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[发明专利]一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法-CN202211113305.4在审
发明人：王一如;聂诗淼;凌海峰;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，具体涉及一种具有单极性电压调控性能的异质结突触晶体管及其制备方法。本发明所述异质结突触晶体管，从下至上依次为衬底（1）、栅电极（2）、栅绝缘层（3）、电荷俘获层（4）、P/N异质结（5）和源漏电极（6）。所述的P/N异质结分为P型半导体层和N型半导体层两层。本发明利用制备的P/N异质结结构以及电荷俘获层实现异质结突触晶体管的双极性特性，即异质结突触晶体管既能实现N型特性也能实现P型特性。并且在异质结突触晶体管双极性的基础上，通过P/N异质结和电荷俘获层的协同或者竞争作用，结合单极性电压的调控方法，能够实现器件单极性电压的可调控制。
一种具有极性电压调控性能异质结突触晶体管及其制备方法

[发明专利]含有双吖丙啶的有机电子组合物和其器件-CN201780018991.8有效
发明人： L·F·罗迪斯;H·巴尔古恩;I·阿弗尼纳;T·巴克隆德;A·莫雷 -专利权人：普罗米鲁斯有限责任公司;默克专利股份有限公司
申请日： 2017-03-22 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及有机电子器件，和更具体地涉及有机场效应晶体管，其包含含有多环烯烃聚合物和双吖丙啶化合物的介电层。
含有双吖丙啶有机电子组合器件

[发明专利]一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法-CN202210862520.8在审
发明人：仪明东;李佳钰;李雯;钱扬周;钱浩文 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种极耐湿度的稳定型忆阻器及其制备方法。忆阻器由上至下依次包括顶电极、有机活性层、底电极和基底，有机活性层由有机小分子材料全氟酞菁铜制备。本发明的忆阻器表现出优异的湿度稳定性，在60%相对湿度的空气中暴露1年后仍能保持良好的忆阻特性，在90%相对湿度的恒温恒湿箱中放置45天依旧具有性能，最重要的是将器件浸泡在水中96小时后仍能正常工作，除浸泡在水中之外，发现将其浸泡在氨水中48小时后仍具有性能，证明本发明可抵抗比水更恶劣的环境。本发明可用于构建耐高湿度神经形态系统的人工突触器件，弥补了目前忆阻器件无法在水中正常工作的空白。
一种湿度稳定型忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种低功耗织物型神经形态器件及其制备方法-CN202210896104.X在审
发明人：王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗织物型神经形态器件及其制备方法。该低功耗织物型神经形态器件包括：基底，其为金属织物；有机栅介质层，其为有机绝缘聚合物薄膜，包覆在所述基底上，仅露出基底端部；沟道层，其为有机半导体聚合物薄膜，包覆在所述有机栅介质层上；两组源电极和漏电极，彼此间隔呈半包覆状分布在所述沟道层上，源电极和漏电极的截面为半圆形；利用电学脉冲序列作为信号源向所述基底施加刺激，记录所述源电极和所述漏电极的电导变化，实现一端对两端的神经形态特性的模拟，完成神经计算与存储。
一种功耗织物神经形态器件及其制备方法

[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法-CN202011470124.8有效
发明人：于军胜;范惠东;张大勇;钟建 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的二氧化氮传感器及其制备方法，属于二氧化氮传感器领域，包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层和有机半导体层，所述有机半导体层上设置有源电极和漏电极，所述有机半导体层为可溶性的有机半导体材料，在有机半导体层加入质量分数为分数为5％～10％的异甘草素以及12％～17％的叔丁基‑4‑羟基茴香醚；利用异甘草素和叔丁基‑4‑羟基茴香醚的抗氧化性，增强了晶体管器件在空气中的稳定性，同时，异甘草素和叔丁基‑4‑羟基茴香醚的引入，增加了待测二氧化氮分子与有机半导体的电荷交换，使半导体层中载流子浓度对二氧化氮浓度的变化更加敏感，实现有机场效应晶体管二氧化氮传感器对二氧化氮精确监测。
一种基于有机场效应晶体管二氧化氮传感器及其制备方法

[发明专利]一种基于石墨炔的浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN201910897203.8有效
发明人：解令海;郭栋;汪莎莎;章昊宇;仪明东;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于石墨炔的浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器包括由下到上依次设置的栅极、栅极绝缘层、电荷捕获层、半导体层、源电极和漏电极；其中，电荷捕获层由聚合物驻极体层和纳米浮栅层组成，所述纳米浮栅层的材质为石墨炔。本发明首次将石墨炔材料作为浮栅应用到有机场效应晶体管存储器中，且使用了工艺简易且成熟的旋涂法制备浮栅薄膜，选用一种简易的浮栅型场效应晶体管存储器的制备方法实现了器件的制备。石墨炔浮栅材料作为有机场效应晶体管(OFET)存储器的存储层，增强了器件的存储性能，且该浮栅型器件具有高稳定性，高开关比，低启动电压等特点，对实现有机器件的商业化生产中有着重要意义。
一种基于石墨浮栅型有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]有机半导体组合物及包含其的有机薄膜、与其用途-CN201780013634.2有效
发明人：荒井俊人;长谷川达生;井上悟 -专利权人：国立研究开发法人产业技术综合研究所;日本化药株式会社
申请日： 2017-02-27 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明是涉及一种有机半导体组合物及包含这些的有机薄膜，以及其用途。本发明的含有选自由下述式(1)至(4)所表示的化合物所组成的群中的2种噻吩并噻吩化合物的组合物，能够在大范围内形成均质的有机薄膜，且含有该有机薄膜的有机半导体装置可以表现出高迁移率，(式(1)至(4)中，R1及R2的任一个表示烷基、具有烷基的芳香族烃基或具有烷基的杂环基，另一个表示氢原子、芳香族烃基、杂环基或下述式(5)所表示的取代基。(式(5)中，R3表示芳香族烃基或杂环基))。
有机半导体组合包含有机薄膜与其用途

[发明专利]一种基于界面改性和绿色溶剂加工的有机薄膜晶体管-CN202210122123.7在审
发明人：张连杰;柳琴;吴为敬;陈军武 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-02-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于界面改性和绿色溶剂加工的有机薄膜晶体管。所述有机薄膜晶体管结构自下而上依次为栅极、OTS修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；所述绝缘层材料为SiO2；所述有源层通过非卤溶剂加工制备，材料为宽带隙聚合物PBODT。本发明提出一种通过改变绝缘层修饰过程中OTS溶液浓度调控半导体/绝缘层界面，绿色溶剂加工有源层的方法制备高迁移率有机薄膜晶体管。本发明通过OTS的界面修饰作用，显著改善了半导体/绝缘层界面缺陷，极大提高了器件迁移率；绿色溶剂的使用更是降低了对环境的污染，大大扩展了未来溶液选择的可能性。
一种基于界面改性绿色溶剂加工有机薄膜晶体管

[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制备方法-CN202111093061.3有效
发明人：聂国政;李德琼;陈智全;许辉 -专利权人：湖南工商大学
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机薄膜晶体管，其包括混合层，其中，所述混合层从下至上依次包括半导体下层、氧化铜层和半导体上层；所述半导体下层和半导体上层为相同或不同的半导体材料。本发明所提出的含有氧化铜层的有机薄膜晶管，能够有效地调节有机薄膜晶体管阈值电压。这种调控方式无需依赖复杂的半导体掺杂和绝缘层表面修饰技术，是工艺简单，更适合商业应用的技术。
一种有机薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种调控碳60单晶导电性的方法及其应用-CN202210142572.8在审
发明人：何涛;张晓静;邓铭智;陶绪堂 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明属于半导体器件技术领域，涉及一种调控碳60单晶导电性的方法及其应用。提供具有源极、漏极、栅极和沟道参比电极的基底，将条状碳60单晶层压至基底上制备四探针空气介电层场效应晶体管，向条状碳60单晶与栅极之间的间隙中注入离子液体，通过调节栅压及离子液体中阳离子的半径调控碳60单晶导电性，调节过程中的温度为0至离子液体的凝固温度。本发明通过介电层离子液尺寸调控C60单晶导电性及绝缘金属相转变。
一种调控 60 导电性方法及其应用

[发明专利]一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202210037694.0在审
发明人：仪明东;蒋惠;李雯;陈叶;俞松城 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米隧道与银纳米粒子共存的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层、衬底及形成在衬底之上的栅电极；其中，所述电荷存储层为两层，第一层为具有纳米隧道结构的聚合物层，第二层为均匀分布在聚合物层之上的银纳米粒子层。电荷存储层采用二次旋涂溶液加工法制备，制备工艺简单，具有可大面积制备的特点。可通过简单的调节旋涂转速一次旋涂便可调控纳米孔的薄膜形貌，再通过二次旋涂将银纳米粒子均匀的分布于纳米孔形貌之上。实现了其存储容量，高迁移率和开关比，稳定性也得到了很大的提升，价格低廉且节约成本，便于推广及集成商业化应用。
一种纳米隧道粒子共存有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法-CN202210037712.5在审
发明人：李雯;徐潇;仪明东;周嘉;柯蕴芯 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成，所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜，所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸形成；所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层，抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后，从顶电极逸出的氧气，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。
一种抑制氧气基于空位导电存储器及其制备方法

[发明专利]一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法-CN202210037716.3在审
发明人：仪明东;吴永乐;李雯;张韬;李佳钰 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-01-13 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
一种具有操作电压有机忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种基于多羰基半导体钠离子存储的两端突触器件及其制备方法-CN202111561120.5在审
发明人：林宗琼;翁洁娜;杨波;戴彦谷;李倩;黄维;张晓;孙骏毅 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于多羰基半导体钠离子存储的两端突触器件及其制备方法，属于有机半导体电子器件技术领域。本发明采用多羰基半导体作为半导体功能层，含钠离子的固态电解质作为离子供应层制备两端突触器件。本发明利用多羰基半导体高密度存储/释放钠离子的特性和优异的动力学，实现了器件电导态的连续调制，以电化学原理深入仿生了生物神经的突触可塑性并模拟了全连接的神经网络。该固态薄膜器件高度仿生并有望大规模集成，应用于未来神经形态芯片。
一种基于羰基半导体钠离子存储两端突触器件及其制备方法

[发明专利]一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法-CN201810366934.5有效
发明人：韩素婷;周晔;吕子玉;徐振庭 -专利权人：深圳大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于短肽组装体的阻变存储器及制备方法，其中，阻变存储器包括阻变层，采用短肽组装体作为所述阻变层。短肽组装体作为一种生物材料，易于获取，成本较低，具有良好的生物相容性和可降解性，有利于制备绿色环保的存储器件，并且短肽组装体还具有很好的热稳定性和化学稳定性，电子传输效率高。
一种基于组装存储器制备方法

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