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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201610817754.5有效
发明人：冉晓雯;彭少甫;徐振航 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2016-09-13 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L29/772 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体管及其制造方法，该制造晶体管的方法包含：形成包含第一导电层、第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层的堆叠结构于基材上；对第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层进行图案化，以形成贯穿第一绝缘层、第二导电层以及第二绝缘层的至少一个开口；形成半导体层于第二绝缘层上方，且填充开口；移除半导体层位于第二绝缘层上方的部分，其中半导体层残留在开口内的部分形成至少一个半导体通道；以及形成第三导电层于半导体通道上方。本发明制造的晶体管具有更高的载子迁移率。
晶体管及其制造方法

[发明专利]有机发光元件-CN201610804999.4有效
发明人：孟心飞;洪胜富;冉晓雯;张浩文;徐振航 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光元件，包含第一电极、第一发光层、第一低功函数层、第二低功函数层、导电抗蚀刻层、第一电洞注入层、第二发光层以及第二电极。第一发光层位于第一电极上方。第一低功函数层位于第一发光层上方。第二低功函数层位于第一低功函数层上方，第二低功函数层的功函数大于第一低功函数层的功函数。导电抗蚀刻层位于第二低功函数层上方。第一电洞注入层位于导电抗蚀刻层上方。第二发光层位于第一电洞注入层上方。第二电极位于第二发光层上方。本发明的有机发光元件具有更高的发光效率。
有机发光元件

[发明专利]有源元件及其制作方法-CN201510390133.9有效
发明人：冉晓雯;蔡娟娟;陈兆轩;徐振航 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2015-07-06 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供一种有源元件及其制作方法，其中有源元件配置于基板上且包括栅极、有机主动层、栅绝缘层、多个结晶诱发结构、源极与漏极。栅绝缘层配置于栅极与有机主动层之间。结晶诱发结构分布于有机主动层中且直接接触基板或栅绝缘层。源极与漏极配置于有机主动层的相对两侧，其中有机主动层的一部分暴露于源极与漏极之间。本发明的有源元件可具有结晶均匀性较佳的膜层。
有源元件及其制作方法

[发明专利]主动元件电路基板-CN201410727677.5有效
发明人： 徐振航;余宗玮;许毓麟;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种主动元件电路基板，其包括基板、多个主动元件以及第一平坦层。主动元件设置在基板上。各主动元件包括栅极、通道层、源极以及漏极。通道层与栅极堆叠设置。源极以及漏极设置在通道层上且位于通道层的相对两侧，以定义出通道层的通道区。第一平坦层设置在基板上，其中主动元件包括至少一第一主动元件以及至少一第二主动元件。第一主动元件设置在第一平坦层与基板之间，且第一平坦层设置在第一主动元件与第二主动元件之间。第一主动元件的通道区与第二主动元件的通道区在平行基板的方向上的最小直线距离大于或等于5μm。
主动元件路基

[发明专利]晶体管及其制作方法-CN201410581474.X有效
发明人：冉晓雯;蔡娟娟;周家玮;徐振航 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-10-27 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管及其制作方法，晶体管包括基板、栅极层、第一绝缘层、主动层、源极及漏极。栅极层配置于第一绝缘层上，且具有多个第一贯孔。第一绝缘层覆盖栅极层及基板的被这些第一贯孔所暴露出的部分，并形成分别对应于这些第一贯孔的多个凹陷。主动层配置于第一绝缘层上，并具有多个第二贯孔，其中这些第二贯孔分别与这些凹陷相通。源极配置于部分主动层上。漏极配置于另一部分主动层上。
晶体管及其制作方法

[发明专利]纵向晶体管及其制造方法-CN201310565481.6有效
发明人：叶佳俊;陈蔚宗;徐振航;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-11-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向晶体管及其制造方法。制造方法包括：在基板上形成第一图案化导电层；在第一图案化导电层上形成图案化金属氧化物层，图案化金属氧化物层包括第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层；形成半导体层；形成第三图案化导电层。第一图案化绝缘层、第二图案化绝缘层以及第二图案化导电层以同一金属氧化物材料形成，且第二图案化导电层的氧浓度与第一图案化绝缘层以及第二图案化绝缘层的氧浓度不同。
纵向晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管结构-CN201310348279.8有效
发明人： 徐振航;余宗玮;陈蔚宗;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关于一种薄膜晶体管结构，包括基板、栅极、氧化物半导体层、栅绝缘层、源极、漏极、硅质吸光层以及绝缘层。栅绝缘层配置于氧化物半导体层与栅极之间。氧化物半导体层与栅极在厚度方向上堆叠。源极与漏极都配置于基板上并接触氧化物半导体层。氧化物半导体层的一部分没有被源极与漏极接触而定义出通道区，且通道区位于源极与漏极之间。氧化物半导体层位于基板与硅质吸光层之间。硅质吸光层的能隙小于2.5eV。绝缘层配置于氧化物半导体层与硅质吸光层之间，且绝缘层与硅质吸光层彼此接触。借由本发明，能够提高薄膜晶体管的元件特性。
薄膜晶体管结构

[发明专利]基板结构及其制作方法-CN201510129843.6在审
发明人：林冠峄;林柏辛;舒芳安;徐振航;余宗玮 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2015-03-24 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种基板结构及其制作方法，包括一可挠性基板、一栅极线、一栅极、一无机绝缘层、一半导体层、一源极与一漏极、一无机保护层以及一有机绝缘层；栅极电性连接栅极线；无机绝缘层覆盖栅极并暴露出部分可挠性基板；半导体层配置于无机绝缘层上且与栅极对应设置；源极与漏极由无机绝缘层延伸配置于半导体层上且暴露出部分半导体层；无机保护层覆盖部分源极与部分漏极并直接接触源极与漏极所暴露出的半导体层；有机绝缘层覆盖源极、漏极、无机保护层以及无机绝缘层所暴露出的可挠性基板。
板结及其制作方法

[发明专利]晶体管结构及其制作方法-CN201410008233.6在审
发明人： 徐振航;王裕霖;王旨玄;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-01-08 - 公布日： 2015-05-27 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明是有关于一种晶体管结构及其制作方法。晶体管结构配置于基板上且包括栅极、有机半导体层、栅绝缘层以及图案化金属层。栅绝缘层配置于栅极与有机半导体层之间。图案化金属层具有导电氧化表面，且图案化金属层区分为源极及漏极。有机半导体层的一部分暴露于源极与漏极之间。导电氧化表面直接接触有机半导体层。
晶体管结构及其制作方法

[发明专利]有机无机混合型晶体管-CN201410235775.7在审
发明人： 徐振航;吴幸怡;叶佳俊;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2014-05-30 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机无机混合型晶体管，包含可挠性基板、栅极、有机栅极介电层、氧化物半导体层、第一保护层、源极及漏极。栅极配置在可挠性基板上。有机栅极介电层覆盖栅极以及可挠性基板的一部分。氧化物半导体层配置在有机栅极介电层上方。第一保护层夹置在氧化物半导体层与有机栅极介电层之间，且接触氧化物半导体层及有机栅极介电层。源极及漏极分别连接氧化物半导体层的不同两侧。
有机无机混合晶体管

[发明专利]有机发光显示器-CN201310453316.1在审
发明人： 徐振航;吴幸怡;叶佳俊;辛哲宏;王旨玄 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-09-29 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种有机发光显示器，其包含主动阵列基板、封装层、有机发光层、吸收剂层以及框胶。封装层与主动阵列基板相对设置，且封装层具有面向主动阵列基板的内侧表面。有机发光层配置在主动阵列基板上。吸收剂层用于吸收水和氧中的至少一种，吸收剂层位于封装层的内侧表面。框胶配置在主动阵列基板与封装层之间，且环绕有机发光层以及吸收剂层。
有机发光显示器

[发明专利]家用及个人保养用制品与其制造方法-CN201410289420.6无效
发明人：庄凯丞;徐振航;王旨玄 -专利权人：可茵生技有限公司
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-12-31 - 主分类号： A61K8/97 文献下载
摘要：本发明提出制作家用及个人保养用制品的方法，以及其去油脂咖啡颗粒的制造方式。家用及个人保养用制品包括不同尺寸的去油脂咖啡颗粒，其中咖啡颗粒通过化学或物理方法去油脂，并研磨至不同颗粒大小以配合不同功效的制品，并可进一步添加天然咖啡所含有的成分以增强其清洁及保养的功效。
家用个人保养制品与其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法-CN201210497328.X有效
发明人： 徐振航;余宗玮;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明是有关一种薄膜晶体管结构及其制作方法，其中的薄膜晶体管结构包括：金属氧化物半导体层、栅极、源极与漏极、栅绝缘层以及保护层。金属氧化物半导体层具有结晶表面，其中结晶表面是由多个彼此不相连的结晶颗粒所组成。结晶颗粒中的铟含量占金属氧化物半导体层中所有金属成分的50%以上。栅极配置于金属氧化物半导体层的一侧。源极与漏极配置于金属氧化物半导体层的另一侧上。栅绝缘层配置于栅极与金属氧化物半导体层之间。保护层配置于栅绝缘层上，其中金属氧化物半导体层的结晶表面直接接触栅绝缘层或保护层。
薄膜晶体管结构及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管结构及其阵列基板-CN201310032319.8有效
发明人：叶佳俊;蔡学宏;徐振航;陈蔚宗;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2013-01-28 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管结构及其阵列基板。薄膜晶体管结构具有第一晶体管、第二晶体管、第一保护层与第二保护层。其中第一晶体管具有第一主动层，第二晶体管具有第二主动层。在此利用第一保护层与第二保护层含氧量的多寡，来影响其接触的第一主动层或第二主动层的氧空缺的数量，以满足第一晶体管与第二晶体管的不同电气特性需求。
薄膜晶体管结构及其阵列

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板与显示装置-CN201210513258.2有效
发明人： 徐振航;辛哲宏 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板与显示装置。该薄膜晶体管包含：一栅极，设置于一基底上，其中该栅极具有连接该基底的一第一侧面；一栅介电层，设置于该栅极上；一半导体层，设置于该栅介电层上并覆盖该栅极的该第一侧面；以及一源极与一漏极，分别设置于该半导体层上并位于该半导体层的相对两侧，且该源极与该漏极位于该栅极的该第一侧面上。在此薄膜晶体管的结构中，增加其栅极厚度，让此薄膜晶体管的源极与漏极配置在栅极侧壁上，以减少此薄膜晶体管所占据的面积。
薄膜晶体管阵列显示装置

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