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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201910931762.6有效
发明人：施信益;王茂盈;吴鸿谟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-09-29 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括以下步骤。在导线之上形成介电层。于介电层之上形成光阻层。图案化光阻层，以形成遮罩特征与开口，开口是被遮罩特征所定义。开口具有底部与顶部，顶部连通底部，且顶部比底部宽。以遮罩特征作为蚀刻遮罩蚀刻介电层，以在介电层中形成通孔孔洞。在通孔孔洞中填入导电材料，以形成导电通孔。通过使用上述的制造方法，通孔密度可以被改善。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]电容器、半导体元件及该电容器的制备方法-CN202210301642.X在审
发明人： 王茂盈;黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供一种电容器、具有该电容器的半导体元件以及该电容器的制备方法。该半导体元件具有多个存储器胞，该等存储器胞的其中至少一个包括一电容器的。该电容器具有一第一电极，包含氮化钛并设置在一基底上；一介电膜，设置在该第一电极上；一多层膜，设置在该介电膜上；以及一第二电极，包含氮化钛并设置在该多层膜上。该电容器的制备方法包括形成包含氮化钛的该第一电极在该基底上；形成一介电膜在该第一电极上；形成该多层膜在该介电膜上；以及形成包含氮化钛的该第二电极在该多层膜上。
电容器半导体元件制备方法

[发明专利]动态随机存取存储器元件的制备方法-CN202210136741.7在审
发明人： 王茂盈;林育廷 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本公开提供一种具有圆柱型堆叠电容器的动态随机存取存储器(DRAM)元件的制备方法。通过第二氮化硅层(亦即，中间氮化硅层)上的第一晶格图案与第三氮化硅层(亦即，顶部氮化硅层)上的第二晶格图案的偏移，可以减少或消除堆叠电容器的底部电极的塌陷或是变形现象。可以显著减少堆叠电容器的底部电极的摆动现象。
动态随机存取存储器元件制备方法

[发明专利]半导体装置及其制备方法-CN202111060467.1在审
发明人：陈晖霖;王茂盈;林育廷;田来成 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-09-10 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置及其制备方法。该半导体装置的制备方法，包括：提供一基底，其包括一阵列区和与该阵列区相邻的一周边区；在该阵列区中形成多个字元线结构、多个源/漏极区、以及一字元线保护层；在该阵列区上形成一第一硬遮罩层，其在邻近该阵列区与该周边区的边界处具有一高度差；以该第一硬遮罩层作为图形引导，形成一位元线接触插塞，其在该阵列区且位于所述字元线结构之间；以及在该周边区上形成一栅极层。
半导体装置及其制备方法

[发明专利]电容结构及其制造方法-CN202110935451.4在审
发明人：田来成;方伟权;林育廷;王茂盈 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种电容结构包括基板、复数个柱电容以及氧化层。柱电容位于基板的顶表面上并形成电容阵列。氧化层覆盖电容阵列的顶部与侧部以及基板的部分。柱电容沿第一方向延伸，基板的顶表面沿第二方向延伸，其中第一方向垂直于第二方向。氧化层从电容阵列的顶部沿第三方向延伸至基板，并且第一方向与第三方向之间夹一角度。如此，减少局部应力而避免掉非预期的损害。
电容结构及其制造方法

[发明专利]芯片以及晶圆-CN202010577634.9在审
发明人：蔡佳霖;王茂盈 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片以及晶圆，芯片包括多个接垫以及多个导电结构，每个接垫各自具有第一连接表面，每个导电结构配置于这些接垫的其中之一的第一连接表面。每个导电结构包括第一金属层、第二金属层以及第三金属层。第一金属层连接多个接垫的其中之一，且第二金属层配置于第一金属层以及第三金属层之间。在每个接垫上，第一金属层、第二金属层以及第三金属层沿着第一方向堆叠于接垫的第一连接表面，且第一方向平行于第一连接表面的法向量，且第一金属层的材质包括金，第二金属层的材质包括镍。本发明还提出一种晶圆。本发明提出的芯片以及晶圆具有较佳的耐久性。
芯片以及

[发明专利]互连结构及其制备方法-CN202010066800.9在审
发明人： 王茂盈;施信益;吴鸿谟;丁永德;林育廷 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开提供一种互连结构及其制备方法。该互连结构包括一第一连接线、一第二连接线以及一连接通孔。该第二连接线设置在该第一连接线的上方。该连接通孔设置在该第一连接线和该第二连接线之间的一介电结构内，并且电连接该第一连接线和该第二连接线。该连接通孔包括一头部和一主体部分，该头部的一宽度大于该主体部分的一宽度。
互连结构及其制备方法

[发明专利]电子元件及其制造方法-CN201910309153.7在审
发明人：林育廷;王茂盈;施信益;吴鸿谟;丁永德 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开提供一种电子元件及其制造方法。该电子元件包括：一多层部件、至少一个接触垫、一钝化层、一介电层以及一金属层。该接触垫设置在该多层部件的上方，该钝化层覆盖该多层部件和该接触垫，该介电层设置在该钝化层的上方。该金属层穿透该介电层和该钝化层并且连接到该接触垫，该金属层在与该接触垫的距离减小的位置离散地逐渐变细。
电子元件及其制造方法

[发明专利]封装半导体元件及其制备方法-CN201811209108.6在审
发明人： 王茂盈 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本公开提供一种封装半导体元件及其制备方法。该封装半导体元件包括一芯片，具有一导电垫；一第一绝缘层，设置在该芯片上；一第二绝缘层，设置在该第一绝缘层上；一导电薄膜，设置在该第二绝缘层上；一重布层，设置在该导电薄膜上；一探测垫，设置在该重布层上；以及一第三绝缘层，设置在该重布层及该第二绝缘层上。该第三绝缘层覆盖该探测垫的一部分，且该重布层和该探测垫之间的一区域中没有底切。当需要减小探测垫的尺寸以满足持续最小化芯片尺寸的要求时，探测垫的尺寸不受底切的限制。
绝缘层重布层探测封装半导体元件导电薄膜芯片底切绝缘层覆盖导电垫最小化减小制备

[发明专利]一种半导体元件及其形成方法-CN201810947246.8在审
发明人： 王茂盈;黄沛霖 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体元件及其形成方法。该半导体元件包括一第一晶粒及一导电层。该第一晶粒经配置以在一方向上与该半导体元件外部的一第二晶粒接合。该导电层在该方向上位于该第一晶粒及该第二晶粒之间，经配置以实现一参考接地。
晶粒半导体元件导电层参考接地晶粒接合配置外部

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