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[发明专利]CMOS反相器和电子器件-CN202211159467.1在审
发明人：刘洪刚;司佳;张志勇 -专利权人：北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本公开提供了一种CMOS反相器和电子器件。本公开的CMOS反相器可以包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，所述NMOS晶体管与所述PMOS晶体管均采用背面双栅结构，NMOS晶体管和PMOS晶体管通过电连接形成所述CMOS反相器。本公开实施例的CMOS反相器能够大幅度降低碳纳米管数字电路的关态电流和静态功耗。
cmos 反相器电子器件

[发明专利]以羰基硫和氨气作为掺杂剂的有机场效应晶体管制备工艺-CN201910915529.9有效
发明人：金向华;高如天;王新喜;孙猛 -专利权人：金宏气体股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种以羰基硫和氨气作为掺杂剂的有机场效应晶体管的制备工艺，包括如下步骤：(1)提供一衬底；(2)在衬底的绝缘层上制备修饰层；(3)在衬底的修饰层上制备P型有机半导体材料层；(4)以体积比为3‑5:1的羰基硫和氨气作为N型掺杂剂对衬底的P型有机半导体材料层掺杂形成N型半导体材料层；(5)在衬底的N型半导体材料层上制备源电极和漏电极。通COS使P型有机场效应晶体管材料转换成N型材料，大大拓宽了P型材料的范围，极大的丰富有机半导体的N型材料种类，通过在COS气氛中引入NH3气的方法实现了薄膜表面形貌的改变，极大的改变了源漏电极与P3HT薄膜的接触，从而实现了器件阈值电压的降低。
羰基氨气作为掺杂有机场效应晶体管制备工艺

[发明专利]一种多层交联介电层及其制备方法和应用-CN202211107718.1在审
发明人：王海波;胡舒航 -专利权人：吉林大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种多层交联介电层及其制备方法和应用，属于有机光电器件及其柔性光电应用的领域，该多层交联介电层的每一层采用的是旋涂交联聚合物形成的交联介电层。该多层交联介电层在较薄的厚度下具有较高的电容，同时可以减小电极表面粗糙度，减小漏电流，从而制备具有高迁移率低阈值电压的有机场效应晶体管。本发明解决了目前有机场效应晶体管工作电压过高的问题，能够获得高电容、低泄露电流、低粗糙度的介电层，此种方法制备的介电层可以应用于柔性有机场效应晶体管中，进而可以实际应用在逻辑电路中。
一种多层交联介电层及其制备方法应用

[发明专利]一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法-CN202210895522.7在审
发明人：周学华;白国梁;王春花;何文祥;耿同谋;汪谢;武琳 -专利权人：安庆师范大学
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种热电子晶体管的制备方法及用其制备的热电子晶体管、应用及应用的方法，涉及有机电子学技术领域。该热电子晶体管主要由发射电极、金属氧化物绝缘层、基电极、有机半导体以及收集电极等五部分组成。其中，发射电极、金属氧化物绝缘层以及基电极所组成的隧道结是一种有效的载流子能量调节器。有益效果：本发明提供了一种新型的热电子晶体管，通过器件结构的设计、每一层材料的选择、制备工艺的优化，提高了热电子晶体管的载流子能量分辨率，通过测试获得的IC‑hot‑VEB曲线监控有机电子器件中载流子的输运过程，精准地提取了器件中金属与有机半导体形成的势垒。
一种热电子晶体管制备方法应用

[发明专利]一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管-CN202210997279.X在审
发明人：于天鹏;殷江;夏奕东;刘治国 -专利权人：南京大学
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：一种提升抗疲劳特性的并五苯有机场效应晶体管，在并五苯有机场效应晶体管结构中设置有n‑型半导体层及具有浅能级陷阱的电荷俘获层；器件具有底栅型结构：栅电极/栅绝缘层/n‑型半导体薄膜/具有浅能级陷阱的电荷俘获介质层/隧穿层/并五苯/源(漏)电极；栅电极为导体，电阻率在0.1‑0.001Ω·㎝之间；栅绝缘层介质薄膜为绝缘体，厚度范围为5‑150nm；n‑型半导体薄膜层的厚度为1‑200nm；具有浅能级空穴陷阱的电荷俘获介质层，厚度为1‑100nm；隧穿层为绝缘体，厚度范围为1‑20nm；并五苯厚度范围为1‑100nm；源漏电极为导体，厚度范围为50‑200nm；栅电极为导体。
一种提升疲劳特性有机场效应晶体管

[发明专利]以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用-CN201910273549.0有效
发明人：周宇;童艳红 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2019-04-05 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种以酞菁铁为原料的场效应晶体管的制备方法及应用，其特征在于：通过FePc的提纯；FePc的生长；FePc单晶场效应晶体管制备步骤完成器件性能优化；光学性能和柔性性能测试。其实现了对FePc材料提纯，得到高纯度的FePc，并对高纯度的FePc材料进行生长，得到高结晶度的FePc单晶纳米带并制备器件，对FePc单晶场效应器件进行光电性能和柔性性能测试，器件制备和测试过程在室温下空气中进行操作，简单方便；在不同的绝缘层上构建器件，不仅可以在刚性，而且可以在柔性衬底上制备场效应器件；器件具有光电性能同时具有柔性性能。
酞菁铁原料场效应晶体管制备方法应用

[发明专利]一种低功耗人工视网膜仿生器件及其制备方法-CN202211112665.2在审
发明人：孟佳琳;王天宇;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种低功耗人工视网膜仿生器件及其制备方法。该器件包括：硅基衬底；底电极，形成在所述硅基衬底上；多重由p型有机薄膜/n型氧化物半导体薄膜/顶层电极构成的叠层结构，其中，p型有机薄膜，形成在制备有所述底电极的硅基衬底上；n型氧化物半导体薄膜，形成在所述p型有机薄膜上；顶层电极，形成在所述n型氧化物半导体薄膜上；以紫外光源作为光激励信号，利用有机无机混合pn结的本征光响应实现光学信号的采集，同时利用pn结忆阻器的神经形态调控特性实现存算一体功能。
一种功耗人工视网膜仿生器件及其制备方法

[发明专利]一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法-CN202211118930.8在审
发明人：徐文涛;刘甲奇 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-09-13 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明为一种基于三维突触的人工环路模体结构及其制备方法。该结构分为上、中、下三层；底层包括：衬底，衬底上分布有第二金属氧化物掺杂纳米线；L形的第一源极和第一漏极的竖边分列第二金属氧化物掺杂纳米线的两侧；中层为离子胶栅介质层，覆盖在底层上；上层包括L形顶部源级、第一金属氧化物掺杂纳米线、L形顶部漏级；其中，顶部第一金属氧化物掺杂纳米线的投影位置与底层的第二金属氧化物掺杂纳米线呈60～90°夹角；“L型”的第二源极和第二漏极相向而置。本发明可实现突触器件的多端三维调制以及与生物神经环路中相似的相互抑制模式，对未来神经修复以及大规模类脑集成运算存在重要意义。
一种基于三维突触人工环路结构及其制备方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管及其制备方法-CN202010307798.X有效
发明人：孟鸿;施宇豪;王新炜;艾琳 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种有机场效应晶体管及其制备方法，其中包括步骤：提供栅极；沉积聚合物材料至所述栅极上，形成介电层；将沉积有介电层的栅极进行超临界流体处理；沉积有机半导体层材料在处理后的介电层上，形成有机半导体层；沉积电极层材料在有机半导体层上，形成电极层。本发明采用超临界流体处理后的介电层的介电性能得到了明显的提升。同时，采用处理过后介电层的OFET器件迟滞效应被基本消除，同时OFET亚阈值斜率也显著降低，且载流子迁移率有效提升。除此之外，处理后的OFET开关速度得到提升，通过串联发光二极管，可以提升发光二极管开关速率。
一种有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202211054393.5在审
发明人：李焕群;周鹤;张国新;王睿;周楠;郭栋;钱震;杨峰 -专利权人：中通服咨询设计研究院有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，包括自下而上依次布置的衬底、栅电极、栅绝缘层、聚合物修饰层、有机微纳晶体薄膜层、有机半导体层和源漏电极；所述的有机微纳晶体薄膜层中的有机微纳晶体是基于有机芴基小分子的形貌、尺寸均一且具有薄膜兼容性的二维微纳晶体；所述的有机芴基小分子的分子构型为在芴基结构上修饰两个二甲基。本发明基于有机微纳晶体的有机场效应晶体管存储器从材料入手，在此基础上对薄膜形貌进行调控，实现简易制备和环境友好的绿色溶液加工，提升器件的存储性能，所制备的有机小分子微纳晶体层能够改善器件的存储性能，并具有高存储密度和高数据稳定性等特点。
一种基于有机晶体场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法-CN202011155918.5有效
发明人：张卫;孟佳琳;王天宇;何振宇;陈琳;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种感存算一体的柔性有机忆阻器及其制备方法。该感存算一体的柔性有机忆阻器包括：柔性衬底(100)；底层电极(101)，其以一定间隔分布在柔性衬底(100)上；有机功能层(102)，其形成底层电极(101)上，具有紫外光响应，并且可以在紫外光脉冲的激励下进行电荷的存储与擦除，撤去光脉冲后的电流状态与施加光脉冲前的初始电流状态不同，且能保持较长的时间；顶层电极(103)，其以一定间隔分布在有机功能层(102)上，且其延伸方向与底层电极(101)的延伸方向垂直；当利用紫外光脉冲源对所形成的感存算一体的柔性有机忆阻器进行照射时，忆阻器可感应到光信号并产生电流信号，相应的电流信号可被忆阻器存储记忆并用于多态神经计算，从而实现感存算一体化。
一种感存算一体柔性有机忆阻器及其制备方法

[发明专利]一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法-CN202210930716.6在审
发明人：王天宇;孟佳琳;陈琳;孙清清;张卫 -专利权人：复旦大学
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开一种高耐久性柔性神经形态器件及其制备方法。该高耐久性柔性神经形态器件包括：栅极织物，源极织物和漏极织物，其中，所述源极织物和所述漏极织物相互扭转缠绕，且所述栅极织物以螺旋方式缠绕在所述相互扭转缠绕的源极织物和漏极织物上，所述栅极织物包括：栅电极，其为金属织物；栅介质层，其为有机铁电聚合物薄膜，包覆在所述栅电极上；绝缘过渡层，其为有机绝缘聚合物薄膜，包覆在所述栅介质层上；所述源极织物/所述漏极织物包括：基底，其为金属织物；源极/漏极，其为有机导电聚合物薄膜，包覆在所述基底上；沟道层，其为有机半导体薄膜，包覆在所述有机导电聚合物薄膜。
一种耐久性柔性神经形态器件及其制备方法

[发明专利]场效应晶体管及其制备方法-CN202210498419.9在审
发明人：翟明龙;刘洪刚;张志勇;彭练矛 -专利权人：北京大学;北京元芯碳基集成电路研究院;北京华碳元芯电子科技有限责任公司
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本公开提供了一种场效应晶体管及其制备方法。本公开的一些实施例中，场效应晶体管包括：衬底层；沟道层，通过在衬底层上沉积碳纳米管而形成；铁电栅介质层，位于沟道层的源漏沟道中间，通过在沟道层之上沉积掺杂氧化铪的铁电栅介质薄膜而形成；栅极，形成于铁电栅介质层之上；源极，形成于沟道层之上；漏极，形成于沟道层之上。本公开的场效应晶体管结构简单、易于制备，存储窗口大，便于大面积制备，与现有硅基产线兼容性好，且具有读写速率块、存储窗口大、高擦写次数、功耗低的优点。
场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管及其制备方法-CN202011167204.6有效
发明人：汤庆鑫;童艳红;赵晓丽;任航;张珺默 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明公开了与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管及其制备方法。该制备方法，包括如下步骤：在衬底表面上连接十八烷基三氯硅烷；在修饰过的衬底上光刻制备图案化的可拉伸的栅电极和源/漏电极，然后分别旋涂液态弹性体材料，经固化得到内嵌于弹性体中的栅电极层和源/漏电极；在修饰过的衬底上依次旋涂可拉伸的聚合物半导体和液态弹性绝缘材料，经固化得到半导体/绝缘层复合层；栅电极层剥离并贴合到可拉伸半导体/绝缘层复合层上；源/漏电极层从衬底上剥离并贴合到栅电极/半导体/绝缘层复合层上合为整体，即可得到与光刻电极相兼容的本征可拉伸有机场效应晶体管；本发明制备方法可在室温环境下操作，工艺简单迅速易于重复，适合批量化生产。
一种光刻电极兼容拉伸有机场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用-CN201910433283.1有效
发明人：周瑜;汤庆鑫;童艳红 -专利权人：东北师范大学
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚合物半导体薄膜制备方法及应用，是基于衬底的叠片滴注法制备聚合物半导体薄膜，其特征在于：表面连接有羟基的上层衬底和OTS修饰的上层衬底，设计了一种叠片滴注结构，通过在该结构下的滴注成膜，实现大面积高性能聚合物半导体薄膜的制备，在衬底上生长聚合物半导体薄膜，一方面解决了传统滴注法中咖啡环效应带来的薄膜不均一问题。另一方面无需外力即可实现薄膜生长过程中的定向引导，有利于有机薄膜的定向性生长，特别利于高质量聚合物一类的薄膜制备，操作简单方便，实验要求低，无需大型仪器设备。
一种聚合物半导体薄膜制备方法应用

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