[发明专利]用于双重图案化的掩模版的制作方法及双重图案化方法有效
| 申请号： | 201711317600.0 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109917616B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 杨青 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/76 | 分类号： | G03F1/76 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种用于双重图案化的掩模版的制作方法及双重图案化方法，涉及半导体技术领域。其中，所述制作方法包括：根据目标图形布局用于第一图案化的第一掩模版和用于第二图案化的第二掩模版，所述第一掩模版具有第一掩模图形，所述第二掩模版具有第二掩模图形，所述第一图案化在所述第二图案化之前进行；在所述第一掩模版的第一掩模图形的间隙处设置SRAF图形；其中，所述SRAF图形被所述第二掩模图形覆盖，并且，所述SRAF图形的尺寸被配置为使得所述SRAF图形在所述第一图案化中能够被转移。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 双重 图案 模版 制作方法 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于双重图案化的掩模版的制作方法，其特征在于，包括：根据目标图形布局用于第一图案化的第一掩模版和用于第二图案化的第二掩模版，所述第一掩模版具有第一掩模图形，所述第二掩模版具有第二掩模图形，所述第一图案化在所述第二图案化之前进行；在所述第一掩模版的第一掩模图形的间隙处设置亚分辨率辅助特征SRAF图形；其中，所述SRAF图形被所述第二掩模图形覆盖，并且，所述SRAF图形的尺寸被配置为使得所述SRAF图形在所述第一图案化中能够被转移。
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- 涂志强;陈俊郎 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2017-03-28 - 2022-04-19 - G03F1/76
- 在一些实施例中，图案化的光刻胶具有多个屏蔽层。在一些实施例中，描述了用于掩模图案化的光掩模。光掩模包括位于透明层上方的相移层。光掩模还包括位于相移层上方的第一屏蔽层。第一屏蔽层具有第一厚度和第一光密度。光掩模还包括位于第一屏蔽层上方的第二屏蔽层。第二屏蔽层具有第二厚度和第二光密度。第二厚度小于第一薄度，并且第二光密度小于第一光密度。本发明实施例涉及具有多个屏蔽层的光掩模。
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
