[发明专利]双重图形曝光掩模制造方法及双重图形曝光方法无效
申请号: | 201010240544.7 | 申请日: | 2010-07-23 |
公开(公告)号: | CN102346368A | 公开(公告)日: | 2012-02-08 |
发明(设计)人: | 朴世镇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F7/20;G03F7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种双重图形曝光掩模制造方法及一种双重图形曝光方法,其中双重图形曝光掩模制造方法包括:提供目标图形,所述目标图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形,相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙,所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸;根据所述第一图形形成第三图形,所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形;提取第三图形中的偶数位的第二子图形,并保持偶数位的第二子图形位置不变,形成第四图形;将第二图形写入第一掩模版;将第四图形写入第二掩模版。本发明提供的双重图形曝光掩模制造方法简单且分解精度高。 | ||
搜索关键词: | 双重 图形 曝光 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种双重图形曝光掩模制造方法,其特征在于,包括:提供目标图形,所述目标图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形,相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙,所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸;根据所述第一图形形成第三图形,所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形,所述第二子图形位置与第一间隙位置对应,相邻的第二子图形之间具有第二间隙,所述第二间隙位置与第一子图形位置对应,所述第二子图形的尺寸等于第一间隙的尺寸,所述第二间隙的尺寸等于第一子图形的尺寸;提取第三图形中的偶数位的第二子图形,并保持偶数位的第二子图形位置不变,形成第四图形;将第二图形写入第一掩模版;将第四图形写入第二掩模版。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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