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[发明专利]一种提高晶体管光电性能的方法-CN202310260637.3有效
发明人：纪德洋;朱东阳;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开一种提高晶体管光电性能的方法，属于有机场效应晶体管技术领域，本发明通过金属有机框架配位诱导聚合物介电层取向，进而提高晶体管光电性能，该方法创新性地采用金属有机框架与聚合物介电层之间配位结合，实现了聚合物链取向和结晶度的提高，从而实现有机场效应晶体管器件性能的提高。
一种提高晶体管光电性能方法

[发明专利]光稳有机场效应晶体管-CN202110968502.3有效
发明人：李立强;王中武;陈小松;于丽;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了光稳有机场效应晶体管，在所述光稳有机场效应晶体管的导电沟道内或在所述导电沟道的上方/下方分布有极性粒子，其中，所述导电沟道为光稳有机场效应晶体管内有机半导体层靠近介电层一面起向远离该介电层方向厚度为1～3个有机半导体分子的全部或部分有机半导体层。本发明的光稳有机场效应晶体管在辐照高达410mW/cm2下也可保持有机场效应晶体管电学性能的稳定，晴朗天气的太阳光辐照光功率密度大概为138mW/cm2，本发明光稳有机场效应晶体管所获得的光稳数据远超已报道的光稳定有机场效应晶体管耐受光功率密度最高值和太阳光辐照强度，保证了基于有机场效应晶体管的可穿戴电子设备在光照环境中的稳定运行。
有机场效应晶体管

[发明专利]一种耐高温阻燃光伏电缆用荧光标记材料及其制备方法-CN202310815869.0在审
发明人：刘全;饶勇;饶云堂;胡文平;林大斯;董淑华;袁明 -专利权人：广东红海湾发电有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C09D5/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温阻燃光伏电缆用荧光标记材料及其制备方法，属于荧光材料技术领域。其制备方法如下:将十六烷基胺、氯化铵、硫酸铜及半胱氨酸充分混匀后，加入三倍至五倍体积的超纯水，300W超声10min，转移至反应釜中，以200℃‑250℃进行高温反应8h‑12h，结束后使用1500Da的透析膜处理24h，将透析后溶液与甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙基己酯、炭黑、丙酮混合，氮气环境下升温至75℃‑85℃，接着加入高密度聚乙烯、SDS与过硫酸钾，继续升温至95℃，聚合反应6h‑8h。只需在可见光下即可激发绿色荧光，便于在林场等环境下进行电缆的识别。
一种耐高温阻燃电缆荧光标记材料及其制备方法

[发明专利]光固化胶在提高有机长余辉材料余辉性能中的应用-CN202310747192.1在审
发明人：汪天洋;胡文平;梁依萌;汪田田 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C09J133/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种光固化胶在提高有机长余辉材料余辉性能中的应用，将光固化胶、主体材料、客体材料和溶剂混合，在室温条件下搅拌至少5min，得到溶液，静置至少2小时，以使所述溶液中溶剂挥发完全，用紫外光照射固化，本发明通过在主客体材料中引入光固化胶进行光固化，可以增强现有的纯有机长余辉材料的余辉性能。本发明制备方法可实现可溶液加工，并且通过光固化胶获得的薄膜平整光滑，余辉性能较好，余辉性能稳定。本发明还公开了一种新颖的无损金属探伤技术，并扩大有机长余辉材料在信息加密和防伪中的应用范围。
光固化提高机长余辉材料性能中的应用

[发明专利]一类基于四氰基对苯二醌的全光谱有机共晶材料及其在水蒸发中的应用-CN202310108015.9有效
发明人：张小涛;姜梦佳;孙玲杰;杨方旭;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C07C255/31 文献下载
摘要：本发明公开一类基于四氰基对苯二醌的全光谱有机共晶材料及其在水蒸发中的应用，全光谱有机共晶材料由有机受体分子四氰基对苯二醌和和给体分子联苯胺或苯胺通过非共价组装而成。全光谱有机共晶材料的制备方法为：将给体分子和受体分子混合后，溶于有机溶剂，超声处理，室温下静置待缓慢挥发。本发明的全光谱有机共晶材料具有制备方法简单、便捷高效、价格低廉、重复性好、产率高的优点；给受体分子间的相互作用促进了吸收红移，使光吸收范围拓宽至220‑2500nm全光谱，丰富了全光谱有机共晶体系。本发明所制备的全光谱有机共晶材料在光热转换及水蒸发方面显示出优异的性能，且在水蒸发、海水淡化、污水净化等领域具有潜在应用。
一类基于四氰基苯二醌光谱有机材料及其蒸发中的应用

[发明专利]一种降低有机场效应晶体管接触电阻的方法-CN202310726216.5在审
发明人：陈小松;付瑶;孙首港;李立强;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10K71/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低有机场效应晶体管接触电阻的方法，涉及有机电子学技术领域。方法包括以下步骤：对有机场效应晶体管中底电极器件在氧气氛围下进行微波退火处理；所述微波退火处理的功率为100w‑290w、时间为10‑18s。本发明利用在氧气中进行微波退火的策略对制备好的底电极器件进行处理，改善金属与半导体薄膜接触质量，提升了电荷注入区域的注入效率，使得金属与有机半导体界面处的缺陷消除，进而缓解了费米钉扎作用，改善载流子注入效率，达到改善底电极器件性能，降低接触电阻的目的。
一种降低有机场效应晶体管接触电阻方法

[实用新型]一种高压连接器装置-CN202321201727.7有效
发明人：戴勇军;张海吉;胡文平;徐井雄;屈必成 -专利权人：武汉智瑞捷电气技术有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01R13/66 文献下载
摘要：本实用新型涉及连接器技术领域，具体为一种高压连接器装置；设置在壳体机构上的输入导电组件和与其并联的多个输出导电组件，实现一进多输出的目的，同时配合多个通过扩展导电组件相互连接的高压连接器，使本装置能够满足客户对于输出端数量的要求，同时配合设置在壳体机构上的绝缘管组件和插接组件，利用绝缘管组件实现对电缆线头的绝缘保护，同时通过插头与插座的快速插接结构满足电缆快速拆装的要求，从而在千伏级别的高电压环境下，满足安全性和可靠性的基础上，实现高电压一进多路输出和多个电缆快速拆装的目的；解决了现有技术中的高压连接器在进行电缆的拆装时比较繁琐且需要耗费较多时间，从而容易出现安全隐患的问题。
一种高压连接器装置

[实用新型]小型高压隔离脉冲电流传感器-CN202222565839.2有效
发明人：戴勇军;邹翔;胡文平;徐井雄;张鸿鹄;何枭 -专利权人：武汉智瑞捷电气技术有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01R15/18 文献下载
摘要：本实用新型涉及小型传感器技术领域，尤其涉及小型高压隔离脉冲电流传感器，包括可拆分的金属屏蔽盒，所述金属屏蔽盒的型腔中安装有环形铁氧体线圈，所述环形铁氧体线圈的两端并联焊接有采样电阻，所述采样电阻的两端焊接有BNC射频线，所述BNC射频线的外端部延伸至所述金属屏蔽盒的外部；所述金属屏蔽盒对应于所述环形铁氧体线圈中心的位置上的开设有通孔，且金属屏蔽盒的表面灌封有用于隔离高压的环氧绝缘层。本实用新型通过电生磁生电的原则，两个线圈中的信号可以通过比例相互转换，将信号通过采样电阻输出到示波器等采集器上，得到纳秒级上升沿的实际电流波形，实现高压隔离采集的目的，具有结构精简、体积小、重量轻和反应快等优点。
小型高压隔离脉冲电流传感器

[发明专利]钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管及其制备方法-CN202310233785.6在审
发明人： 胡文平;王聪勇;段树铭;陈惠鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管及其制备方法，钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管包括：栅极、绝缘层、光敏层、有源层、源极和漏极，栅极、绝缘层、光敏层和有源层平行设置且从下至上沿竖直方向连接，源极和漏极平行设置并连接在有源层的上表面，其中，光敏层为Cs2AgBiBr6量子点薄膜，有源层为并五苯单晶。钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管的制备方法包括以下步骤：在绝缘层上覆盖Cs2AgBiBr6量子点薄膜作为光敏层；将并五苯单晶转移至光敏层的上表面并作为有源层；在有源层上设置源极和漏极。本发明获得的钙钛矿量子点/有机半导体单晶异质结晶体管显示出强的场效应，开关比和空穴迁移率较高。
钙钛矿量子有机半导体单晶异质结晶体及其制备方法

[发明专利]过渡金属硫族化合物掺杂异质结及其制备方法和应用-CN202310306104.4在审
发明人： 胡文平;张晴;耿德超;段树铭 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明公开了一种过渡金属硫族化合物掺杂异质结及其制备方法和应用，过渡金属硫族化合物掺杂异质结为垂直的多层异质结，其为W‑doped MoS2/MoS2或Mo‑doped WS2/WS2，其中，W‑doped MoS2/MoS2包括：首层的MoS2和覆盖在首层上的一层或多层W掺杂的MoS2，Mo‑doped WS2/WS2包括：首层的WS2和覆盖在首层上的一层或多层Mo掺杂的WS2。本发明提出的制备方法具有选择性，可以通过调控前驱体中MoO3和WO3的比例，选择性制备W‑doped MoS2/MoS2异质结或Mo‑doped WS2/WS2异质结，过渡金属硫族化合物掺杂异质结在整流器/场效应晶体管中可以有较好的性能。
过渡金属化合物掺杂异质结及其制备方法应用

[发明专利]基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管及其制备方法-CN202310167699.X在审
发明人： 胡文平;朱晓婷;陈惠鹏;杨方旭;段树铭 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管及其制备方法，双向光突触晶体管包括：栅极、绝缘层、捕获层、有源层、源极和漏极，所述栅极、绝缘层、捕获层和有源层平行设置并从下至上依次连接，所述源极和漏极平行设置并连接在所述有源层的上表面，其中，所述有源层为二维分子晶体异质结。本发明基于二维分子晶体异质结的双向光突触晶体管在正负栅压下光响应表现出双极性，即正栅压下表现出光抑制，负栅压下表现出光增强，其表现出优异的光响应度并且在弱光下可以表现出双向光突触行为，简化了器件制备工艺并且避免了不同光源的切换。
基于二维分子晶体异质结双向突触晶体管及其制备方法

[发明专利]2,6-二苯基蒽有机半导体单晶的液相制备方法及其在X射线探测中的应用-CN202210171039.4在审
发明人： 胡文平;孙启升;张小涛;任晓辰 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10K71/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种2,6‑二苯基蒽有机半导体单晶的液相制备方法及其在X射线探测中的应用，液相制备方法包括以下步骤：将2,6‑DPA有机半导体籽晶加入第一饱和溶液中，恒温静置12‑48小时直至第一溶剂挥发，得到2,6‑DPA有机半导体单晶，其中，所述第一饱和溶液为将2,6‑DPA粉末溶解在第一溶剂中获得的80‑120℃条件下的饱和溶液，所述第一溶剂为萘、1‑氯萘、1‑溴萘、1‑甲基萘、1‑乙基萘或2‑乙基萘。本发明通过萘基溶剂提升了2,6‑DPA的溶解性，首次实现了厘米级2,6‑DPA有机半导体单晶的液相制备。通过构筑X射线直接探测器表征其X射线直接探测性能，结果表明，2,6‑DPA有机半导体单晶具有超低的暗电流、较低的检测极限、快速的X射线响应、超大的射线剂量率量程、优异的辐照稳定性和低电压响应。
苯基有机半导体制备方法及其射线探测中的应用

[发明专利]无功电压的控制方法、装置、设备和存储介质-CN202110206521.2有效
发明人：杨潇;李晓明;李铁成;胡文平;高泽明;程伦;刘永锋;汤磊 -专利权人：国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国家电网有限公司;国网河北能源技术服务有限公司;北京清大高科系统控制有限公司
申请日： 2021-02-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H02J3/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种无功电压的控制方法、装置、设备和存储介质，适用于电力系统技术领域，该方法包括：根据所有第二预设时段分别对应的设定电压上限值和设定电压下限值、母线在预设历史天数内每一天中所有第二预设时段分别对应的历史电压上限值和历史电压下限值，以及预设波动率，确定母线在第一预设时段中所有第二预设时段分别对应的运行电压上限值和运行电压下限值；每隔预设周期，将当前时刻所关联的第二预设时段对应的运行电压上限值和运行电压下限值输入至预设协调二级电压控制模型，得到预设分区的发电机无功出力的调节量，并根据调节量控制预设分区的无功电压。采用本发明可以提高电力系统的电压稳定性。
无功电压控制方法装置设备存储介质

[发明专利]光伏功率的预测方法及终端设备-CN202110836483.9有效
发明人：李铁成;梁纪峰;曾四鸣;夏彦卫;胡文平;周文;李顺;吴赋章 -专利权人：国网河北省电力有限公司电力科学研究院;国网河北省电力有限公司;国家电网有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明适用于光伏技术领域，提供了一种光伏功率的预测方法及终端设备，上述方法包括：获取当前的气象数据；针对第一预设数量个预先训练完成的功率分量预测模型中的每个功率分量预测模型，将当前的气象数据输入该功率分量预测模型，得到该功率分量预测模型对应的高频预测分量和低频预测分量；对第一预设数量个高频预测分量进行重构，得到高频光伏功率预测值；对第一预设数量个低频预测分量进行重构，得到低频光伏功率预测值；本发明采用多个模型进行精细化预测，再对预测得到的多个低频预测分量和多个高频预测分量重构，得到光伏功率预测值，总体预测精度更高。
功率预测方法终端设备

[发明专利]一种高电荷密度有机半导体分子及其制备方法与应用-CN202310824561.2在审
发明人：陈小松;胡永旭;李立强;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C07D495/14 文献下载
摘要：本发明提出了一种高电荷密度有机半导体分子及其制备方法与应用，属于有机半导体技术领域。利用钯催化交叉偶联反应实现2,6‑二苯基二噻吩[3,2‑B:2',3'‑D]噻吩母体分子的F原子的不同取代位置，验证了F原子取代位置的不同可以调节半导体的电荷密度。通过实验进一步证明了F‑S的相互作用是造成该现象的原因之一。该制备方法简单，通过本发明方法制备得到的具有高的电荷密度的有机半导体分子在制备有机场效应晶体管时可以调节器件的阈值电压，在温度传感、光探测、数据存储等诸多领域具潜在的应用。
一种电荷密度有机半导体分子及其制备方法应用

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