[发明专利]一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法

摘要

本发明公布了一种基于二维半导体材料的突触晶体管及其制备方法，包括绝缘衬底和位于衬底上的沟道和源、漏、栅电极，沟道为二维半导体材料，源、漏分别位于沟道两端，并与沟道材料形成欧姆接触；栅电极与沟道、源和漏组成的电学互联体系保持电子绝缘；在沟道区域与大部分栅电极上覆盖有有机物电解质，其包含对电子绝缘的有机物载体和可迁移的离子，形成栅对沟道材料的有效离子调控。本发明利用离子附着‑嵌入机制，结合二维材料表面积大、阻值可调整的特点，使器件展现出长时程、短时程突触可塑性，且两种特性可随栅信号的改变而发生相互转变。同时，器件具有良好的线性度和超低运算功耗，有利于高精度神经形态器件的实现和大规模集成应用。

主权项

1.一种突触晶体管，包括绝缘衬底和位于衬底上的沟道、源电极、漏电极和栅电极，其特征在于，所述沟道为二维半导体材料，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，并与沟道二维半导体材料形成欧姆接触；所述栅电极与沟道材料、源电极和漏电极组成的电学互联体系保持电子绝缘；在沟道区域与大部分栅电极上覆盖有有机物电解质，所述有机物电解质包含对电子绝缘的有机物载体和可迁移的离子。