的处理速率的下降，抑制每个被处理基板的处理速率的不均等。提供一种基板处理装置，该基板处理装置具备：形成处理基板的处理室的至少一部分的处理容器；等离子体生成部，其具有以卷绕在处理容器的外周的方式设置的线圈、以及向线圈供给高频电力的高频电源；基板载置台，其在处理室内，与线圈的下端相比设在下方；设于基板载置台的加热器；以及温度传感器，其对处理容器的与线圈的上端相比位于上方的部分的温度进行测定。
处理装置半导体器件制造方法以及记录介质

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