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[发明专利]可提供低能注入离子的石墨烯处理装置-CN202310162842.6在审
发明人： 王浩敏;王祎博;王慧山;姜程鑫;王伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种可提供低能注入离子的石墨烯处理装置，包括放样仓、处理仓，以及隔离阀；放样仓包括第一腔体、样品座和样品输送杆，样品座位于第一腔体内；处理仓包括第二腔体、样品台、等离子体线圈，以及上电极网和下电极网；样品台、上电极网和下电极网位于第二腔体内，上电极网和下电极上下间隔设置且高度可调；样品输送杆可将样品座传送至样品台上，和/或自样品台将样品座传出，通过等离子体线圈放电产生的等离子体可通过上电极网和下电极网，以在处理仓内对位于样品座上的样品进行处理。本发明可以提供较高质量的等离子体发生真空环境，减少大气环境污染，提升等离子体产生的效率，保证等离子体的纯度与可靠性，满足不同的处理需要。
提供低能注入离子石墨处理装置

[发明专利]六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法-CN202111215650.4有效
发明人： 王浩敏;姜程鑫;王慧山;肖相生;王伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种六方氮化硼表面扭转双层石墨烯及其制备方法，通过先对六方氮化硼衬底退火处理进行清洁，然后在六方氮化硼衬底表面涂覆辅助材料同时对该辅助材料进行加热及减量处理，使保留在六方氮化硼衬底上的辅助材料含量保持在合适的厚度范围内，通过选择合适的辅助材料种类以及合适的保留厚度，以辅助后续石墨烯的形核成长，然后再结合特定的催化气体材料实现在六方氮化硼衬底表面直接制备形成具有多转角的双层石墨烯。解决了六方氮化硼衬底表面石墨烯形核困难以及难以直接制备多转角的双层石墨烯的问题，为基于石墨烯的转角电子学研究提供基础。
氮化表面扭转双层石墨及其制备方法

[实用新型]一种超细粉煤灰的球磨装置-CN202222432900.6有效
发明人：屈松杰;耿颜飞;孙学仁;王浩敏;王素娜;杨玉祥 -专利权人：登封市嵩基新材料科技有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： B02C17/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种超细粉煤灰的球磨装置，属于粉煤灰球磨装置领域，所述超细粉煤灰的球磨装置，包括外罐体和内罐体，所述外罐体的两侧分别设置有通过支撑架支撑的第一固定筒和第二固定筒，所述第一固定筒内设置有进料筒，所述进料筒远离内罐体的一端伸出第一固定筒，所述内罐体远离进料筒的一端设置有转轴，所述转轴贯穿外罐体并从第二固定筒内伸出，所述外罐体罐内两端均设置有用于辅助排料的排料机构；本实用新型可以通过内罐体上开设的换球口，使磨球在需要更换的时候，打开换球口，然后转动内罐体，使磨球从换球口落到外罐体内，然后再次被推板从出料口推出，接着在从进料口使新的磨球放入，达成换球。
一种粉煤装置

[发明专利]基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法-CN202211313444.1在审
发明人： 王浩敏;孔自强;王慧山;陈令修;肖相生 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L43/14 文献下载
摘要：本发明提供一种基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法，以氢气退火处理后的碳化硅为衬底，硅乙烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，采用化学气相沉积法外延生长单层石墨烯，可制备均匀性较好的石墨烯结构，制备的量子电阻芯片在6T的磁场强度和4.5K的温度下，霍尔电阻测量准确度达到1.2×10‑8，同时相对不确定度达到3×10‑8，复现性达到3×10‑9，在半年内的磁输运特性具有高度稳定性，该量子电阻芯片具有小型化、集成度高、成本优化、经济效益高、适用性强的优点，可直接将该量子电阻芯片集成于便携式量子电阻标准测量系统，有利于推动精密测量行业的进一步发展。
基于石墨量子电阻芯片制备方法

[发明专利]小型量子电阻标准器-CN202111498630.2有效
发明人： 王浩敏;王祎博;王慧山;肖相生;王伟 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所;江苏云涌电子科技股份有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： G01R35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种小型量子电阻标准器，包括固定背板、固定槽板、芯片托槽、磁体模块、量子霍尔电阻芯片及屏蔽罩，固定槽板固定于固定背板上，固定槽板上设置有凹槽，芯片托槽位于凹槽内；芯片托槽上设置有芯片容纳槽、电性连接点及导线孔，量子霍尔电阻芯片位于芯片容纳槽内，且量子霍尔电阻芯片与电性连接点电连接；磁体模块位于固定槽板及芯片托槽上；屏蔽罩罩设于磁体模块外围，且与固定背板相固定，固定背板和固定槽板同时作为导热机构。本发明可以实现量子电阻芯片的快速更替，可以实现内部固有磁场和外部施加磁场的多方调控，大大优化简化了量子电阻的环境要求，使产品集成化而无需复杂实验室条件，有利于量子电阻标准器的推广与应用。
小型量子电阻标准

[发明专利]多层六方氮化硼薄膜的制备方法-CN201811102112.2有效
发明人：时志远;吴天如;卢光远;王秀君;张超;王浩敏;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： C01B21/064 文献下载
摘要：本发明提供一种多层六方氮化硼薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)提供一衬底；2)提供含硼固态催化剂，将含硼固态催化剂置于衬底上；3)将含硼固态催化剂进行退火处理，以使得含硼固态催化剂熔化；4)向溶化后的含硼固态催化剂所在环境内同时通入含氮气体及保护气体，含氮气体与含硼固态催化剂进行反应以于衬底表面形成多层六方氮化硼薄膜。本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法可以在衬底表面制备横向尺寸达英寸级且厚度在几纳米至几百纳米之间的六方氮化硼薄膜；本发明的多层六方氮化硼薄膜的制备方法的制备条件简单、成本低廉、对环境友好、生长参数的窗口较宽、重复性好，为六方氮化硼在二维材料器件领域的应用奠定良好的基础。
多层氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法-CN202010620665.8有效
发明人：张学富;吴天如;王浩敏;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2020-06-30 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括以下步骤：S1：提供一种铜基织构薄膜衬底，将所述铜基织构薄膜衬底置于化学气相沉积系统中进行退火处理；以及S2：通入气态碳源，在所述铜基织构薄膜衬底表面外延生长石墨烯单晶晶圆。根据本发明提供的一种铜基织构薄膜衬底上制备石墨烯单晶晶圆的方法，解决了单晶衬底外延生长单晶石墨烯晶圆带来的高昂成本问题，有利于石墨烯单晶晶圆的规模化应用，对实现石墨烯在微电子领域中的广泛应用有着重要的意义。
一种铜基织构薄膜衬底制备石墨烯单晶晶圆方法

[发明专利]一种高性能相变存储器及其制备方法-CN202111106532.X在审
发明人：宋志棠;周夕淋;王浩敏;宋三年 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2021-09-22 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高性能相变存储器及其制备方法。该相变存储器包括：基底层，电极层，介质隔离层，底电极层，相变材料层，顶电极层，所述介质隔离层与底电极层之间设有介质缓冲材料层。该相变存储器可以有效避免底电极因氧化造成的性能衰退，确保电极的使用寿命；并且增加了散热面积，提高了器件操作过程中的散热效率，从而降低相变存储介质中的热应力，减小阻值漂移系数，提高了器件可靠性。
一种性能相变存储器及其制备方法

[发明专利]一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法-CN201811042914.9有效
发明人：张学富;王浩敏;吴天如;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C01B32/188 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温制备石墨烯单晶晶圆的方法，包括：在单晶绝缘衬底表面沉积一层二元铜基合金薄膜，将该合金薄膜置于化学气相沉积系统中进行退火处理，通入气态碳源，低温下外延生长石墨烯单晶晶圆。该方法降低石墨烯的褶皱，进而提高石墨烯的电学性能，降低石墨烯单晶晶圆的生产成本。
一种低温制备石墨烯单晶晶圆方法

[发明专利]一种面内呈60°夹角的镍铜（111）孪晶薄膜及其制备方法-CN201911165270.7在审
发明人：张学富;吴天如;王浩敏;于庆凯;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及材料合成技术领域，具体是一种面内呈60°夹角的镍铜(111)孪晶薄膜及其制备方法，所述方法包括：S1、在蓝宝石基片的晶面Al2O3(0001)上沉积金属薄膜，得到依附在所述蓝宝石基片上的前躯镍铜薄膜；S2、将所述前躯镍铜薄膜放置在加热炉内，在氩气和氢气的混合气氛中进行退火处理，得到具有面外方向是(111)择优取向的镍铜孪晶薄膜，所述镍铜孪晶薄膜面内晶畴间呈60°夹角。本发明制备出的镍铜孪晶薄膜具有较强的催化性能，能够极大提高石墨烯的生长速度，降低批量化制备石墨烯单晶晶圆的成本。
一种面内呈 60 夹角 111 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种用于轴向电子元器件引线整形的工艺方法和装置-CN201911173943.3在审
发明人：张宝维;于建鹏;金晓;王浩敏;李数数 -专利权人：山东航天电子技术研究所
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： B21F1/02 文献下载
摘要：本发明属于轴向电子元器件引线校正装置技术领域，特别涉及一种用于轴向电子元器件引线的整形装置及整形工艺。所述整形装置包括上、下模块，所述上、下模块均包括外壳和内衬板，所述外壳具有两导向边和两限位边，所述内衬板容至于所述两导向边和两限位边形成的容纳槽中，沿所述内衬板横向中心线开设一导向槽，所述导向槽的宽度大于轴向电子元器件本体轴向长度0.2‑0.5mm，所述上模块置于所述下模块内并可沿着所述下模块外壳两导向边左右移动。所述整形装置可一次完成多个元器件的整形校直工作，并且能够保证整形校直质量的一致性，能够提高校正效率。
一种用于轴向电子元器件引线整形工艺方法装置

[发明专利]石墨烯边界调控方法-CN201710890641.2有效
发明人： 王浩敏;陈令修;贺立;王慧山;谢红;王秀君;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯边界的调控方法，包括骤：提供一绝缘衬底，并将绝缘衬底置于生长腔室中；向生长腔室中通入第一反应气体，且第一反应气体至少包括碳源气体，通过控制第一反应气体的流量，以于绝缘衬底表面形成具有第一边界形状的石墨烯结构，通过上述技术方案，本发明提供一种石墨烯边界调控方法，通过调节衬底表面生长石墨烯生长过程中碳源气体和催化气体的比例，以实现石墨烯的边界可控；本发明还可以在已经形成的石墨烯的基础上，通过改变生长条件使其继续生长，改变原有的石墨烯的边界形状；还可以在具有台阶的衬底表面生长石墨烯，通过对应取向台阶优化生长条件，得到特定取向且边界整齐的石墨烯带以及控制得到较窄的石墨烯纳米带。
石墨边界调控方法

[发明专利]一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法-CN201710890518.0有效
发明人： 王浩敏;谢红;王慧山;王秀君;陈令修;贺立;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯‑硒化铌超导异质结器件及其制备方法，该方法提供衬底；在所述衬底上形成石墨烯；对所述石墨烯进行图形化，形成具有预设形状的沟槽；于所述沟槽内生长硒化铌，所述硒化铌沿所述石墨烯边界外延生长，形成石墨烯‑硒化铌平面超导异质结。本发明通过化学气相沉积法外延生长石墨烯‑硒化铌平面异质结，该方法不易引入杂质、工艺简单、所获得的产物尺寸易控制、产率高、成本低。可满足工业化和规模化生产要求。
一种石墨硒化铌超导异质结器件及其制备方法

[实用新型]一种以太网多光多电光纤收发器及应用其的通信系统-CN201821094982.5有效
发明人：李天鹏;吴双;李军祥;王正中;王浩敏 -专利权人：航天建筑设计研究院有限公司;李天鹏;李军祥;吴双
申请日： 2018-07-11 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：一种以太网多光多电光纤收发器及应用其的通信系统包括第一光模块、第二光模块、光电转换芯片、多组电模块单元、电源模块及PCB板，所述第一光模块连接光电转换芯片，所述光电转换芯片连接电源模块；所述光电转换芯片连接多组电模块单元的网口隔离变压器；所述第一光模块接和第二光模块均采用单纤多模双向模式；所述第一光模块与第二光模块相互连接实现数据通信；所述第一光模块、第二光模块、光电加密机解密模块、光电转换芯片、多组电模块单元均固定于PCB板上。有益效果在于：本实用新型所述多光多电光纤收发器可适用于多种组网方案，网络结构灵活，易于管理，运营维护成本低。
光模块光电转换芯片光纤收发器电模块以太网通信系统网口隔离变压器连接电源模块本实用新型电源模块解密模块数据通信双向模式网络结构运营维护加密机单纤多模组网应用灵活管理

[发明专利]一种镍铜（111）合金单晶薄膜的制备方法以及由此得到的镍铜（111）合金单晶薄膜-CN201810669531.8在审
发明人：张学富;王浩敏;吴天如;谢晓明 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B29/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种镍铜（111）合金单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1，提供蓝宝石基片；S2，在蓝宝石基片的晶面Al₂O₃(0001)上沉积50‑5000nm厚的金属薄膜，得到沉积有镍铜合金的蓝宝石衬底，其中，该金属薄膜为镍原子占原子总数的1‑40％的由镍原子和铜原子组成的合金薄膜；S3，将蓝宝石衬底放入化学气相沉积炉中，在氩气和氢气的气体氛围中进行退火处理，得到(111)晶向的单晶薄膜。本发明还涉及一种根据上述的制备方法得到的镍铜(111)合金单晶薄膜。根据本发明的制备方法获得的镍铜(111)合金单晶薄膜，极大地提高石墨烯的性能，为下一步石墨烯在微电子领域中的应用奠定基础。
合金单晶镍铜薄膜制备蓝宝石基片蓝宝石金属薄膜镍原子石墨烯衬底沉积化学气相沉积炉微电子领域氩气单晶薄膜合金薄膜镍铜合金气体氛围退火处理氢气铜原子放入晶面晶向应用

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