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[发明专利]光学邻近修正模型的校正方法-CN201910527584.0有效
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-06-18 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正模型的校正方法，包括：提供具有待测量图形的原始版图；确定待测量图形的待测量位置；通过原始版图获得形成于物理晶圆上的物理晶圆图形；获取待测量位置对应在物理晶圆图形上的关键尺寸为第一尺寸；执行检测工艺，包括：采用OPC模型对原始版图进行模拟，获得模拟图形；根据待测量位置在模拟图形上选定第一待测量区域，并采集第一待测量区域中的多个关键尺寸的量测数据；根据多个关键尺寸的量测数据和第一尺寸类型，获取待测量位置对应在模拟图形上的关键尺寸为第二尺寸；根据第二尺寸和第一尺寸，判断误差函数值的收敛性是否满足光学邻近修正的要求；当未满足要求时，校正OPC模型，并返回执行检测工艺的步骤。本发明提高OPC精准度。
光学邻近修正模型校正方法

[发明专利]设计规则检查方法、光学临近修正方法-CN202311075072.8在审
发明人： 杜杳隽;付静;陈红 -专利权人：深圳国微福芯技术有限公司
申请日： 2023-08-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开一种设计规则检查方法、光学临近修正方法。其中设计规则检查方法，包括：步骤1，找到版图中的所有元胞，将环境相同且种类相同的元胞归类到同一个分级；步骤2，每次执行DRC时，仅对同一个分级中的一个元胞的多边形进行选边及移边操作，然后在同一个分级中相同环境的多边形的对应边上复制相同的移边操作；步骤3，之后对每一个分级的多边形进行检查，将同一个分级中因环境发生变化而导致与其他多边形环境不再相同的多边形从该分级中移除；步骤4，重复步骤2‑3，直至所有DRC完成。本发明采用元胞的概念，只对分级当中的相同环境的一个多边形进行选边以及移边操作，之后相同多边形只需要复制操作即可，从而节省大量的计算资源。
设计规则检查方法光学临近修正

[发明专利]布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质-CN202010046509.5有效
发明人： 杜杳隽;刘庆炜 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种布局图形的矫正方法及系统、掩膜版、设备、存储介质，矫正方法用于在确定掩膜基底后，实现光学邻近修正前的预矫正，包括：提供原始版图，包括与掩膜基底相对应的布局图形，并确定布局图形对应于掩膜基底上的位置作为第一初始位置，布局图形所在的区域为图形区，剩余区域为遮挡区；对掩膜基底进行检测，获取掩膜基底上的缺陷点并确定缺陷点在掩膜基底上的位置为第二初始位置；获取缺陷点的第一偏移矢量，第一偏移矢量适于使缺陷点由第二初始位置移动至任一遮挡区；计算第一偏移矢量的负矢量为第二偏移矢量；根据第二偏移矢量移动布局图形，使布局图形对应于掩膜基底上的位置由第一初始位置变更为优化后位置。本发明提高光刻图形的精度。
布局图形矫正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法-CN202210689105.7有效
发明人： 杜杳隽;黄晔;陈红;董蒙;王义 -专利权人：深圳国微福芯技术有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于骨架结构的亚分辨率散射条生成方法，其包括：根据SBAR规则表插入初始SBAR骨架；检测任意两个相邻初始SBAR骨架之间的距离，并对距离小于截止距离的两个初始SBAR骨架进行冲突处理得到亚SBAR骨架；对所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架进行生长处理，使所述亚SBAR骨架和未进行冲突处理的初始SBAR骨架生长至期望大小；完成SBAR骨架的设置。与现有技术相比，本发明可以使SBAR的冲突问题解决变得简单，节省了大量的计算资源。
一种基于骨架结构分辨率散射生成方法

[发明专利]图形修正方法-CN202111678900.8在审
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种图形修正方法，包括：提供待修正版图；获取所述待修正版图对应的原始光强分布；获取所述待修正版图对应的扩散分布；采用自由卷积模型对所述原始光强分布和扩散分布进行处理，获取有效光强分布；以大于有效光强阈值的有效光强进行模拟曝光，获取模拟曝光版图；根据模拟曝光版图获取光刻版图；根据光刻版图和模拟曝光版图在相同位置的尺寸，获取平均偏移量。所述方法使得光学邻近修正模型的预测能力与真实值差距缩小。
图形修正方法

[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-CN202111621475.9在审
发明人：余潜;杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供初始版图层，初始版图层包括第一图形，第一图形具有沿关键尺寸方向的第一尺寸；沿关键尺寸方向，将第一图形拆分为第二图形，第二图形构成的组合图形与相对应的第一图形相同，第二图形具有沿关键尺寸方向的第二尺寸，第二尺寸均小于或等于预设尺寸；将初始版图层拆分为多个版图层，将每个第一图形对应的第二图形分别置于不同的版图层中。本发明提高在晶圆上形成的第一图形对应的结构的精准度，且有利于提高利用光学邻近修正方法修正的版图层进行图形转换的精度。
光学邻近修正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]一种图形修正方法-CN202111605183.6在审
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种图形修正方法，包括：提供待修正版图，所述待修正版图具有若干第一区，若干所述第一区相互邻接，所述第一区内具有第一待修正图形，所述第一待修正图形的轮廓具有若干第一线段；以所述第一区为中心获取第二区，所述第一区位于第二区内，所述第二区内具有第一待修正图形和第一待修正图形之外的第二待修正图形，所述第二待修正图形的轮廓具有若干第二线段；对若干第二区分别进行第一修正，获取多个第一区中第一线段各自的最优偏移量；根据多个第一区中第一线段各自的最优偏移量，对所述待修正版图进行第二修正，获取修正版图。所述修正方法使得获取的第一区内第一线段的最优偏移量数据稳定且准确性较好。
一种图形修正方法

[发明专利]OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质-CN202111562568.9在审
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-12-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种OPC模型及其建立方法和系统、OPC方法、设备及存储介质，建立方法包括：提供测试图形；根据测试图形获得测试光罩；对测试光罩进行实际曝光，获得实际曝光图形；利用初始光学邻近修正模型对测试图形进行模拟曝光，获得模拟曝光图形，模拟曝光包括：对测试图形上的测试点和多个周围点的光强相关分布进行平滑化处理，且对周围点分别配置在平滑化处理中所占的权重；根据实际曝光图形和模拟曝光图形，确定实际曝光图形和模拟曝光图形的误差；基于误差对初始光学邻近修正模型进行校正，得到光学邻近修正模型。本发明更精准地建立光学邻近修正模型。
opc 模型及其建立方法系统设备存储介质

[发明专利]基于模型的光学临近修正方法-CN202310227571.8在审
发明人： 杜杳隽;陈红 -专利权人：深圳国微福芯技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于模型的光学临近修正方法，包括：根据待修正的版图图形建立光学临近修正的第一模型，所述第一模型对所述待修正的版图图形的覆盖范围大于等于预设覆盖范围；通过第一模型获得硅片表面未被第一模型所覆盖到的弱点区域，以及被第一模型所覆盖到的正常区域；基于弱点区域建立围绕弱点区域形成的至少一个缓冲区，并基于弱点区域的数据建立第二模型；将所述待修正的版图图形的图形边缘分割成线段，每一个线段被配置一个评估点；根据每一个评估点的位置，为对应的线段配置对应权重的第一模型和/或第二模型进行光学临近修正。本发明将版图图形位于不同区域的部分采用不同模型进行修正，从而提高修正效果，避免弱点带来的光刻误差。
基于模型光学临近修正方法

[发明专利]一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法-CN201810890982.4有效
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种建立OPC模型的方法以及光学邻近修正方法，包括：提供位于掩模版上的光掩膜图形和初始的OPC模型，其中，所述光掩膜图形包括主图形和位于主图形外侧的次分辨率辅助图形，所述初始的OPC模型依据光学透镜系统参数建立；通过所述主图形与高斯函数之间的卷积来描述主图形负载效应，以获得主图形负载函数；通过所述次分辨率辅助图形与高斯函数之间的卷积来描述所述次分辨率辅助图形负载效应，以获得次分辨率辅助图形负载函数；在所述初始的OPC模型中加入所述主图形负载函数和所述次分辨率辅助图形负载函数，以获得最终的OPC模型。
一种建立 opc 模型方法以及光学邻近修正

[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-CN202111416385.6在审
发明人： 杜杳隽;丁丽华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，方法包括：提供初始版图层，包括多个沿第一方向排布的图形行，每个图形行均包括沿第二方向规律排布的多个图形，第一方向垂直于第二方向；将初始版图层拆分为第一版图层和第二版图层，将间隔相邻的图形行置于第一版图层中，将剩余图形行置于第二版图层中；将第一版图层拆分为第三版图层和第四版图层，将第一版图层的每个图形行中，间隔相邻的图形置于第三版图层中，剩余图形置于第四版图层中；将第二版图层拆分为第五版图层和第六版图层，将第二版图层的每个图形行中，间隔相邻的图形置于第五版图层中，剩余图形置于第六版图层中。本发明提高光学邻近修正效果的同时，节约工艺成本。
光学邻近修正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-CN202111271152.1在审
发明人： 杜杳隽;王兰芳 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：获取第一版图层，包括多个第一设计图形，任意两个第一设计图形之间的距离为第一间距，至少一个第一间距小于可光刻最小间距；进行版图层拆分处理，将第一版图层拆分为多个子版图层，将第一设计图形分别设置于其中一个子版图层上，子版图层叠加后的图形布局与第一版图层的图形布局相同，在子版图层中，任意两个第一设计图形之间的距离为第二间距，第二间距大于第一间距，且至少一个第二间距小于可光刻最小间距；改变子版图层中的第一设计图形的图形布局，使每个子版图层中，任意两个第一设计图形之间的距离均大于或等于可光刻最小间距。本发明节约了工艺成本。
光学邻近修正方法系统掩膜版设备存储介质

[发明专利]图形匹配方法及其匹配系统-CN201710889717.X有效
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：一种图形匹配方法及其匹配系统，所述匹配方法包括：对匹配版图进行划区处理，将匹配版图划分为多个分区域，各个分区域分别包括多个比较区域；进行匹配处理，在待匹配版图上获取匹配区域，匹配区域与匹配版图上所有的比较区域相匹配；根据所述匹配区域在所述待匹配版图中获取等同区域，所述等同区域包括所述匹配区域，所述等同区域边缘与所述匹配版图边缘全等，所述匹配区域在所述等同区域中的位置为第一位置，所述比较区域在所述匹配版图中的位置为第二位置，所述第一位置与第二位置相同。所述划区处理用于将所述匹配版图划分为多个分区域，通过对每个分区域中的比较区域进行匹配处理能够简化图形匹配的复杂度，从而节约计算时间。
图形匹配方法及其系统

[发明专利]光学邻近修正模型、光学邻近修正方法-CN201910041423.0有效
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正模型、光学邻近修正方法，所述光学邻近修正模型含有曲率校正项，所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量。本发明所述曲率校正项适于表征物理晶圆上的图形轮廓上各位置在应力作用下的曲率变化量，因此，通过所述OPC模型获得模拟图形后，即可在模拟图形中显示曲率异常的现象，以提高通过光学邻近修正模型所获得的模拟图形与物理晶圆上实际图形的匹配度，相应的，在对晶圆版图进行光学邻近修正时，能够根据模拟图形轮廓上各位置的实际曲率情况进行相应修正，从而提高了光学邻近修正的精准度。
光学邻近修正模型方法

[发明专利]光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质-CN202110988906.9在审
发明人： 杜杳隽 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法及系统、掩膜版、设备及存储介质，光学邻近修正方法包括：提供目标图形；将目标图形的边分割为多个第一线段，包括两端点、位于两端点间的第一采样点；利用第一线段，对目标图形进行第一光学邻近修正处理，形成第一初始修正后图形、相应第一模拟图形；判断端点处，第一模拟图形的边缘放置误差是否达到修正标准；未达到修正标准时，在端点处设立第二采样点，在第二采样点两侧截取部分长度的第一线段平移至目标位置，构成第二线段，剩余第一线段作为第三线段，形成第二初始修正后图形；利用第二线段和第三线段，对第二初始修正后图形进行第二光学邻近修正处理，形成光罩图形。本发明提高光学邻近修正的效果。
光学邻近修正方法系统掩膜版设备存储介质

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