[发明专利]预估MEEF较大图形的方法及系统有效

申请号：	201510497384.7	申请日：	2015-08-13
公开（公告）号：	CN105093811B	公开（公告）日：	2019-12-24
发明（设计）人：	王丹;于世瑞;毛智彪;王响;陈燕鹏	申请（专利权）人：	上海华力微电子有限公司
主分类号：	G03F1/36	分类号：	G03F1/36;G03F7/20
代理公司：	31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	智云
地址：	201203 上海市***	国省代码：	上海;31
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摘要：	本发明公开了一种预估MEEF较大图形的方法及系统，该方法包括：对原有光罩层整体增加偏移量a和整体减小偏移量b，得到整体增加偏移量a和整体减小偏移量b的光罩层图形A和光罩层图形B；利用OPC模型对该光罩层图形A和光罩层图形B进行模拟，得到光罩层图形A和光罩层图形B的模拟硅片图形AA和模拟硅片图形BB；对该模拟硅片图形AA和模拟硅片图形BB进行逻辑运算，得到差异图形；计算该差异图形的宽度，选出该差异图形宽度较大的位置，本发明可有效避免常规硅片热点检查中没有考虑到某些图形由于MEFF较大，可能和光罩的误差结合在一起，成为硅片上新的热点的问题，为后续的热点验证和工艺优化提供重要依据。
搜索关键词：	预估 meef 较大图形方法系统
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【主权项】：

1.一种预估MEEF较大图形的方法，包括如下步骤：/n步骤一，在原有光罩层的基础上，对原有光罩层整体增加偏移量(a)和整体减小偏移量(b)，得到整体增加偏移量(a)和整体减小偏移量(b)的光罩层图形(A)和光罩层图形(B)；/n步骤二，在OPC检查时，利用OPC模型对该光罩层图形(A)和光罩层图形(B)进行模拟，得到光罩层图形(A)和光罩层图形(B)的模拟硅片图形(AA)和模拟硅片图形(BB)；/n步骤三，对该模拟硅片图形(AA)和模拟硅片图形(BB)进行逻辑运算，得到该模拟硅片图形(AA)和模拟硅片图形(BB)的差异图形(CC)；/n步骤四，计算该差异图形(CC)的宽度，选出该差异图形(CC)宽度较大的位置，即原有光罩层图形MEEF较大的图形位置，以作为光刻工艺开发的参考或作为硅片上的热点进行后续验证。/n

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摘要：本发明公开了一种预估MEEF较大图形的方法及系统，该方法包括：对原有光罩层整体增加偏移量a和整体减小偏移量b，得到整体增加偏移量a和整体减小偏移量b的光罩层图形A和光罩层图形B；利用OPC模型对该光罩层图形A和光罩层图形B进行模拟，得到光罩层图形A和光罩层图形B的模拟硅片图形AA和模拟硅片图形BB；对该模拟硅片图形AA和模拟硅片图形BB进行逻辑运算，得到差异图形；计算该差异图形的宽度，选出该差异图形宽度较大的位置，本发明可有效避免常规硅片热点检查中没有考虑到某些图形由于MEFF较大，可能和光罩的误差结合在一起，成为硅片上新的热点的问题，为后续的热点验证和工艺优化提供重要依据。

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摘要：本发明公开了一种通过亚分辨率辅助图形改善接触孔工艺热点的OPC修正方法，包含：步骤1、对原始光刻版图图形进行OPC修正，筛选出光刻仿真值偏离目标值的接触孔图形，标记工艺热点的位置；步骤2、检查工艺热点图形位置附近的亚分辨率辅助图形的散射条的空间取向，将构成亚分辨率辅助图形的散射条的空间取向定义为第一方向；步骤3、改变工艺热点图形附近的亚分辨率辅助图形空间取向，旋转部分散射条的第一方向为第二方向；步骤4、再次对接触孔版图图形进行OPC修正，得到最终的掩模板版图，并再次利用光学仿真检查OPC修正效果。本发明能够减少接触孔版图图形中，受到掩模板最小尺寸规则限制而产生的图形缺陷，消除工艺热点，提升器件性能。

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摘要：本发明提供了一种光学临近修正模型(OPC)的优化方法，包括：步骤S1：收集光学临近修正模型中晶圆版图的模拟数据和实际生产中实际晶圆版图的测量数据；步骤S2：根据所述步骤S1中的所述模拟数据和测量数据，利用公式(I)计算所述模型中不同节距的关键尺寸和所述实际晶圆版图中所述节距的关键尺寸的均方根值RMS，以对光学临近修正模型进行评价和优化，

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摘要：本发明提供一种用于光学邻近修正修复的方法，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内对问题图案的问题边缘进行不同于所述问题图案的其他边缘的站点分配，以进行基于站点的边缘放置误差控制。本发明所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配进行站点分配，使得基于站点的边缘放置误差控制可以在考虑坏点的环境的情况下进行，从而可以获得最佳站点分配方案，实现高效的光学邻近修正修复。

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摘要：本发明提供一种用于晶圆上坏点的失效分析的方法，所述方法包括：对晶圆坏点所对应的问题光罩图案进行直接模拟；以及基于模拟结果与生成所述问题光罩图案所基于的原始光学邻近修正版图的模拟的比较确定所述晶圆坏点是否起因于光罩错误。本发明所提供的用于晶圆上坏点的失效分析的方法可以将光学邻近修正过程可能的错误与光罩错误各自产生的影响分离开来，准确确定晶圆坏点产生的根本原因是否在于光罩错误。

用于光学邻近修正修复的方法-201510121332.X
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摘要：本发明提供一种用于光学邻近修正修复的方法，所述方法包括：选择包含问题图案的特定图案；对整个芯片进行扫描以定位与所述特定图案相匹配的特定区域；以及在所述特定区域内实施光学邻近修正修复。本发明所提供的用于光学邻近修正修复的方法基于图案匹配使得光学邻近修正修复可以在错误标记指定的较小区域内高效执行，不对其他区域造成不期望的影响。

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摘要：本发明提供一种用于评估光学邻近修正模型的精度的方法，所述方法包括：将光学邻近修正模型映射到由光学邻近修正模型的拟合参数所构成的向量空间，以构建由第一向量所表示的第一模型；确定向量空间内的第一方向，光学邻近修正模型所计算的阈值沿第一方向变化最快；将第一模型沿着第一方向移动预定量以构建由第二向量所表示的第二模型；以及针对不同的给定节距计算用于第一模型的第一关键尺寸和用于第二模型的第二关键尺寸的差，以得到光学邻近修正模型的精度。本发明所提供的用于评估光学邻近修正模型的精度的方法可以对光学邻近修正模型的精度进行有效地评估，从而可以实现更为可靠的光学邻近修正。

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发明人：林俊羽;陈奕杰;邱丰源;郑英周;吕奎亮;张雅惠;刘如淦;高蔡胜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明提供了用于制造集成电路的光掩模和方法。光掩模包括：封闭在至少一个第一区域和至少一个第二区域中的多个主要部件，其中，第一区域包括单个主要部件并且第二区域包括多个主要部件；以及设置在第一区域和第二区域之间或者设置在第二区域之间的多个辅助部件。光掩模提高了临界尺寸的精度并且有利于制造集成电路。本发明涉及用于制造集成电路的光掩模和方法。

一种基于模型的OPC修正方法-201910633249.9
发明人：高迎晖 -专利权人：苏州悦谱半导体有限公司
申请日： 2019-07-15 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G03F1/36
摘要：本发明公开了一种基于模型的OPC修正方法，利用粒子群算法去优化求解一个局部区域内所有线段的最佳法向修正值，包括以下具体步骤：步骤1：半导体电路设计原始数据；步骤2：多边形依据边分段；步骤3：取出一个多边形相邻的线段；步骤4：计算各个线段的目标光强点；步骤5：随机初始化每个线段法向位移值作为一个解；步骤6：进行迭代；步骤7：得出判定值；步骤8：如果结果满意，结束迭代，否则，继续进行迭代。通过上述方式，本发明改变局部点的计算模型和多个点进行修正，在同样环境建立的光学模型下，能和国外主流软件修正结果基本一致，误差在2nm以内，达到了精度高和快速高效的效果。

专利分类

G 物理

G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备

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[发明专利]预估MEEF较大图形的方法及系统有效

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