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[发明专利]一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结双向电催化剂及其制备方法-CN202210083801.3有效
发明人：李运勇;王炜龙;王伟;单炯威;张冰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C25B1/04 文献下载
摘要：本申请提供了一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结结构材料及其制备方法和应用，所述钒掺杂二硒化钨/MXene异质结结构材料是由钒掺杂二硒化钨在MXene材料表面原位垂直生长而形成的异质结纳米片。本申请还提供了一种钒掺杂二硒化钨/MXene异质结双向电催化剂及其制备方法，对开发出成本低廉的新型高效双功能电催化剂具有重要意义。
一种掺杂二硒化钨 mxene 异质结双向催化剂及其制备方法

[发明专利]一种二维材料异质结传感器-CN201811490137.4在审
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：一种二维材料异质结传感器，属于MEMS技术领域，器件结构由上到下依次为选择层、二硒化钨层、二硫化钼层和基底；二硒化钨层与二硫化钼层交叠形成异质结；异质结表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层，金属电极分别与二硫化钼层和二硒化钨层相连接，采用二硫化钼与二硒化钨形成的异质结作为传感器的核心敏感部分，利用其对蛋白分子敏感的特性检测标记物的浓度，本发明的传感器对于癌症的早期诊断具有重要意义
异质结二硒化钨传感器二硫化钼层抗体牛血清蛋白二维材料选择层肿瘤标记物表面修饰蛋白分子二硫化钼金属电极器件结构特性检测由上到下早期诊断重要意义敏感标记物基底交叠位点癌症填补覆盖

[实用新型]二维材料异质结传感器-CN201822044070.3有效
发明人：李鹏 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：二维材料异质结传感器，属于MEMS技术领域，器件结构由上到下依次为选择层、二硒化钨层、二硫化钼层和基底；二硒化钨层与二硫化钼层交叠形成异质结；异质结表面修饰有与被测肿瘤标记物相对应的抗体，采用牛血清蛋白填补异质结表面没有被抗体覆盖的位点，抗体和牛血清蛋白共同构成选择层，金属电极分别与二硫化钼层和二硒化钨层相连接，采用二硫化钼与二硒化钨形成的异质结作为传感器的核心敏感部分，利用其对蛋白分子敏感的特性检测标记物的浓度，本实用新型的传感器对于癌症的早期诊断具有重要意义
异质结二硒化钨传感器二硫化钼层抗体牛血清蛋白二维材料选择层本实用新型肿瘤标记物表面修饰蛋白分子二硫化钼金属电极器件结构特性检测由上到下早期诊断重要意义敏感标记物基底交叠位点癌症填补覆盖

[发明专利]一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法-CN202111485187.5在审
发明人：张瑞;郝国强;周瑞;叶晓军;李红波 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G06F30/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型的构建方法，包括以下步骤：根据石墨烯建立4×4的石墨烯超胞，根据单层WSe2建立3×3WSe2的超胞，将3×3WSe2的超胞垂直叠加在4×4的石墨烯超胞上，得到基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型；通过基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型对气体的吸附进行研究，从理论上计算了气体吸附在异质结气体传感器模型上的吸附能、能带结构、电荷密度差分。本发明构建的基于石墨烯/二硒化钨的异质结气体传感器模型，通过分析石墨烯/二硒化钨异质结对十种气体的吸附性能，从理论上计算了气体吸附在异质结上的稳定构型、能带结构和电荷转移。
一种基于石墨二硒化钨异质结气体传感器模型构建方法

[发明专利]一种能产生层间激子的二维有机无机异质结及其制备方法-CN202310199706.4在审
发明人：张玲珑;杨顺顺;刘友文;田夫果 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2023-03-04 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H10K71/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种能产生层间激子的二维有机无机异质结及其制备方法，制备步骤包括：S1.物理气相传输法制备双层并五苯晶体；S2.机械剥离法或化学气相沉积法制备单层硒化钨晶体；S3.利用干法转移将单层硒化钨转移到双层并五苯上制备得到单层硒化钨/双层并五苯异质结。本发明通过设计能带排列，采用干法转移工艺制备出能产生层间激子的二维单层硒化钨/双层并五苯异质结。
一种产生激子二维有机无机异质结及其制备方法

[实用新型]一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器-CN201820452438.7有效
发明人：谭秋红;任文萍;王前进;刘应开;蔡武德 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2018-04-02 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于二硫化钼与二硒化钨垂直异质结的铁电存储器，包括栅电极、铁电绝缘层、二硫化钼和二硒化钨垂直异质结沟道层、金源电极和金漏电极，所述栅电极上设置有铁电绝缘层，绝缘层上设置有二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层，二硫化钼与二硒化钨垂直异质沟道层上分别设置有金源电极和金漏电极。
二硫化钼二硒化钨垂直沟道层异质结本实用新型铁电存储器铁电绝缘层金漏电极金源电极栅电极异质绝缘层存储器技术领域载流子迁移率开关电流比器件功耗光开关抗疲劳响应

[发明专利]一种基于二硒化钨和IEICO-4F的异质结结构及光电探测器、及其制备-CN202210228997.0在审
发明人：徐明生;陈叶馨;朱清海 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二硒化钨和IEICO‑4F的异质结结构及光电探测器、及其制备，通过化学气相沉积法在硅衬底上合成单层二硒化钨薄膜，再通过旋涂工艺在二硒化钨薄膜上制备出IEICO‑4F层。该异质结能带呈II型(交错)排列，有利于快速分离因入射光所生成的光生载流子而形成光电流，且随着有机半导体层厚度增加，二硒化钨的光致发光峰显著淬灭，器件表现出更加优异的光响应特性。该异质结及其光电探测器的制备方法简单、成本低、兼容硅工艺。由该异质结结构组成的光电探测器具有高响应率、高探测率、高稳定性、宽光谱响应等优异特性，这为新一代基于二硒化钨的光电探测器提供新的指导意义。
一种基于二硒化钨 ieico 异质结结构光电探测器及其制备

[发明专利]一种制备硒化钨/硒化铟二维垂直异质结的方法-CN202310147363.7在审
发明人：周溯媛;祁祥;王广;姚博文 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备硒化钨/硒化铟二维垂直异质结的方法。本发明主要是，两步逆向气流化学气相沉积直接制备硒化钨/硒化铟二维垂直异质结。使用第一步逆向气流化学气相沉积单层WSe2薄片，在升温阶段引入逆向气流，硒化钨粉末作为前驱体，在管式炉中加热，在基片上沉积单层WSe2薄片；再使用第二步逆向气流化学气相沉积法在生长好WSe2薄片上沉积In2Se3异质结，在升温阶段引入逆向气流，将第一步生长好的WSe2薄片作为衬底，硒化铟粉末作为前驱体进行加热，得到硒化钨/硒化铟二维垂直异质结。本发明由于在升温过程引入逆向气流，能够避免升温阶段化合物提前沉积，避免化合物过饱和生长，能够获得大尺寸，高结晶度和平整度的异质结，性能稳定，应用价值更高，反应常压下进行，对设备要求低，适合大规模生产。
一种制备硒化钨硒化铟二维垂直异质结方法

[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制备方法-CN202210805561.3在审
发明人：周大华;石彪;张永娜;赵洪泉;朱海鹏;冯双龙;史浩飞 -专利权人：中国科学院重庆绿色智能技术研究院
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了一种隧穿场效应晶体管及其制备方法，其中隧穿场效应晶体管包括半导体衬底、绝缘层、异质结、导电电极层以及介质层，所述半导体衬底的上方设置所述绝缘层，所述绝缘层上方设置所述异质结，所述异质结的上方设置所述介质层，在所述异质结的两侧以及所述介质层的上方设置所述导电电极层，所述异质结包括错开堆叠的硒化钨层和硒化锆层。本发明采用硒化锆/硒化钨异质结作为隧穿层，通过栅压调节异质结界面能带结构，使得该晶体管具有较高的开态电流，解决硅基隧穿场效应晶体管开态电流小的问题。
一种场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种具有表面等离激元的二维材料异质结光电探测器及其制备方法-CN202110690461.6有效
发明人：黄文;肖昊东;龚天巡;张晓升;林媛 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有表面等离激元的二硒化钨/二硫化钼异质结光电探测器及其制备方法，包括ITO电极、异质结：由二维二硒化钨和二硫化钼以范德华力结合在一起以及表面等离激元：由金纳米颗粒构成。发明提出的光电探测器，利用表面等离激元对光子能量的吸收作用来增强二维二硒化钨/二硫化钼异质结的光吸收和光响应。发明提出制备方法包括通过激光直写光刻技术在异质结区域的光刻胶上精确地刻出亚微尺寸特定图形如矩形或圆形等窗口、利用移液器在窗口区域滴加纳米颗粒溶液如金纳米颗粒溶液或银纳米颗粒溶液、在震动和加热环境下将金纳米颗粒富集在矩形窗口内的方式在异质结区域上引入表面等离激元本发明提出的具有表面等离激元的二维材料异质结光电探测器的结构及其制备方法具有新颖和简单的特点。
一种具有表面离激元二维材料异质结光电探测器及其制备方法

[发明专利]二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法-CN201910688508.8有效
发明人：李梓维;李方;杨文;梁德琅;潘安练 -专利权人：湖南大学
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种二硫化钼/二硒化钨垂直异质结的制备方法。方法包括：采用在二氧化硅/硅基底上用化学气相沉积的方法先制备出二硫化钼薄层，然后再次运用化学气相沉积的方法直接在上述基底上沉积二硒化钨薄层，并在NaI的辅助下，在600‑700℃的生长温度下实现所述两种材料构成的垂直异质结本发明二硫化钼/二硒化钨垂直异质结材料的制备方法工艺简单，原料中添加低熔点盐并结合成熟的基础工艺，能够避免底层过渡金属二硫化物(TMDCs)的原子替换、热分解、合金化等不利因素，实现高质量、原子级陡峭界面二维异质结的生长本发明提出了一种新的生长机制，能更加深入理解TMDCs垂直异质结在成核和动力学方面的生长过程，为基础研究和潜在的器件应用定义了一个多功能的材料平台。
二硫化钼二硒化钨垂直异质结制备方法

[发明专利]一种纳米异质结乙烯敏感薄膜及其制备方法和应用-CN202110525847.1在审
发明人：李娴;王洋;杜晓松;孙洁;李哲敏 -专利权人：中国农业科学院农业信息研究所
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米异质结乙烯敏感薄膜及其制备方法和应用，属于农业信息领域。本发明提供了一种纳米异质结乙烯敏感薄膜，包括基底和敏感层，所述敏感层包括还原氧化石墨烯和钨系硫族化合物，所述还原氧化石墨烯与钨系硫族化合物的质量比为1：0.2～1，所述钨系硫族化合物为二硫化钨或二硒化钨本发明提供的纳米异质结乙烯敏感薄膜与乙烯接触后，纳米异质结乙烯敏感薄膜的电阻发生变化，通过检测纳米异质结乙烯敏感薄膜的电阻即可检测出乙烯的浓度。
一种纳米异质结乙烯敏感薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种基于二维材料的光电探测器及其制备方法-CN202110735167.2在审
发明人：吴章婷;曾培宇;汪曾达;张阳;郑鹏;郑梁 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维半导体的光电探测器及其制备方法，至少包括衬底层、设置在该衬底层上的绝缘层、在该绝缘层上形成的异质结构以及分别与该异质结构源极和漏极相连接的电极，其中，所述异质结构至少包括二硒化钨层、石墨烯层和二硫化铼层，所述二硒化钨层、石墨烯层和二硫化铼层形成的接触均为范德瓦尔斯接触，三者的堆叠构成异质结；所述二硒化钨层位于底层，完全与绝缘层接触；所述石墨烯层置于中间层，所述二硫化铼层置于顶层，所述二硒化钨层和二硫化铼层经石墨烯层隔离而相互不接触。
一种基于二维材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法-CN202210359112.0在审
发明人：吴燕庆;王欣;刘视远 -专利权人：北京大学
申请日： 2022-04-07 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C30B28/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单晶二硒化钨的垂直异质外延高定向金属铂的方法，得到的金属铂和二硒化钨的间隙小于范德华间距，从而形成更好的二维材料和金属接触。二硒化钨位于底层，金属铂位于上层，二者垂直堆叠，通过采用氧气退火纵向诱导形成高定向金属铂外延，从而降低了异质结的接触电阻。本发明提出的方法，解决了高定向金属薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、成本高的问题。二硒化钨场效应晶体管为PMOS，通过本发明方法实现了半导体二维材料与金属的高质量接触，有利于降低接触电阻，与NMOS场效应晶体管形成互补，有利于提高纳米片CMOS器件的性能。
基于单晶二硒化钨垂直外延定向金属方法

[发明专利]异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件-CN202111220878.2在审
发明人：朱佩;陈亚文 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结纳米材料、电子传输薄膜和显示器件。该异质结纳米材料包括：第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结。该异质结纳米材料含有第一金属硒化物及复合于第一金属硒化物上的第二金属硒化物，第二金属硒化物为银掺杂的金属硒化物，第一金属硒化物及第二金属硒化物之间形成异质结，从而有利于自由电子迁移，使得异质结纳米材料具有较高的电导率；此外，该异质结纳米材料相比于单纯的金属硒化物纳米材料具有更好的光散射作用。
异质结纳米材料电子传输薄膜显示器件

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