[发明专利]双重图形曝光掩模制造方法及双重图形曝光方法无效

专利信息
申请号: 201010240544.7 申请日: 2010-07-23
公开(公告)号: CN102346368A 公开(公告)日: 2012-02-08
发明(设计)人: 朴世镇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: G03F1/72 分类号: G03F1/72;G03F7/20;G03F7/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种双重图形曝光掩模制造方法及一种双重图形曝光方法,其中双重图形曝光掩模制造方法包括:提供目标图形,所述目标图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形,相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙,所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸;根据所述第一图形形成第三图形,所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形;提取第三图形中的偶数位的第二子图形,并保持偶数位的第二子图形位置不变,形成第四图形;将第二图形写入第一掩模版;将第四图形写入第二掩模版。本发明提供的双重图形曝光掩模制造方法简单且分解精度高。
搜索关键词: 双重 图形 曝光 制造 方法
【主权项】:
一种双重图形曝光掩模制造方法,其特征在于,包括:提供目标图形,所述目标图形包括第一图形和第二图形,所述第一图形包括至少两个分立的第一子图形,相邻的第一子图形之间具有相同的第一间隙,所述第一图形的第一子图形的特征尺寸小于第二图形的特征尺寸;根据所述第一图形形成第三图形,所述第三图形包括与第一子图形对应的分立的第二子图形,所述第二子图形位置与第一间隙位置对应,相邻的第二子图形之间具有第二间隙,所述第二间隙位置与第一子图形位置对应,所述第二子图形的尺寸等于第一间隙的尺寸,所述第二间隙的尺寸等于第一子图形的尺寸;提取第三图形中的偶数位的第二子图形,并保持偶数位的第二子图形位置不变,形成第四图形;将第二图形写入第一掩模版;将第四图形写入第二掩模版。
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