[发明专利]一种高密度芯片焊接结构及焊接方法在审
| 申请号： | 201910758036.9 | 申请日： | 2019-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN110504234A | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 张博威 | 申请（专利权）人： | 华宇华源电子科技(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶新平<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明一种高密度芯片焊接结构，包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。一体化的金属材料包括金属基材和金属导体。每个金属焊盘的高度相等或者不相等。本发明解决了现有的银胶焊料存在树脂材料与芯片热膨胀系数不匹配，导致粘接后芯片容易与焊料分层、银粉不能100％填充，导电和散热不佳等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金属焊盘 焊料 金属连接 金属载体 焊料层 金属材料 金属导体 芯片 芯片热膨胀系数 绝缘基材表面 高密度芯片 电极焊接 电路走线 多条电路 高度相等 焊接结构 金属基材 树脂材料 一体化 不相等 电连接 阻焊层 散热 导电 分层 焊层 焊盘 银粉 银胶 粘接 走线 附着 填充 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种高密度芯片焊接结构，其特征在于：包括金属载体，位于金属载体上的金属连接区，安装于金属连接区上的多个芯片，所述金属载体为一体化的金属材料或者在绝缘基材表面附着一层金属导体的载体，所述金属连接区包括多个金属焊盘或者多条电路走线和多个金属焊盘或者阻焊层，所述金属焊盘上设有焊料层，焊料层上设有助焊层，所述电路走线位于阻焊层之下，电路走线的端点与金属焊盘电连接，金属焊盘通过焊料层的焊料及高温与芯片的焊盘或者电极焊接。/n
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- 2019-01-14 - 2019-12-24 - H01L23/488
- 本实用新型涉及利用导电性金属结构体的半导体封装，尤其，涉及一种利用夹具或柱子形态的导电性金属结构体，使得半导体芯片与引线框架引线形成电性连接，并且，有效地改善半导体芯片与金属结构体结合的部分而提高生产性，并提高耐久性和电性连接特性的利用导电性金属结构体的半导体封装。即，本实用新型包括：半导体芯片；铝平板，形成于所述半导体芯片的上部；导电性金属结构体，通过焊料系列的第2粘接层与所述铝平板结合，并且，所述第2粘接层形成在与铝平板接近的部分的下部既定区域分布有金属间化合物(IMC)的形态。
- 一种半导体结构及电器元件-201920742163.5
- 徐振杰;王琇如;曹周 - 杰群电子科技(东莞)有限公司
- 2019-05-22 - 2019-12-24 - H01L23/488
- 本实用新型公开了一种半导体结构及电器元件，涉及半导体技术领域。该半导体结构包括芯片以及引线框架，引线框架包括框架本体及折边，芯片通过第一锡膏层固定于框架本体上，第一锡膏层由高铅锡膏制成；框架本体的边缘朝向芯片的一侧翻折形成折边，芯片背离框架本体的一侧表面与折边平齐。该半导体结构中，芯片与框架本体通过第一锡膏层固定，第一锡膏层由高铅锡膏制成，熔点高，使得焊接温度较高，当半导体结构通过焊接固定在其他元件上时，第一锡膏层不会熔化，使得芯片的位置稳定，芯片与引线框架的固定效果好；引线框架通过设置折边，可以将芯片相对的两个表面上的电极引至同一侧，方便半导体结构与其他元件焊接固定。
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