[发明专利]建模用光刻图形及其量测方法有效
| 申请号： | 201410006853.6 | 申请日： | 2014-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN103676464B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 钟政;金晓亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种建模用光刻图形及其量测方法，其中所述建模用光刻图形，包括：呈行列分布的若干基准图形，每个基准图形包括若干间隔分布的第一线状图形；位于相邻的基准图形之间的辅助图形，所述辅助图形包括位置图形和数据图形，所述位置图形用于定位相邻的基准图形的参考位置信息和数据图形的参考位置信息，所述数据图形用于在定位基准图形所在行或列的信息。提高了采集数据的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 建模 用光 图形 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种建模用光刻图形，其特征在于，包括：呈行列分布的若干基准图形，每个基准图形包括若干间隔分布的第一线状图形；位于相邻的基准图形之间的辅助图形，所述辅助图形包括位置图形和数据图形，所述位置图形用于定位相邻的基准图形的参考位置信息和数据图形的参考位置信息，所述数据图形用于在定位基准图形所在行或列的信息。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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