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- [发明专利]版图图形的填充方法-CN201910986336.2有效
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赵文文;张逸中;于是瑞
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上海华力集成电路制造有限公司
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2019-10-17
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2023-09-19
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G06F30/392
- 本申请公开了一种版图图形的填充方法，包括：提供包括辅助有源层、冗余有源层、辅助栅层以及冗余栅层的设计版图；选取线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层以及线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层；对于线宽在第一预定线宽范围内的辅助有源层，在小于第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层，在至少一个大于所述第一预定线宽的辅助有源层上添加辅助硅锗层；对于线宽在第二预定线宽范围内的冗余有源层，根据冗余有源层周围的图形确定需要添加的冗余硅锗层的样式进行添加。本申请通过对锗硅图形生长区域内的衬底图形进行分类，根据不同线宽的衬底图形采用不同的填充方式，在一定程度上解决了图形负载效应引起的缺陷问题。
- 版图图形填充方法
- [实用新型]一种水冷炉用余热利用装置-CN202122610686.4有效
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张逸中;刘广会
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无锡市辉丰机电设备有限公司
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2021-10-27
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2022-09-02
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F22B37/00
- 一种水冷炉用余热利用装置，包括锅炉、冷却水管道和热水管道，所述的热水管道远离锅炉的一侧设有过滤装置，所述的过滤箱的一侧设有出水管，所述的出水管的另一端设有蓄水箱，所述的出水管的外侧设有连接管一，所述的连接管一远离出水管的一端设有烘干装置，所述的散热管的一端设有连接管二，所述的蓄水箱的一侧设有出水管和放水管，所述的放水管连通连接管二，所述的连接管二的一端设有风冷装置，本实用新型的有益效果为：本实用新型采用过滤装置对循环热水进行冷却，锅炉冷却之后的热水可以流入蓄水箱内供其使用，同时还可以通过烘干装置对物品进行烘干处理，利于锅炉的热水进行二次利用，提高能源利用，减少了能源的消耗。
- 一种水冷余热利用装置
- [发明专利]一种炉底水冷方法-CN202111252883.1在审
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张逸中;刘广会
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无锡市辉丰机电设备有限公司
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2021-10-27
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2022-02-15
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C21B7/10
- 一种炉底水冷方法，包括炉底、储水箱、水泵、管路一、管路二、管路和控制器，所述的储水箱的出水口连接水泵的进水口，所述的水泵的出水口设有分水管，所述的分水管分别连通管路一、管路二和管路三，所述的管路一、管路二和管路三上均设有开关阀，所述的炉底、管路一、管路二和管路三内均设有温度传感器，所述的汇总管路的出口设有冷却塔，所述的冷却塔和储水箱之间设有连接管，采用以上结构后，本发明具有如下优点：本发明可根据温度传感器检测炉底的温度，控制器根据温度打开管路一、管路二和管路三的开关阀和水泵工作，对炉底进行水冷，可分不同的炉底的温度对炉底进行冷却，实现节能环保，可对炉底的温度进行把控。
- 一种底水方法
- [发明专利]光学临近效应修正方法-CN201811607301.5有效
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翟翠红;张逸中;于世瑞
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上海华力集成电路制造有限公司
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2018-12-27
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2022-02-01
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G03F1/36
- 本发明公开了一种用于校正多晶硅层偏移图形的光学临近效应修正方法，包括：根据多晶硅层图形之间距离将其划分为高密度图形区域和低密度图形区域；通过版图逻辑运算选取低密度图形区域中发生位移的图形；选取需要移动处理的图形执行移动校正。本发明通过版图逻辑运算可实现自动识别并选取多晶硅层偏移图形，同时对其进行移动操作；本发明有利于增大多晶硅层高低密度区域图形的距离，改善高低密度区域图形之间的工艺窗口，处理后的光刻版图仍然满足设计规则，不会影响器件性能，能够有效防止多晶硅层图形间距变小造成的产品缺陷，有效避免低密度区域图形偏移所导致的风险，提高产品良率。
- 光学临近效应修正方法
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