专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于高密度2.5D和3D集成的互连方法-CN201880022465.3有效
  • J·S·甘地;S·瑞玛林嘉;H·刘 - 赛灵思公司
  • 2018-03-28 - 2023-10-20 - H01L23/00
  • 本发明描述了通过显著减少Cu氧化物形成来在降低的温度(例如,至多200℃)下用于实现铜‑铜(Cu‑Cu)键合的方法和设备。这些技术提供更快的循环时间并不需要特殊措施(例如,形成气体)。这些技术还可实现更长的队列(Q)或分段时间。一个示例性半导体结构(100)一般包括半导体层(102)、被设置在所述半导体层(102)上方的粘附层(104)、被设置在所述粘附层(104)上方的阳极金属层(106),以及被设置在所述阳极金属层(106)上方的阴极金属层(108)。所述阳极金属层(106)的氧化电位可高于所述阴极金属层(108)的氧化电位。这种半导体结构(100)可用于制造IC封装(300,400),所述IC封装实现2.5D或3D的集成。
  • 用于高密度2.5集成互连方法
  • [实用新型]芯片封装组件-CN202120306919.9有效
  • G·里法伊-艾哈迈德;S·瑞玛林嘉;J·S·甘地;C-W·张 - 赛灵思公司
  • 2021-02-03 - 2021-12-24 - H01L23/367
  • 提供一种芯片封装组件和用于制造芯片封装组件的方法,其利用多个电浮式传导性热转移结构改善热管理。在一个实例中,提供一种芯片封装组件。芯片封装组件包含基板、第一集成电路(IC)晶粒和多个电浮式传导性热转移结构。基板具有第一表面和相对的第二表面。第一IC晶粒具有第一表面、相对的第二表面和四个侧部。第一IC晶粒的第二表面安装至基板的第一表面。多个电浮式传导性热转移结构延伸在第一IC晶粒的第一和第二表面之间所定义的第一方向上。多个电浮式传导性热转移结构中的第一传导性热转移结构为第一传导性热转移路径的一部分,第一传导性热转移路径在第一方向上的长度至少与第一和第二表面之间的距离一样。
  • 芯片封装组件
  • [发明专利]堆栈式硅封装组件的扇出集成-CN202011208840.9在审
  • J·S·甘地;S·拉玛林加姆 - 赛灵思公司
  • 2020-11-03 - 2021-05-11 - H01L23/31
  • 本公开的实施例涉及堆栈式硅封装组件的扇出集成。提供了一种芯片封装组件及其制造方法,其利用模制化合物中的多个柱来提高抗分层性。在一个示例中,提供了一种芯片封装组件,该芯片封装组件包括第一集成电路(IC)管芯、衬底、再分布层、模制化合物、以及多个柱。再分布层提供第一IC管芯的电路系统与衬底的电路系统之间的电连接。模制化合物被设置为与第一IC管芯接触并且通过再分布层与衬底隔开。多个柱被布置在模制化合物中并且与第一IC管芯横向隔开。多个接线柱没有电连接到第一IC管芯的电路系统。
  • 堆栈封装组件集成
  • [实用新型]电子设备-CN202020354540.0有效
  • M·金;H·刘;C-W·常;J·S·甘地 - 赛灵思公司
  • 2020-03-19 - 2020-08-25 - H01L25/065
  • 本文公开了一种电子设备。在一个示例中,电子设备包括衬底、第一裸片堆叠和第二裸片堆叠。第一裸片堆叠包括第一功能裸片和第一虚设裸片。将第一功能裸片安装到衬底。第二堆叠包括被安装到衬底的多个串行堆叠的第二功能裸片。第一虚设裸片堆叠在第一功能裸片上。第一虚设裸片的顶表面与第二裸片堆叠的顶表面基本共面。在一个特定示例中,第一裸片堆叠包括逻辑裸片,并且第二裸片堆叠包括多个串行堆叠的存储器裸片。
  • 电子设备
  • [发明专利]具有增强互连件的芯片封装组件及其制造方法-CN201880069954.4在审
  • J·S·甘地 - 赛灵思公司
  • 2018-10-04 - 2020-06-30 - H01L21/60
  • 本文描述了一种集成电路互连件132,适合于形成集成电路芯片封装110。在一个示例中,提供集成电路互连件132,其包括包含第一电路系统212的第一基板112、第一接触焊盘214、第一柱230、第一柱保护层280、包含第二电路系统202的第二基板114以及设置在第一柱230上并且将第一基板112电且机械地耦合至第二基板114的焊料球216。第一接触焊盘214设置在第一基板112上并且耦合至第一电路系统212。第一柱230电设置于第一接触焊盘214之上。第一柱保护层280对焊料疏水并且设置在第一柱230的侧表面262上。
  • 具有增强互连芯片封装组件及其制造方法
  • [发明专利]高密度基板和具有高密度基板的堆叠式硅封装组件-CN201911044554.0在审
  • J·S·甘地 - 赛灵思公司
  • 2019-10-30 - 2020-05-26 - H01L23/492
  • 本公开的实施例涉及高密度基板和具有高密度基板的堆叠式硅封装组件。提供了具有一种用于芯片封装组件的高密度布线的改进的互连基板、具有高密度基板的芯片封装组件及其制造方法,其利用具有被设置在低密度布线区域上的高密度布线区域的基板。在一个示例中,提供了一种用于制造互连基板的方法,该方法包括:通过在低密度布线区域的顶面上沉积种子层来形成高密度布线区域,在种子层上图案化掩模层,在种子层上形成多个导电柱,去除暴露在导电柱之间的掩模层和种子层,并且在导电柱之间沉积电介质层,其中至少一些导电柱被电耦合到包括低密度布线区域的导电布线。
  • 高密度具有堆叠封装组件

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