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[发明专利]一种基于SFX合成实验的虚拟仿真系统-CN202110509947.5有效
发明人： 解令海;董朝阳;王永霞;吴振宇;刘玉玉 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SFX(螺芴氧杂蒽)合成实验的虚拟仿真系统，包括实验模块和功能模块；所述实验模块包含两个实验：一锅法制备SFX，微型流动反应器制备SFX，所述两个实验均包含教学、练习、考试模式的实验操作集成模块，通过组合不同的实验单元操作模拟制备SFX。本发明使用3Dsmax作为三维建模工具，Unity 3D与万维引擎作为开发平台，通过Excel编辑功能文本指令，实现虚拟仿真实验系统的开发。基于SFX(螺芴氧杂蒽)合成实验的虚拟仿真系统能够生动形象地反映制备SFX的实验过程，有效扩展和延伸了现场实验教学生动形象的受训体验，使学生更易于理解和掌握科学实验专业知识，能够大幅度提高教学质量。
一种基于 sfx 合成实验虚拟仿真系统

[发明专利]一种面向螺芴氧杂蒽的微流自动化投料装置及方法-CN202310815250.X有效
发明人：朱世远;成孝刚;宋丽敏;王晨昕;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B01L9/00 文献下载
摘要：本发明公开一种面向螺芴氧杂蒽的微流自动化投料装置及方法，属于计算机视觉、机器人技术以及有机合成的交叉领域。装置包括微反应器平台、机器人模块、视觉辅助系统模块和控制模块。其中视觉辅助系统模块包括目标检测模块、化学标签识别模块和化学器皿内材料类型识别模块，目标检测模块用于检测目标反应瓶、目标药品；化学标签识别模块用于识别目标药品的药品标签图像，确认是否为所需的目标药品；化学器皿内材料类型识别模块用于监测反应瓶内的物料变化，确定是否完成投料。本发明能够实现螺芴氧杂蒽连续流合成的自动化投料。
一种面向螺芴氧杂蒽自动化投料装置方法

[发明专利]一种聚乙烯醇-芴基纳米片复合薄膜及其制备方法-CN202210497567.9有效
发明人：汪莎莎;刘会芳;解令海;李延昂 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C08L29/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚乙烯醇‑芴基纳米片复合薄膜及其制备方法，属于新型复合膜材料领域。本发明的聚乙烯醇‑芴基纳米片复合薄膜由芴基纳米片与聚乙烯醇水溶液共混组成，其中所述芴基纳米片与聚乙烯醇水溶液共混过程中芴基纳米片的掺杂质量比为5%；所述芴基纳米片是芴基有机小分子通过添加表面活性剂制成；所述芴基有机小分子是由苯基芴和芘基团组成的分子。本发明所制得的聚乙烯醇‑芴基纳米片复合薄膜表面平整光滑、薄膜质量较高，通过调控芴基纳米片材料及其在复合薄膜中掺杂比例可以使复合膜可控性强，同时可将小分子纳米片优异的光电性能和聚乙烯醇的柔性相结合来实现复合薄膜良好的光电和力学性能。
一种聚乙烯醇纳米复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种单极性调控的双机制有机忆阻晶体管及其制备方法-CN202310739301.5在审
发明人：凌海峰;王杰;郑朝月;解令海;付敬伟;和翔 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-06-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术和神经形态硬件领域，公开了一种单极性调控的双机制有机忆阻晶体管及其制备方法。该双机制有机忆阻晶体管从下至上依次设置包含栅极的衬底层、电解质层、电荷捕获层、半导体层、源极和漏极，双机制有机忆阻晶体管具有单极性电压幅值依赖塑性，通过调节漏极电压大小来调节电导增强或减弱，在所述双机制有机忆阻晶体管实现SVDP特性。本发明在忆阻晶体管中实现SVDP特性，通过引入双重电荷机制，利用两种机制之间的竞争作用，小幅值的刺激电压实现兴奋，大幅值的刺激电压实现抑制，在忆阻晶体管漏极实现SVDP特性，通过改变栅极的电压，可以调节SVDP特性，可以模拟更加丰富的突触行为。
一种极性调控双机有机晶体管及其制备方法

[发明专利]一种氰基取代的螺环芳烃分子分形晶体及其制备方法和应用-CN202110789614.2有效
发明人：金凌志;张翀;解令海;汪莎莎;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-07-13 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C07D311/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种氰基取代的螺环芳烃分子分形晶体及其制备方法和应用，所述分形晶体是由氰基取代的螺环芳烃分子十字堆积有序排列形成；SAHs被超分子作用基团取代，本身起到位阻的作用，对称取代的超分子作用基团引入对称且较强的超分子作用力，通过浓度和温度调控实现了SAHs晶体的分枝生长和尖端破裂，进而形成分形晶体，可作为光电材料广泛应用于光电器件中，且具有荧光发光稳定性。
一种取代芳烃分子晶体及其制备方法应用

[发明专利]模块化多级层析柱及其取样、分离方法-CN201710734224.9有效
发明人：张广维;雷佳琪;罗孟成;魏颖;解令海;黄维;仲涛涛 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： B01D15/18 文献下载
摘要：本发明提供一种模块化多级层析柱及其取样、分离方法，模块化多级层析柱包括由上至下依次嵌套的柱顶、至少一节柱体和柱底，柱顶的嵌套面上贯通有一个柱顶取样小孔，柱体上端的嵌套面上贯通有一个上部取样小孔，柱体下端的嵌套面上贯通有一个下部取样小孔，柱体下部设有砂芯，柱底的嵌套面上贯通有一个柱底取样小孔。与现有技术相比，本发明的有益效果是：在分离提纯过程中，可以实时对柱内取样，以监测层析柱内分离情况，实现动态监测；还可以根据需要灵活的选择增加或者减少柱体数；在柱体内分离开不同组份时，可以将带有不同组份的柱体分离，分别与柱顶及柱底组合，组装为多支层析柱使用；具有实用性强，灵活性高，适用面广的特点。
模块化多级层析及其取样分离方法

[发明专利]基于吖啶酮的有机存储材料、制备方法及其应用-CN202310520492.6在审
发明人：张广维;魏宁;韩秋数;朱金成;史乐;卞临沂;凌海峰;解令海;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C07D401/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于吖啶酮的有机存储材料、制备方法及其应用，属于有机存储材料技术领域。基于吖啶酮的有机存储材料的结构通式为：其中，n为1‑22，Ar为以下结构式中的任意一种：本发明采用简单、低成本的工艺手段制备有机存储材料，可充当存储器的电荷俘获层，能够将其应用于OFET存储器中，并且具有很好的存储容量和响应速度。
基于吖啶酮有机存储材料制备方法及其应用

[发明专利]共轭打断型聚并氧杂蒽双螺环化合物及其制备方法和应用-CN202310479433.9在审
发明人：虞梦娜;顾贾彬;解令海;李昊;罗曼曼;魏颖 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C08G61/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种共轭打断型聚并氧杂蒽双螺环化合物，属于有机聚合物半导体材料技术领域，所述的共轭打断型聚并氧杂蒽双螺环化合物，具体为一种以并氧杂蒽双螺环为单体的共轭打断型聚合物设计，具有式Ⅰ所示结构，其中R为氢或具有1到8个碳原子的直链、支链、环状烷基链或其烷氧基链。本发明的共轭打断型聚并氧杂蒽双螺环化合物具有良好的光谱稳定性及热稳定性，且荧光量子效率高，可作为蓝光发光材料用于有机发光二极管器件中；同时该化合物基于传统的山本偶联缩合聚合反应连接得到，反应步骤少，操作简单，材料易于制备，在应用于发光二极管器件时采用溶液法加工，可广泛应用于发光显示照明领域及新型信息显示技术。
共轭打断氧杂蒽双螺环化及其制备方法应用

[发明专利]一种螺[芴-9，9′-氧杂蒽]核基新型钙钛矿太阳能电池材料及其制备方法以及应用-CN202310288867.0在审
发明人：邓云;任保轶;曹洪涛;解令海;艾伟 -专利权人：宁波维海云光电科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07D311/96 文献下载
摘要：本发明适用于钙钛矿太阳能电池空穴传输材料制备及其器件技术领域，提供了一种螺[芴‑9，9′‑氧杂蒽]核基新型钙钛矿太阳能电池材料及其制备方法以及应用，采用的钙钛矿太阳能电池器件结构为单节结构。该类材料具有：(1)合成路线简单、原料易得；(2)在螺[芴‑9，9′‑氧杂蒽]核的氧杂蒽单元引入芳胺基团显著提高了材料的玻璃化转变温度和热分解温度；(3)相比于sprio‑OMeTAD，本发明中基于螺[芴‑9，9′‑氧杂蒽]核的空穴传输材料具有更高的玻璃转化温度和热分解温度、更高的氧化还原电位、更高的空穴迁移率和导电率，在钙钛矿太阳能电池和其他有机电子器件领域有巨大的应用价值和广阔的应用前景。
一种氧杂蒽新型钙钛矿太阳能电池材料及其制备方法以及应用

[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池用氟代螺芳基空穴传输材料及其制备方法以及应用-CN202310275446.4在审
发明人：邓云;任保轶;曹洪涛;解令海;艾伟 -专利权人：宁波维海云光电科技有限公司
申请日： 2023-03-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： C07D311/96 文献下载
摘要：本发明适用于钙钛矿太阳能电池空穴传输材料制备及其器件技术领域，提供了一种钙钛矿太阳能电池用氟代螺芳基空穴传输材料及其制备方法以及应用。采用的有钙钛矿太阳能器件结构为单节结构，单节太阳能电池采用p‑i‑n反式结构(即：空穴传输层‑钙钛矿层‑电子传输层的结构)结构。该类材料具有：(1)结构和性能可调控性强，制备成本低，螺环结构提高了材料的热稳定性和玻璃态转变温度，可蒸镀；(2)由于有氟原子的取代，化合物呈现柔性，成膜性较好，可溶液加工；(3)材料应用方式灵活，单节器件均表现出良好的光电转换效率，商品化应用潜力大。
一种钙钛矿太阳能电池用氟代螺芳基空穴传输材料及其制备方法以及应用

[发明专利]一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法-CN202110775166.0有效
发明人：明建宇;陈雨婷;姚鸿巍;解令海;凌海峰 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2021-07-08 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种低功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法，所述卟啉锌忆阻器从下至上依次包括底电极、有机阻变层、无机阻变层、顶电极，所述有机阻变层为小分子卟啉锌，所述底电极为氧化铟锡，所述顶电极为金属铝，其特征在于，所述无机阻变层为厚度6～10nm的非化学计量比氧化铝薄膜，所述非化学计量比氧化铝薄膜中氧原子和铝原子的数量比值即氧铝比为1.2～1.3。所述无机阻变层为采用热原子层沉积薄膜制备所得的非化学计量比氧化铝。本发明通过引入热原子层沉积工艺手段，获得了高质量可控的非化学计量比氧化铝薄膜，改进了有机忆阻器的开关功耗及稳定性，使其在拥有生物突触响应的同时，具有线性度良好的突触权重更新过程。
一种功耗卟啉锌忆阻器及其制备方法

[发明专利]可拉伸透明TPU/TA薄膜材料及其制备方法和应用-CN202310247396.9在审
发明人：石乃恩;夏永荣;魏颖;解令海;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可拉伸透明TPU/TA薄膜材料的制备方法，属于电化学储能技术领域，所述制备方法包括：将热塑性聚氨酯弹性体TPU，单宁酸TA溶于丙酮与DMF的混合溶液中，在油浴锅中加热搅拌，待完全溶解后取出在室温下进行冷却；吸取上述得到的溶液均匀滴涂在洗干净的硅片上，蒸发溶剂后揭取得到TPU/TA薄膜；最后进行喷金处理。本申请还公开了一种可拉伸透明TPU/TA薄膜材料，其作为柔性可拉伸薄膜，透光度与拉伸性能大大提高，在薄膜上喷金从而可运用到柔性集流体当中。此外，本发明制备过程简易、成本低廉、制备周期短，可随时作为超级电容器的集流体进行使用，推进电化学储能领域的应用。
拉伸透明 tpu ta 薄膜材料及其制备方法应用

[发明专利]基于芴基小分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法-CN202310301573.7在审
发明人：凌海峰;陈捷锋;刘玉玉;李玥;邵振;金展翔;解令海 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10K10/46 文献下载
摘要：本发明公开一种基于芴基小分子的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，属于信息存储技术领域。该存储器的电荷捕获层是由芴基小分子材料3Ph‑TrH通过溶液加工的方式制成单一薄膜后构成，小分子材料3Ph‑TrH的螺环结构有效的增加了空间位阻，起到抑制电荷泄漏的效果，具有优异的空穴捕获能力和电子捕获能力，使得存储器件表现出双极性存储(42.8V)、高稳定性、良好耐受性等优异性能，该单分子薄膜器件的迁移率达到了0.35cm2V‑1s‑1，开关比超过105，维持性能较高；此外，该存储器件的制备工艺简单，可大大降低生产成本，有利于该类器件的推广和应用。
基于芴基小分子有机场效应晶体管存储器及其制备方法

[发明专利]一种二维多孔金属有机框架纳米片材料及其制备方法和应用-CN202310241899.5在审
发明人：石乃恩;阎勇;魏颖;解令海;黄维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-14 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C08G83/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料合成技术领域，公开了一种二维多孔金属有机框架纳米片材料及其制备方法和应用，二维多孔金属有机框架纳米片材料是以含锌的金属盐为锌源，以2‑甲基咪唑为有机配体，在阴离子表面活性剂的作用下通过溶液混合静置制备而成的二维多孔MOF纳米片材料，所述二维多孔MOF纳米片材料的单晶化学式为Zn(C4H6N2)2且所述二维多孔MOF纳米片属于二维平面矩形结构。本发明利用阴离子表面活性剂导向的静电剪切力，同时作为软模板剂构造孔缺陷，定向限制材料自组装生长方向，从而有效的制备出一种结构新颖、形态稳定的二维多孔MOF纳米片材料，且作为超级电容器的正极材料。
一种二维多孔金属有机框架纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用-CN202310209593.1在审
发明人：卞临沂;刘广毅;张哲玮;崇昊;韩秋数;周鑫阳;朱金成;解令海;张广维 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C07F7/08 文献下载
摘要：本发明公开一类苯并二噻吩衍生物及其制备和应用，属于有机存储和信息技术领域。该类衍生物是在苯并二噻吩结构上键连接三异丙基乙炔基硅后制得，所得化合物具有大的共轭平面以及电荷云密度，且具有良好的π–π堆积性能，与三异丙基乙炔基硅结合可进一步抑制电荷泄漏，阻挡载流子的流失，从而可提高电荷的存储稳定性和耐受性，因而适于制备有机场效应晶体管存储器。本申请将该类苯并二噻吩衍生物作为OFET存储器的电荷俘获层，由于苯并二噻吩具有电荷俘获位点，所以当给器件施加电压，在电场的作用下，电子或者空穴从半导体层隧穿进入到存储层，就会更加容易被俘获，有助于提升器件的存储性能。
一类噻吩衍生物及其制备应用

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