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[发明专利]基于二维材料异质结半浮栅结构的多功能逻辑存储器件-CN202310915152.3在审
发明人：李伟;穆天辉;李佳颖;陈煜骅;汪钰成;吴玉潘;王少熙 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-07-24 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料异质结半浮栅结构的多功能逻辑存储器件，从下至上包括半导体衬底，绝缘介质层，多个金属输入电极，第一二维材料绝缘介质层，多个平行间隔设置的二维材料浮栅层，二维材料隧穿层，通过刻蚀指定区域得到的N型二维材料沟道层，生长在N型二维材料沟道层被刻蚀的指定区域内且高度平齐的P型二维材料接触层；生长在N型二维材料沟道层表面的、与二维材料浮栅层区域垂直对齐的第二二维材料绝缘介质层，以及若干金属电极；该器件能实现存储器功能，并通过选择金属输入电极和金属输出电极进行电调制，能实现逻辑与、逻辑或、逻辑与非、逻辑或非以及逻辑非中任意一种，可减少器件数目，提高集成度，提升运算速度，减少能耗。
基于二维材料异质结半浮栅结构多功能逻辑存储器件

[发明专利]基于氧化镓/钙钛矿传输层异质结的n型晶体管及其制备方法-CN201911166674.8有效
发明人：关赫;汪钰成 -专利权人：韦华半导体（苏州）有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体公开了一种基于氧化镓/钙钛矿传输层异质结的n型晶体管的制备方法，晶体管包括n型β‑Ga2O3衬底、生长在所述n型β‑Ga2O3衬底表面两端的源电极和漏电极、生长在n型β‑Ga2O3衬底表面位于源电极和漏电极中间的电子传输层、生长在所述电子传输层表面的钙钛矿光吸收层、生长在所述钙钛矿光吸收层表面/背面的栅介质绝缘层以及生长在栅介质绝缘层表面的栅电极，制备方法公开了具体的制备步骤，以上制备方法以及制备的晶体管提高了现有技术中的Ga2O3晶体管器件的迁移率、开关比等重要参数。
基于氧化钙钛矿传输层异质结晶体管及其制备方法

[发明专利]基于感应电荷电渗的不同浓度液滴产生芯片-CN202110580222.5有效
发明人：王少熙;胡博文;吴玉潘;李伟;汪钰成 -专利权人：西北工业大学太仓长三角研究院;西北工业大学
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于感应电荷电渗的不同浓度液滴产生芯片，包括：基底、PDMS盖片和若干电极组件，其中，PDMS盖片覆盖在基底上，PDMS盖片上开设有第一PDMS通道，第一PDMS通道包括第一支路、第二支路、混合通道、第三支路和第四支路；若干电极组件沿着混合通道的方向依次设置在基底上，且均位于混合通道的下方，电极组件包括第一激发电极、第二激发电极和悬浮电极，通过改变悬浮电极上施加的电场，产生非对称的感应电渗流，以实现对待混合的水相溶液进行混合。本发明的液滴产生芯片，通过改悬浮电极上施加的电场，产生非对称的感应电渗流，以实现对待混合的水相溶液进行混合，相比于其他的微混合器，不需要在混合通道中布置复杂的三维导体障碍物。
基于感应电荷不同浓度产生芯片

[发明专利]可用于神经形态计算的光电耦合钙钛矿忆阻器及制备方法-CN202011075084.7有效
发明人：王少熙;沙建;汪钰成;熊雨轩;阴玥 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种可用于神经形态计算的光电耦合钙钛矿忆阻器及制备方法，该制备方法包括步骤：S1、选取基片；S2、在所述基片表面生长钙钛矿层；S3、在所述钙钛矿层表面的一端生长活性电极，另一端生长惰性电极；S4、在所述活性电极和所述惰性电极之间的所述钙钛矿层表面、所述活性电极上和所述惰性电极上生长透光绝缘层；S5、在所述透光绝缘层的表面生长本征Ga2O3层。该制备方法制备的钙钛矿忆阻器可以通过不同的光照实现信息的写入与存储，并通过施加负电脉冲实现信息的擦除，同时还拥有着正常的忆阻特性，可以运用到人工神经网络的计算功能中。
用于神经形态计算光电耦合钙钛矿忆阻器制备方法

[发明专利]基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法-CN201911166673.3有效
发明人： 汪钰成;关赫 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于氧化镓多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在所述Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在所述CsPbI3层表面的钙钛矿层、生长在所述钙钛矿层表面的本征ZnO层以及生长在所述ZnO层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外‑可见光的双波段探测。
基于氧化多层堆叠结构 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法-CN201911229888.5有效
发明人： 汪钰成;关赫;剧亚齐 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取SiC衬底，中部用绝缘阻挡层分开；在所述SiC衬底一侧表面生长N型SiC外延层及电子传输层，在所述SiC衬底另一侧表面生长P型SiC外延层及空穴传输层；在所述两侧传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述两侧钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述两侧绝缘层表面生长栅电极；在所述SiC衬底两侧表面分别生长源漏电极，最终形成所述基于互补型SiC/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供光生载流子，提高了现有技术中的SiC晶体管器件的迁移率、开关速度等重要参数，增加了器件集成度，降低器件功耗。
一种基于互补 sic 新型晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种基于P型SiC的新型晶体管器件及其制备方法-CN201911229898.9有效
发明人：关赫;汪钰成;沈桂宁 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于P型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长空穴传输层；在所述空穴传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面或所述衬底下表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件；由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
一种基于 sic 新型晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法-CN201911228621.4有效
发明人：关赫;汪钰成;白晓晨 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于N型SiC的新型晶体管器件及其制备方法，包括：选取碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底表面使用第一掩模版生长电子传输层；在所述电子传输层表面生长钙钛矿光吸收层；在所述钙钛矿光吸收层表面生长绝缘层；在所述绝缘层表面生长栅电极；在所述碳化硅衬底表面使用第二掩模版生长源漏电极，最终形成所述基于N型碳化硅/钙钛矿传输层异质结的晶体管器件。由于本发明的晶体管采用钙钛矿光吸收层/电子传输层来为沟道提供相同极性光生载流子，提高了现有技术中的碳化硅晶体管器件的迁移率、开关速度等其他重要参数。
一种基于 sic 新型晶体管器件及其制备方法

[发明专利]一种基于CH3-CN201910470603.0有效
发明人：贾仁需;刘晶煌;李欢;庞体强;汪钰成;杜永琪 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-05-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
一种基于 ch base sub

[发明专利]基于氧化镓钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管及其制备方法-CN201911166662.5有效
发明人： 汪钰成;关赫 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L51/46 文献下载
摘要：本发明属于半导体领域，具体提供了一种基于Ga2O3/钙钛矿多层堆叠结构的PIN二极管，包括最底层的Ga2O3衬底、生长在Ga2O3衬底表面一侧的CsPbI3层和另一侧的底电极、生长在CsPbI3层表面以CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3等材料的钙钛矿层、生长在以CH3NH3PbI3、CH3NH3PbCl3、CH3NH3SnI3等材料的钙钛矿层表面的本征Ga2O3层以及生长在Ga2O3层表面的顶电极；本发明的PIN二极管具有使载流子快速分离和传导的性能，应用在光电探测器中可以使光电探测器实现紫外‑可见光的双波段探测。
基于氧化镓钙钛矿多层堆叠结构 pin 二极管及其制备方法

[发明专利]基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器及交叉阵列集成结构-CN202011075081.3在审
发明人：王少熙;沙建;汪钰成;熊雨轩;李伟 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2020-10-09 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于1T1R结构的光电耦合钙钛矿忆阻器及交叉阵列集成结构，该光电耦合钙钛矿忆阻器包括：形成有MOSFET结构的1T1R底座和位于1T1R底座上的RRAM结构，其中，RRAM结构包括底电极、钙钛矿层、顶电极、透光绝缘层和Ga2O3层，底电极位于1T1R底座上且与MOSFET结构的漏极电连接；钙钛矿层位于底电极上；顶电极位于钙钛矿层上；透光绝缘层位于钙钛矿层上且与顶电极相接触；Ga2O3层设置在透光绝缘层上。该光电耦合忆阻器不仅可以通过不同光信号改变自身阻值，实现信息的写入与存储，并通过施加负电脉冲实现信息的擦除，还可以作为单个忆阻器运用到人工神经网络的运算与非易失性状态逻辑运算当中。
基于 t1r 结构光电耦合钙钛矿忆阻器交叉阵列集成

[发明专利]一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法-CN201810466984.0有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-05-16 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L51/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在光吸收层上沉积金属Au形成上电极，形成双异质结钙钛矿光电器件。该双异质结钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、界面缓冲层、Si衬底和下电极。所述双异质结钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括界面缓冲层，降低Si衬底与CH3NH3PbI3光吸收层之间的能量失配，减少光生电子与光生空穴的复合，提高光电器件的灵敏度。
一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法

[发明专利]基于CH3-CN201810592160.8有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长绝缘层；在绝缘层表面制备MoSe2材料形成导通层；在导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；在叉指电极层上生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH3NH3PbI3和MoSe2材料的光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料和MoSe2材料的特性来制备光敏器件，使其具有高光灵敏度、高电子迁移率的特点。
基于 ch base sub

[发明专利]一种基于CH3-CN201810592174.X有效
发明人：贾仁需;李欢;汪钰成;庞体强 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2018-06-11 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；在栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；在Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成基于CH3NH3PbI3材料和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料作为光吸收层和Y2O3材料作为栅介质层来制备光敏器件，对改善现有光敏器件的性能具有很大的作用，本发明的光敏器件具有低功耗、高灵敏度的特点。
一种基于 ch base sub

[发明专利]异质结阻变存储器及其制备方法-CN201710411588.3有效
发明人：贾仁需;董林鹏;栾苏珍;庞体强;张玉明;汪钰成;刘银涛 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种异质结阻变存储器及其制备方法，该方法包括：制备半绝缘衬底；在半绝缘衬底表面依次连续生长粘附层、底电极和Ga2O3薄膜；利用旋涂工艺在Ga2O3薄膜表面生长CH3NH3PbI3薄膜；在CH3NH3PbI3薄膜表面生长点状顶电极，最终形成异质结阻变存储器。本发明由于阻变层采用异质结，易于调制，电阻的记忆与弛豫过程受耗尽层宽度、内建电场强度等因素的调节，增加了忆阻性能调控的灵活性；对材料的选择性较弱，忆阻行为性能稳定，有助于忆阻器件的半定量化研究，为器件设计及进一步发展奠定了基础。
异质结阻变存储器及其制备方法

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